用于熔化激光熔丝的方法以及用于加工晶片的方法

用于熔化激光熔丝的方法以及用于加工晶片的方法
【专利摘要】用于熔化激光熔丝的方法以及用于加工晶片的方法。根据不同的实施例的用于熔化激光熔丝的方法可以包括：提供具有衬底区域和至少一个激光熔丝的半导体工件；利用红外激光束从所述衬底区域的背面熔化所述至少一个激光熔丝。
【专利说明】用于熔化激光熔丝的方法以及用于加工晶片的方法
【技术领域】
[0001]各种实施例总体上涉及用于熔化激光熔丝的方法以及用于加工晶片的方法。
【背景技术】
[0002]在电子器件(例如集成电路或者芯片)的制作中，有时可以使用熔丝。熔丝(有时也被称作熔丝连接或者熔性连接)可以被理解为可被选择性地切断或者烧断(所谓的熔化)的电连接或互连。
[0003]可以例如通过激光实现熔化。可被激光熔化的熔丝也可以被称作激光熔丝(或者激光熔丝连接或者激光熔性连接)，并且熔化激光熔丝也可以被称作激光熔化。

【发明内容】

[0004]根据不同的实施例的用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供具有衬底区域和至少一个激光熔丝的半导体工件；利用红外激光束从所述衬底区域的背面熔化所述至少一个激光熔丝。
[0005]根据不同的实施例的用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供半导体工件，其具有定位成接近半导体工件的背面的衬底区域和定位成接近半导体工件的正面的功能性区域，至少一个激光熔丝被定位在衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面；使用聚焦到衬底区域和功能性区域之间的界面上的红外激光束来照射所述半导体工件的背面，以熔化所述至少一个激光熔丝。
[0006]根据不同实施例的用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供具有包含硅化物的至少一个激光熔丝的晶片或者管芯；使用红外激光光线从所述晶片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一个激光熔丝的硅化物。
[0007]根据不同实施例的用于加工晶片的方法可以包括:提供具有至少一个激光熔丝的晶片；从晶片背面熔化所述至少一个激光熔丝；以及隐形切割所述晶片；其中使用相同的红外激光实施熔化所述至少一个激光熔丝和隐形切割所述晶片。
【专利附图】

【附图说明】
[0008]在附图中，贯穿不同的视图，相似的参考字符通常指代相同的部分。附图不必要按比例，而是通常将重点放置在说明不同实施例的原理上。在下面的描述中，参照下面的附图描述不同的实施例，在附图中:
图1示出根据实施例的用于熔化激光熔丝的方法；
图2示出根据另一实施例的用于熔化激光熔丝的方法；
图3示出根据另一实施例的用于熔化激光熔丝的方法；
图4示出晶片的透视图，用以说明一个或者多个实施例的各方面；
图5A至图5E示出在不同加工阶段期间的管芯的截面图，用以说明一个或者多个实施例的各方面； 图6示出晶片的平面图，用以说明一个或者多个实施例的各方面；
图7示出根据另一实施例的用于加工晶片的方法。
【具体实施方式】
[0009]下面详细的描述参照附图，所述附图借助图示示出其中可以实施本发明的实施例和具体细节。这些实施例被足够详细地描述以使得本领域技术人员能够实施本发明。在不偏离本发明的范围的情况下可以使用其它实施例并且可以做出结构，逻辑，和电气的改变。不同实施例不必要是相互排斥的，因为一些实施例可以与一个或者多个其它实施例结合以形成新的实施例。
[0010]本公开的不同方面被提供用于各方法，并且本公开的不同方面被提供用于各器件。将被理解所述方法的基本特性也适用于器件并且反之亦然。因此，为了简洁，可以省略这种特性的重复的描述。
[0011]如此处使用的术语“至少一个”可以被理解为包括任何大于或者等于I的整数。
[0012]如此处使用的术语“多个”可以被理解为包括任何大于或者等于2的整数。
[0013]如此处使用的术语“耦合”或者“连接”可以分别被理解为包括直接“耦合”或者直接“连接”以及间接“耦合”或者间接“连接”。
[0014]如此处使用的术语“设置在上面”，“位于上面”或者“布置在上面”旨在包括如下布置:其中第一元件或者层可以被直接设置，位于或者布置在第二元件或者层上，在中间不具有另外的元件或者层，以及如下布置:其中第一元件或者层可以被设置，位于或者布置在第二元件或者层的上方，在第一元件或者层和第二元件或者层之间具有一个或者多个附加的元件或者层。
[0015]在例如集成电路或者芯片的半导体器件的制造中，有时可以使用熔丝。熔丝(有时也被称作熔丝连接或者熔性连接)可以被理解为可被选择性地切断或者烧断(所谓的熔化)的电连接。例如，可以由激光实现熔化。可以使用激光熔化的熔丝也可被称作激光熔丝(或者激光熔丝连接或者激光熔性连接)，并且熔化激光熔丝也可被称作激光熔化。
[0016]例如，可以在晶片测试之后实施激光熔化来实现ID (标识)信息或者调节器件以满足严格的规范。
[0017]传统的激光熔化方法可以是几乎不可兼容的，或者是根本不可兼容的，具有现代的低k或者超低k电介质(即它们的介电常数k具有低的或者超低值的电介质)。例如，传统的激光熔化方法可能时常地导致那些电介质的大的分层。
[0018]此外，传统的激光熔化方法通常可能导致熔丝的暴露。换句话说，由于熔化过程，位于所述熔丝上面或者上方的材料层可能被至少部分地去除，从而暴露所述熔丝。这可导致在熔化区域处由湿气引起的腐蚀，其可能构成可靠性风险。
[0019]此外，传统的激光熔化方法可导致熔丝附近的大范围损坏，其又可能会要求当熔化特定熔丝时，在熔丝之间的距离(间距)是大的(例如，大于10 μ m)和/或没有其它结构位于(多个)熔丝上以避免邻近熔丝或者其它结构的损坏。由此，利用传统激光熔化方法使用的熔丝可能会消耗大的芯片面积。
[0020]此外，传统的激光熔化方法可能经常需要被实现为在制造过程中的额外的工艺步骤。这可导致加工成本的增加。[0021]图1示出根据实施例的用于熔化激光熔丝的方法100。
[0022]在102处，可以提供半导体工件，所述半导体工件具有衬底区域和至少一个激光熔丝。
[0023]在104处，可以利用红外激光束从衬底区域的背面熔化所述至少一个激光熔丝。
[0024]根据实施例，半导体工件可以包括或者可以是晶片。根据另一实施例，半导体工件可以包括或者可以是管芯。
[0025]根据实施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如，包括复合半导体材料的其它半导体材料)或者由所述其它材料构成。
[0026]根据另一实施例，所述衬底区域可以定位成接近半导体工件的背面(例如，接近晶片或者管芯的背面)，并且所述半导体工件可以进一步包括定位成接近半导体工件的正面(例如接近晶片或者管芯的正面)的功能性区域；所述至少一个激光熔丝可以位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面，并且红外激光束可以被聚焦到所 述界面上。
[0027]根据另一实施例，红外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一个激光熔丝之后，位于在所述至少一个激光熔丝上面或者上方的功能性区域中的结构的完整性被基本上(或者完全地)保持。
[0028]在一个或者多个实施例中，所述至少一个激光熔丝可以包括硅化物或者由硅化物构成。示例性地，所述至少一个激光熔丝的可熔材料可以包括或者可以是硅化物。
[0029]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约750°C，例如小于或者等于大约550°C，例如小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组。在一个或者多个实施例中，硅化物的激活温度可以包括或者可以是发生所述硅化物的相变所处的温度。在一个或者多个实施例中，激活温度可以包括或者可以是金属原子或者离子到硅或者多晶硅中的扩散显著增加所处的温度。在一个或者多个实施例中，激活温度可以包括或者可以是硅化物的电阻例如由于前面提到的增加的金属扩散而显著变化所处的温度。
[0030]根据另一实施例，所述硅化物可以选自硅化物的组，所述组由下述构成:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴和硅化镍。
[0031]根据另一实施例，所述至少一个激光熔丝可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(polycide)(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅图案或者结构，例如硅化的多晶硅迹线或者互连。
[0032]根据另一实施例，红外激光束可以具有在从大约Ι.Ομ--到大约1.4μπι的范围中的波长，例如1064nm，1080nm，或者1342nm的波长，然而其它波长也可以是可能的。
[0033]根据另一实施例，功能性区域可以包括至少一个电路结构或器件，例如垫(诸如金属垫)，互连，布线线路，电阻器(诸如金属电阻器)，电容器(诸如MIM电容器)，二极管，晶体
咎坐坐
目，寸寸ο
[0034]根据另一实施例,功能性区域可以包括前道工序(front-end-of-1 ine)层布置,例如包括一个或者多个导电层(诸如金属层)和/或一个或多个电绝缘层或介电层(诸如低k或者超低k介电层)。
[0035]根据另一实施例，激光束可以具有在从大约0.1W到大约0.5W的范围中的功率，然而其它值也可以是可能的。[0036]根据另一实施例，半导体工件可以包括多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约10 μ m，例如根据另一实施例在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中，例如根据另一实施例为大约?ο μ m，然而根据其它实施例，间距的其它值(例如小于或者等于大约5μπι的间距或者大于大约ΙΟμπι的间距)也可以是可能的。根据另一实施例，所述多个激光熔丝可以例如以阵列(也被称作熔丝阵列或者激光熔丝阵列)或者组(bank)(也被称作熔丝组或者激光熔丝组)被配置或者布置。
[0037]根据另一实施例，熔化所述至少一个激光熔丝可以包括熔化所述多个激光熔丝中的一个或多个。
[0038]根据另一实施例，所述半导体工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用红外激光束被切割。 [0039]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的所述一个或多个)之后实施切割所述晶片。
[0040]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的所述一个或多个)之前实施切割所述晶片。
[0041]图2示出根据另一实施例的用于熔化激光熔丝的方法200。
[0042]在202处，可以提供半导体工件，所述半导体工件具有定位成接近半导体工件晶片或者管芯的背面的衬底区域和定位成接近所述半导体工件的正面的功能性区域，至少一个激光熔丝位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面。
[0043]在204处，可以使用聚焦到衬底区域和功能性区域之间的界面上的红外激光束照射半导体工件的背面，以熔化所述至少一个激光熔丝。
[0044]根据实施例，半导体工件可以包括或者可以是晶片。根据另一实施例，半导体工件可以包括或者可以是管芯。
[0045]根据实施例，所述晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而所述晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括复合半导体材料的其它半导体材料)或者由所述其它材料构成。
[0046]根据另一实施例，红外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一个激光熔丝之后，位于在至少一个激光熔丝上面或者上方的功能性区域中的结构的完整性被基本上(或者完全地)保持。
[0047]在一个或者多个实施例中，所述至少一个激光熔丝可以包括硅化物或者由硅化物构成。
[0048]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约750°C，例如小于或者等于大约550°C，例如小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组。
[0049]根据另一实施例，所述硅化物可以选自硅化物的组，所述组由下述构成:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴和硅化镍。
[0050]根据另一实施例，所述至少一个激光熔丝可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅图案，例如硅化的多晶硅迹线或者互连。
[0051]根据另一实施例，红外激光束可以具有在从大约Ι.Ομ--到大约1.4μπι的范围中的波长，例如1064nm，1080nm，或者1342nm的波长，然而其它波长也可以是可能的。
[0052]根据另一实施例，功能性区域可以包括至少一个电路结构或器件，例如垫(诸如金属垫)，互连，布线线路，电阻器(诸如金属电阻器)，电容器(诸如MIM电容器)，二极管，晶体
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[0053]根据另一实施例，功能性区域可以包括前道工序层布置，例如包括一个或者多个导电层(诸如金属层)和/或一个或多个电绝缘层或介电层(诸如低k或者超低k介电层)。
[0054]根据另一实施例，激光束可以具有在从大约0.1W到大约0.5W的范围中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0055]根据另一实施例，半导体工件可以包括位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面的多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约10 μ m，例如根据另一实施例在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中，例如根据另一实施例为大约10 μ m,然而根据其它实施例，其它间距(诸如小于大约5 μ m的间距或者大于大约ΙΟμπι的间距)也可以是可能的。根据另一实施例，所述多个激光熔丝可以例如以阵列(也被称作熔丝阵列或者激光熔丝阵列)或者组(也被称作熔丝组或者激光熔丝组)被配置或者布置。
[0056]根据另一实施例，熔化所述至少一个激光熔丝可以包括熔化所述多个激光熔丝中的一个或多个。
[0057]根据另一实施例，所述半导体工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用红外激光束被切割。
[0058]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的所述一个或多个)之后实施切割所述晶片。
[0059]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的所述一个或多个)之前实施切割所述晶片。
[0060]图3示出根据另一实施例的用于熔化激光熔丝的方法300。
[0061]在302处，可以提供晶片或者管芯，所述晶片或者管芯具有至少一个激光熔丝，所述激光熔丝包括硅化物。
[0062]在304处，可以使用红外激光光线从所述晶片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一个激光熔丝的硅化物。
[0063]根据实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约750°C的激活温度的硅化物的组。
[0064]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约550°C的激活温度的硅化物的组。
[0065]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组。
[0066]根据实施例，所述硅化物可以选自硅化物的组，所述组由下述构成:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴和硅化镍。
[0067]根据另一实施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括复合半导体材料的其它半导体材料)或者由所述其它材料构成。
[0068]根据另一实施例，所述激光光线可以被聚焦到晶片或者管芯的功能性区域和衬底区域之间的界面上。例如，激光光线的焦点可以位于衬底区域(或者衬底，诸如硅衬底，SiC衬底，或其它类型衬底)与IC (集成电路)层布置或层堆叠之间的界面处，靠近所述界面，或者接近所述界面。
[0069]根据另一实施例，红外激光束可以具有在从大约Ι.Ομ--到大约1.4μπι的范围中的波长，例如1064nm，1080nm，或者1342nm的波长，然而其它波长也可以是可能的。
[0070]根据另一实施例，激光束可以具有在从大约0.1W到大约0.5W范围中的功率，然而其它值也可以是可能的。 [0071]根据另一实施例，芯片或者管芯可以包括位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面的多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约10 μ m，例如根据另一实施例在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中，例如根据另一实施例为大约ΙΟμπι，然而根据其它实施例，其它间距(诸如小于大约5μπι的间距或者大于大约ΙΟμπι的间距)也可以是可能的。根据另一实施例，所述多个激光熔丝可以例如以阵列(也被称作熔丝阵列或者激光熔丝阵列)或者组(也被称作熔丝组或者激光熔丝组)被配置或者布置。
[0072]根据另一实施例，熔化所述至少一个激光熔丝可以包括熔化所述多个激光熔丝中的一个或多个。
[0073]根据另一实施例，提供晶片或者管芯可以包括提供晶片，并且所述晶片可以使用红外激光束被切割。
[0074]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的所述一个或多个)之后实施切割所述晶片。
[0075]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的所述一个或多个)之前实施切割所述晶片。
[0076]图4示出晶片400的一部分的透视图，用于说明一个或者多个实施例的各方面。
[0077]所述晶片400可以例如是硅晶片，然而所述晶片也可以包括其它材料(例如包括复合半导体材料的其它半导体材料)或者由所述其它材料构成。
[0078]如示出的，晶片400可以具有正面401和与所述正面401相对的背面402。晶片400的在图4中示出的部分可以是管芯区域，换句话说是对应于管芯的区域。除了在图4中示出的管芯区域，晶片400可以包括对应于一个或者多个附加管芯的一个或者多个附加管芯区域(在图4中未示出)。晶片400的各个管芯可以通过切割所述晶片400来被分开(单体化)。根据一些实施例，可以例如使用所谓的隐形切割工艺实施切割所述晶片400，这将在下面被解释。
[0079]“隐形切割”可以被理解为指代可通过在工件内部聚焦激光来在工件(例如晶片400)中形成改性层的切割方法。随后，所述管芯可以例如通过使用带扩张器(tapeexpander)被分开。
[0080]更具体地，如示出的，在能够穿过晶片400传播的波长的激光束403 (通常是具有红外(IR)波长的激光)可以通过物镜(在图4中未示出)被聚集并且聚焦到在晶片400内部的点上。激光束403可以例如由以高重复率振荡的短脉冲构成并且可以被高度聚集。这个被局部化的射束403可以例如以在光线聚焦点附近在时间和空间上都压缩的极高峰值功率密度形成。在聚集过程期间当穿过晶片400传播的激光束403超出峰值功率密度时，非线性吸收效果可以引起其中在被局部化的点处发生极高吸收的现象。通过优化激光和光学系统特性以使得非线性吸收效果只在晶片400内部的焦点附近，在不破坏位于被局部化的点或者区域405的上方或者下方的晶片400中的层或者结构的情况下，只有晶片400中的那些被局部化的点或者区域405将被选择性地激光加工可以是可能的。示例性地，晶片400的区域405可以通过激光束403被激光加工，而晶片400的其余区域可以不受激光束403影响。
[0081]如在图4中示出的，激光束403可以从晶片400的背面402进入所述晶片400。
[0082]应该注意到图4不出在两个不同位置处(对应于在时间上的两个不同的点)的同一个激光束403，并且箭头404表明激光束的位置相对于所述晶片400的移动。尽管通常单个激光束将被用于切割，应该注意到原则上同时使用多个激光束可以是可能的。
[0083]在图4的实例中，晶片400的激光加工区域405被示为布置在两个平行层406中。然而，取决于例如晶片400的材料和/或厚度，区域405被布置在仅一层中，或者被布置在两个以上的层中也可以是可能的。
[0084]可以看到一个或者多个实施例的一个方面在于通常用于隐形切割的红外激光束(例如在图4中的激光束403)可以替代地或者附加地被用于激光熔化，这将在下面被更详细地描述。
[0085]图5A到图5E示出在不同 加工阶段期间管芯500的截面图，用于说明一个或者多个实施例的各方面。
[0086]如在图5A中示出的，管芯500可以具有正面501和与所述正面501相对的背面502。
[0087]根据一个或者多个实施例，管芯500可以是包括一个或者多个管芯的晶片(未不出)的一部分。换句话说，可以提供具有一个或者多个管芯(或者对应于管芯的管芯区域)的晶片，所述管芯500对应于晶片的所述一个或者多个管芯(或者管芯区域)中的一个。根据一个或者多个实施例，在熔化管芯500 (和晶片的可能的其它管芯)的一个或者多个激光熔丝之后，晶片的各个管芯可以稍后通过切割(管芯单体化)被分开。再换句话说，在切割所述晶片之前，管芯500可以对应于晶片的一个或者多个管芯中的一个。
[0088]可替代地,根据一个或者多个实施例,包括一个或者多个管芯(或者对应于管芯的管芯区域)的晶片可以已经被切割，并且管芯500可以对应于在切割所述晶片之后从晶片得到的管芯中的一个。
[0089]根据一个或者多个实施例，所述管芯500可以包括包含硅化物或由所述硅化物构成的多个激光熔丝510_1，510_2，……，510_n(在图中作为实例示出八个激光熔丝(即n=8)，然而根据一些实施例，管芯500可以包括不同数目的激光熔丝；只提供一个激光熔丝也可以是可能的)。根据一些实施例，所述硅化物可以是具有例如小于或者等于大约750°C，例如小于或者等于大约550°C，例如小于或者等于大约350°C的激活温度的低温硅化物。根据一些实施例，所述硅化物可以选自例如硅化物的组，所述组由下述构成:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴和硅化镍。根据其它实施例，可以使用其它合适硅化物。通常，所有激光熔丝
510_1, 510_2,......, 510_n可以包含相同娃化物或者由所述相同娃化物构成,然而,激光熔
丝510_1，510_2，......，510_n中的一个或者多个包含不同硅化物或者由所述不同硅化物构
成也可以是可能的。[0090]根据一个或者多个实施例，如示出的，所述管芯500可以具有定位成接近所述管芯500的背面502的衬底区域511和定位成接近所述管芯500的正面501的功能性区域512。激光熔丝510_1，510_2，……，510_n可以例如位于衬底区域511和功能性区域512之间的界面处或者接近衬底区域511和功能性区域512之间的界面，如所示的。因此，根据一个或者多个实施例，在管芯500的背面502和激光熔丝510_1，510_2，……，510_n之间的距离可以大致对应于衬底区域511的厚度。
[0091]根据示出的实例，所有激光熔丝510_1，510_2，……，510_n可以位于或者形成在管芯500的相同层或者水平中。然而，激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的一个或者多个位于或者形成在管芯500的不同层或者水平中也可以是可能的。
[0092]根据一个或者多个实施例，功能性区域512可以包括前道工序(FEOL)层布置，例如包括一个或者多个导电层(例如，金属层)和/或一个或多个电绝缘层或介电层(例如，低k或者超低k介电层)。
[0093]根据一个或者多个实施例，功能性区域512或者功能性区域512的FEOL层布置可以例如包括一个或者多个电路结构或者器件，诸如，例如一个或者多个垫(例如金属垫)，互连或者布线线路，电阻器(例如，金属电阻器)，电容器(例如，MIM电容器)，二极管，或者晶体管(可替代地，或者另外地，可以提供其它电路结构或者器件)。电路结构或者器件中的一个或者多个可以例如位于所述多个激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的一个或者多个的上方。
[0094]根据一个或者多个实施例，衬底区域511可以基本上(或者完全地)没有电路结构或者器件。例如，根据一些实施例，衬底区域511位于激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的一个或者多个下 面的部分可以基本上(或者完全地)没有电路结构或者器件。
[0095]根据一个或者多个实施例，激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的一个或者多个
可以被用来实现信息(例如ID信息)。可替代地或者另外地,激光熔丝510_1，510_2，......，
510_n中的一个或者多个可以被用来调节所述管芯500的一个或者多个电路结构或者器件500。可替代地或者另外地，激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的一个或者多个可以被用于其它目的。
[0096]根据一个或者多个实施例，激光熔丝510_1，510_2，……，510_n的距离(间距)513可以例如小于10 μ m，例如根据一些实施例在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中，例如根据一些实施例为大约ΙΟμπι。然而，根据一些实施例，间距513的其它值可以是可能的，例如，小于大约5 μ m的间距，或者大于大约10 μ m的间距。
[0097]如在图5B中示出的，激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的第一激光熔丝510_1可以通过从管芯500的背面502施加IR (红外)激光束503来被熔化。例如，管芯500的背面502可以使用聚焦到衬底区域511和功能性区域512之间的界面上的IR激光束503被照射，以熔化所述激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的第一激光熔丝510_1。
[0098]示例性地，激光束503，例如激光束503的一个或者多个激光参数(诸如焦点，波长，功率，持续时间等)可以被配置成使得激光束503可以能够局部地熔融第一激光熔丝510_1的硅化物，同时与第一激光熔丝510_1相邻的区域保持不受影响。特别地，作为与第一激光熔丝510_1最近的邻居的第二激光熔丝510_2 (以及离所述第一激光熔丝510_1更远定位的第三，第四，……，第η个激光熔丝510_3，510_4，……，510_η)可以保持不受激光束503影响。此外，位于第一激光熔丝510_1上方的功能性区域512中的结构也可以保持不受激光束503影响(换句话说，不被破坏)。换句话说，红外激光束503可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述第一激光熔丝510_1之后，位于在所述激光熔丝510_1上面或者上方的功能性区域512中的结构的完整性可以被基本上(或者完全地)保持。如在图5B中可以看到的，在熔化所述第一激光熔丝510_1之后，所述第一激光熔丝510_1可以保持被封装在管芯500内。换句话说，通过IR激光熔化可以避免熔丝510_1的各部分变得被暴露。因此，可以避免由于湿气引起的腐蚀。[0099]如在图5C至图5E中示出的，在熔化所述第一激光熔丝510_1之后，所述多个激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的另外的激光熔丝可以以与结合第一激光熔丝510_1所描述的类似的方式被熔化。在图5C至图5E中示出的实例中，所述多个激光熔丝510_1，510_2，……，510_n中的第二激光熔丝510_2，第四激光熔丝510_4，和第八激光熔丝510_8被熔化，同时第三激光熔丝510_3，第五激光熔丝510_5，第六激光熔丝510_6，和第七激光熔丝510_7保持不被熔化(然而，根据其它实施例，其它熔丝可以替代地或者另外地被熔化，这将是容易理解的)。为此目的，如在图5C至图5E中所示，激光束503相对于管芯500的位置可随后被移动到第二激光熔丝510_2，第四激光熔丝510_4，和第八激光熔丝510_8的位置(例如，通过相对于激光束503移动管芯500或者相对于管芯500移动激光束503)。然而示出第一激光熔丝510_1首先被熔化，第二激光熔丝510_2在第一激光熔丝510_1之后被熔化，第四激光熔丝510_4在第二激光熔丝510_2之后被熔化，并且第八激光熔丝510_8在第四激光熔丝510_4之后被熔化(即熔化顺序是510_1 — 510_2 — 510_4 — 510_8)，应该注意到该熔化顺序通常可以是任意的并且可以例如通过激光编程来确定。
[0100]应该注意到在激光束503的位置从将被熔化的第一熔丝的位置移动到将被熔化的另一熔丝的位置期间，激光束503可以被关掉，以便避免破坏在两个熔丝之间的区域。
[0101]图5A至图5E示出位于晶片或者管芯内并且包括硅化物(例如诸如硅化钛，硅化钴，或者硅化镍的低温硅化物(其它硅化物也可以是可能的))或者由所述硅化物构成的一个或者多个激光熔丝可以利用IR (红外)激光(例如诸如通常可以被用在所谓的“隐形切割工艺中的IR激光)被熔化。所述IR激光可以照射晶片或者管芯的背面并且所述IR激光束可以被聚集并且被聚焦到在晶片或者管芯中的一个或者多个激光熔丝的(多个)位置上。因此，所述激光可以局部地熔融所述(多个)熔丝的硅化物，同时在所述熔丝附近的结构(例如，晶片或管芯的其它激光熔丝，或电路结构或器件)可以保持基本上或者完全地不被破坏。
[0102]根据一些实施例，可以在切割晶片之前应用IR激光熔化。根据其它实施例，可以在切割晶片之后应用IR激光熔化。根据一些实施例，IR激光熔化和切割可以使用相同的激光设备(例如可以已经可用于“隐形激光切割”的设备)实现。在这种情况下，激光熔化选项可以通过适当地给激光设备编程来实现。然而，在使用其它切割方法(例如诸如锯切)的工艺中实现IR激光熔化选项也可以是可能的。
[0103]图6示出晶片600的平面图，用于说明一个或者多个实施例的各方面。
[0104]晶片600可以包括多个管芯区域620，换句话说是对应于各个管芯的区域。
[0105]如示出的，所述管芯区域620中的一个或者多个可以包括一个或者多个激光熔丝610。所述激光熔丝610可以包括硅化物或者由所述硅化物构成并且可以例如根据此处描述的一个或者多个实施例被配置。所述激光熔丝610可以例如以阵列或者组(也被称作熔丝组)被布置。熔丝610中的一些可以被熔化(由实心矩形表示)，同时熔丝610中的其它熔丝可以保持不被熔化(由空心矩形表示)。根据一个或者多个实施例，可以利用背面IR激光熔化方法实现熔化。
[0106] 可以通过沿着线630切割晶片600来从晶片600得到管芯。根据一些实施例，可以利用隐形激光切割工艺、使用例如与用于背面激光熔化相同的设备来实现切割。根据一些实施例可以在激光熔化之后实施切割，或者根据其它实施例可以在激光熔化之前实施切害I]。根据一些实施例，可以使用与隐形激光切割不同的切割方法实施切割，例如通过锯切，或者本领域中同样已知的任何其它合适的切割方法。
[0107]图7示出根据另一实施例的用于加工晶片的方法700。
[0108]在702处，可以提供晶片。所述晶片可以具有至少一个激光熔丝。
[0109]在704处，所述至少一个激光熔丝可以从晶片背面被熔化。
[0110]在706处，所述晶片可以被隐形切割。
[0111]可以使用相同的红外激光实施熔化所述至少一个激光熔丝和隐形切割所述晶片。
[0112]根据实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝之后实施隐形切割所述晶片。
[0113]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝之前实施隐形切割所述晶片。
[0114]根据另一实施例，所述至少一个激光熔丝可以包括硅化物或者由所述硅化物构成。
[0115]所述方法700可根据此处描述的一个或者多个实施例被进一步配置。
[0116]在下面，一个或者多个实施例的不同方面和潜在影响被讨论。
[0117]根据不同实施例，可以提供用于激光熔化的新方法。
[0118]根据不同实施例，用于背面激光隐形切割的红外(IR)激光可被使得能够还从晶片背面熔化一个或者多个硅化的多晶硅图案或者被配置为还从所述晶片背面熔化一个或者多个硅化的多晶硅图案(例如，根据一些实施例直接在隐形切割之前或者之后，或者对于不同切割方法(诸如锯切)作为单独的工艺步骤)。
[0119]可以看到不同实施例的一个方面在于已经发现IR激光，例如通常用于背面隐形切割的IR激光，可被用来熔融硅化的多晶硅结构。根据不同实施例，因为可以提供基于硅化物结构(例如，硅化的多晶硅结构)的具有激光熔丝的晶片或者管芯，并且熔丝可以通过IR激光光线被熔化，这个发现可以被利用。
[0120]根据一些实施例，隐形切割可以被用作双重目的的步骤，即用于在相同设备上的管芯分离(切割)和熔化。换句话说，根据一些实施例，用于隐形切割的IR激光也可以被用于激光熔化。这可以例如降低加工成本。
[0121]根据一些实施例的激光熔化方法可以例如允许在晶片或者管芯上以低面积消耗来提供或者布置熔丝(诸如以小的熔丝间距，诸如小于或者等于大约ΙΟμπι的间距，例如在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中的间距，例如大约为10 μ m的间距，然而其它间距(诸如小于或者等于大约5μπ?的间距，或者大于大约10 μπι的间距)也可以是可能的)。例如，对于硅化物熔丝(其可以根据不同实施例被使用)的设计规则可以比对于传统金属激光熔丝的设计规则小得多。可以通过从背面的激光加工来另外实现高的区域增益，同时例如可以降低或者防止对位于熔丝附近(诸如上面)的晶片或者管芯的区域的破坏。因此，即使在一个熔丝或者多个熔丝顶部的金属区域也可被布线或者甚至其它器件(诸如金属电阻器，MIM电容器，金属垫等)使用可以是可能的。
[0122]根据一些实施例的激光熔化方法可以例如使得激光熔化选项能够用于目前的或者将来的工艺代(诸如65nm及以下工艺代)，其中易损坏的电介质也许不允许从顶侧激光熔化。相反，根据一些实施例的激光熔化方法可以是与现代低k或者超低k电介质可兼容的。
[0123]根据一些实施例的激光熔化方法可以例如消除由于来自顶侧的湿气引起的腐蚀的可靠性风险。例如，根据不同实施例使用的硅化物熔丝可在激光熔化之前以及之后被晶片或者管芯完全掩埋和封装。熔化硅化物熔丝可以示例性地导致局部地熔融在晶片或者管芯内的熔丝材料(硅化物)，而不在晶片或者管芯中产生将暴露所述熔丝的开口。因此，可以防止将熔丝暴露到湿气，并且因此可以防止腐蚀。
[0124]根据不同实施例，现代硅化物复合物(例如诸如硅化钛，硅化钴，或者硅化镍)对隐形激光工艺的敏感性可以被开发用于激光熔化。取决于激光参数，具有在从大约I Pm到大约1.4μπι的范围中的波长(诸如，根据一些实施例具有1064nm，1080nm，或者1342nm的波长，然而其它波长也可以是可能的)的商售隐形激光头可以局部地破坏低温硅化物(换句话说，具有低激活温度的硅化物，例如根据一些实施例小于或者等于大约750°C的激活温度，例如根据一些实施例小于或者等于大约550°C的激活温度，例如根据一些实施例小于或者等于大约350°C的激活温度)。
[0125]根据不同实施例，可以提供可包括一个或者多个硅化的多晶硅图案或者由一个或者多个硅化的多晶硅图案制成的一个或者多个激光熔丝。熔丝的布局和/或功能可以例如与传统的金属熔丝相似。根据不同实施例，可以在芯片分离(切割)之前或者之后从晶片背面实现熔化。通常也可以通过激光隐形切割实现芯片分离(切割)，然而，根据一些实施例，也可以使用其它切割方法(诸如锯切等)。为了通过使用隐形切割设备实现熔化，隐形切割设备的软件可以以适当的方式被修改。根据一些实施例，可以应用关于背面隐形切割的背面对准。根据不同实施例，所述设备可被配置为将熔丝信息转变成对应的激光图案。根据不同实施例，可以适当地选择或者改编一个或者多个激光参数(诸如焦点，波长，功率等)，使得激光束可以断开硅化的互连。根据一些实施例，激光可以被编程以执行小周期的激光作用。
[0126]根据一个或者多个实施例的用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供具有衬底区域和至少一个激光熔丝的半导体工件；利用红外激光束从衬底区域的背面熔化所述至少一个激光熔丝。
[0127]根据实施例，半导体工件可以包括或者可以是晶片。根据另一实施例，半导体工件可以包括或者可以是管芯。
[0128]根据实施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而所述晶片或者管芯也可以包括其它材料(诸如包括复合半导体材料的其它半导体材料)或者由所述其它材料构成。
[0129]根据另一实施例，所述衬底区域可定位成接近半导体工件的背面(诸如接近晶片或者管芯的背面)，并且所述半导体工件可以进一步包括定位成接近半导体工件的正面(诸如接近晶片或者管芯的正面)的功能性区域；所述至少一个激光熔丝可以位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面，并且所述红外激光束可被聚焦到所述界面上。
[0130]根据另一实施例，所述红外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一个激光熔丝之后，位于在所述至少一个激光熔丝上面或者上方的功能性区域中的结构的完整性被基本上(诸如完全地)保持。
[0131] 根据另一实施例，所述至少一个激光熔丝可以包括硅化物(或者由硅化物构成)。
[0132]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约750°C，例如小于或者等于大约550°C，例如小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组。
[0133]根据另一实施例，所述硅化物可以选自硅化物的组，所述组由下述构成:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴，和硅化镍。
[0134]根据另一实施例，所述至少一个激光熔丝可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅图案或者结构，例如硅化的多晶硅迹线或者互连。
[0135]根据另一实施例，红外激光束可以具有在从大约Ι.Ομ--到大约1.4μπι的范围中的波长，例如大约1064nm，1080nm，或者1342nm的波长，然而其它波长也可以是可能的。
[0136]根据另一实施例，功能性区域可以包括至少一个电路结构或器件，例如垫(诸如金属垫)，互连，布线线路，电阻器(诸如金属电阻器)，电容器(诸如MIM电容器)，二极管，晶体
咎坐坐
目，寸寸ο
[0137]根据另一实施例，功能性区域可以包括前道工序(FEOL)层布置，例如包括一个或者多个导电层(诸如金属层)和/或一个或多个电绝缘层或介电层(诸如低k或者超低k介电层)。
[0138]根据另一实施例，激光束可以具有在从大约0.1W到大约0.5W的范围中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0139]根据另一实施例，半导体工件可以包括多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约10 μ m，例如根据另一实施例在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中，例如根据另一实施例为大约?ο μ m，然而根据其它实施例，间距的其它值(例如小于或者等于大约5μπι的间距或者大于大约ΙΟμπι的间距)也可以是可能的。根据另一实施例，所述多个激光熔丝可以例如以阵列(也被称作熔丝阵列或者激光熔丝阵列)或者组(也被称作熔丝组或者激光熔丝组)被配置或者布置。
[0140]根据另一实施例，所述半导体工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用红外激光束被切割。
[0141]根据另一实施例，可以使用与用于熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)相同的激光设备来实施切割。
[0142]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)之后实施切割所述晶片。
[0143]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)之前实施切割所述晶片。
[0144]根据一个或者多个实施例，用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供半导体工件，其具有定位成接近所述半导体工件的背面的衬底区域和定位成接近所述半导体工件的正面的功能性区域，至少一个激光熔丝位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面；使用聚焦到所述衬底区域和所述功能性区域之间的界面上的红外激光束照射所述半导体工件的背面，以熔化所述至少一个激光熔丝。
[0145]根据实施例，半导体工件可以包括或者可以是晶片。根据另一实施例，半导体工件可以包括或者可以是管芯。
[0146]根据实施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括复合半导体材料的其它半导体材料)或者由所述其它材料构成。
[0147]根据另一实施例，红外激光束可以被配置(或者施加)成使得在熔化所述至少一个激光熔丝之后，位于在所述至少一个激光熔丝上面或者上方的功能性区域中的结构的完整性被基本上保持。
[0148]根据另一实施例，所述至少一个激光熔丝可以包括硅化物或者由硅化物构成。
[0149]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约750°C，例如小于或者等于大约550°C，例如小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组。
[0150]根据另一实施例，所述硅化物可以选自硅化物的组，所述组由下述构成:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴，和硅化镍。
[0151]根据另一实施例，所述至少一个激光熔丝可以包括或者可以是多晶硅-硅化物(即，在多晶硅上形成的硅化物)，例如硅化的多晶硅图案，例如硅化的多晶硅迹线或者互连。
[0152]根据另一实施例，红外激光束可以具有在从大约Ι.Ομ--到大约1.4μπι的范围中的波长，例如大约1064nm，1080nm，或者1342nm的波长，然而其它波长也可以是可能的。
[0153]根据另一实施例，功能性区域可以包括至少一个电路结构或器件，例如垫(诸如金属垫)，互连，布线线路，电阻器(诸如金属电阻器)，电容器(诸如MIM电容器)，二极管，晶体
管等等。
[0154]根据另一实施例，功能性区域可以包括前道工序(FEOL)层布置，例如包括一个或者多个导电层(诸如金属层)和/或一个或多个电绝缘层或介电层(诸如低k或者超低k介电层)。
[0155]根据另一实施例，激光束可以具有在从大约0.1W到大约0.5W的范围中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0156]根据另一实施例，半导体工件可以包括位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面的多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约10 μ m，例如根据另一实施例在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中，例如根据另一实施例为大约10 μ m,然而根据其它实施例，其它间距(诸如小于大约5 μ m，或者大于大约ΙΟμπι)也可以是可能的。根据另一实施例，所述多个激光熔丝可以例如以阵列(也被称作熔丝阵列或者激光熔丝阵列)或者组(也被称作熔丝组或者激光熔丝组)被配置或者布置。
[0157]根据另一实施例，所述半导体工件可以包括或者可以是晶片，并且所述晶片可以使用红外激光束被切割。
[0158]根据另一实施例，可以使用与用于熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)相同的激光设备来实施切割。
[0159]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)之后实施切割所述晶片。
[0160]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)之前实施切割所述晶片。
[0161]根据一个或者多个实施例，用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供具有至少一个激光熔丝的晶片或者管芯，所述至少一个激光熔丝包括硅化物(或者由硅化物构成)；使用红外激光光线从所述晶片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一个激光熔丝的硅化物。
[0162]根据实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约750°C的激活温度的硅化物的组。
[0163]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约550°C的激活温度的硅化物的组。 [0164]根据另一实施例，所述硅化物可以选自具有小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组。
[0165]根据另一实施例，所述硅化物可以选自硅化物的组，所述组由下述构成:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴和硅化镍。
[0166]根据另一实施例，晶片或者管芯可以是硅晶片或者管芯，然而晶片或者管芯也可以包括其它材料(例如包括复合半导体材料的其它半导体材料)或者由所述其它材料构成。
[0167]根据另一实施例，所述激光光线可以被聚焦到硅晶片或者管芯的功能性区域和衬底区域之间的界面上。
[0168]根据另一实施例，红外激光光线可以具有在从大约Ι.Ομ--到大约1.4μπι的范围中的波长，例如大约1064nm，1080nm，或者1342nm的波长，然而其它波长也可以是可能的。
[0169]根据另一实施例，红外激光光线可以具有在从大约0.1W到大约0.5W的范围中的功率，然而其它值也可以是可能的。
[0170]根据另一实施例，晶片或者管芯可以包括位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面的多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约10 μ m，例如根据另一实施例在从大约5 μ m到大约10 μ m的范围中，例如根据另一实施例为大约lOym，然而根据其它实施例，其它间距(诸如小于大约5μπι，或者大于大约ΙΟμπι)也可以是可能的。根据另一实施例，所述多个激光熔丝可以例如以阵列(也被称作熔丝阵列或者激光熔丝阵列)或者组(也被称作熔丝组或者激光熔丝组)被配置或者布置。
[0171]根据另一实施例，提供晶片或者管芯可以包括提供晶片，并且所述晶片可以使用红外激光束被切割。
[0172]根据另一实施例，可以使用与用于熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)相同的激光设备来实施切割。
[0173]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)之后实施切割所述晶片。
[0174]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝(或者所述多个激光熔丝中的至少一个)之前实施切割所述晶片。
[0175]根据不同实施例，用于加工晶片的方法可以包括:提供具有至少一个激光熔丝的晶片；从晶片背面熔化所述至少一个激光熔丝；以及隐形切割所述晶片；其中熔化所述至少一个激光熔丝并且隐形切割所述晶片包括使用相同的红外激光。
[0176]根据实施例，所述至少一个激光熔丝可以包含硅化物(或者由硅化物构成)。
[0177]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝之后实施隐形切割所述晶片。
[0178]根据另一实施例，可以在熔化所述至少一个激光熔丝之前实施隐形切割所述晶片。
[0179]根据此处描述的一个或者多个实施例，所述方法可以被进一步配置。
[0180]根据一个或者多个实施例，用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供包括至少一个激光熔丝的半导体工件(例如晶片或者管芯)；并且利用红外激光束从所述半导体工件(诸如晶片或者管芯)的背面熔化所述至少一个激光熔丝。
[0181]根据一个或者多个实施例，用于熔化激光熔丝的方法可以包括:提供晶片或者管芯，其具有定位成接近晶片或者管芯的背面的衬底区域和定位成接近晶片或者管芯的正面的功能性区域，至少一个激光熔丝位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面；并且使用聚焦到衬底区域和功能性区域之间的界面上的红外激光束来照射所述晶片或者管芯的背面，以熔化所述至少一个激光熔丝。
[0182]虽然已经参照特定实施例特别地示出和描述了本发明，但是本领域技术人员应该理解可以在其中作出各种形式和细节方面的改变，而不会脱离如由所附权利要求限定的本发明的精神和范围。本发明的范围因此由所附权利要求表明，并且在权利要求的等同物的含义和范围内的所有改变因此旨在被包含。
【权利要求】
1.一种用于熔化激光熔丝的方法，所述方法包括:
提供包括衬底区域和至少一个激光熔丝的半导体工件； 利用红外激光束从所述衬底区域的背面熔化所述至少一个激光熔丝。
2.权利要求1的方法，其中所述衬底区域定位成接近所述工件的背面；并且 其中所述工件进一步包括定位成接近所述工件的正面的功能性区域； 其中所述至少一个激光熔丝位于所述衬底区域和所述功能性区域之间的界面处或接近所述衬底区域和所述功能性区域之间的界面；并且 其中所述红外激光束被聚焦在所述界面上。
3.权利要求2的方法，其中所述红外激光束被配置成使得在熔化所述至少一个激光熔丝之后，位于在所述至少一个激光熔丝上面或者上方的功能性区域中的结构的完整性被基本上保持。
4.权利要求1的方法,其中所述至少一个激光熔丝包括硅化物。
5.权利要求4的方法，其中所述硅化物是从具有小于或者等于大约750°C的激活温度的硅化物的组中选择的。
6.权利要求4的方法，其中所述硅化物是从具有小于或者等于大约550°C的激活温度的硅化物的组中选择的。
7.权利要求4的方法，其中所述硅化物是从具有小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组中选择的。
8.权利要求4的方法，其中所述硅化物是从硅化物的组中选择的，所述组包括:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴，和硅化镍。
9.权利要求1的方法,其中所述红外激光束具有在从大约1.0 μ m到大约1.4 μ m的范围中的波长。
10.权利要求1的方法，其中所述激光束具有在从大约0.1W到大约0.5W的范围中的功率。
11.权利要求1的方法，其中所述工件包括多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约?ο μπι。
12.权利要求1的方法，其中所述工件包括管芯。
13.权利要求1的方法，其中所述工件包括晶片。
14.权利要求13的方法，进一步包括:使用红外激光束切割所述晶片。
15.一种用于熔化激光熔丝的方法，所述方法包括: 提供半导体工件，其包括定位成接近所述半导体工件的背面的衬底区域和定位成接近所述半导体工件的正面的功能性区域，至少一个激光熔丝位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面； 使用聚焦在所述衬底区域和所述功能性区域之间的界面上的红外激光束照射所述半导体工件的背面，以熔化所述至少一个激光熔丝。
16.权利要求15的方法，其中所述红外激光束被配置成使得在熔化所述至少一个激光熔丝之后，位于在所述至少一个激光熔丝上面或者上方的功能性区域中的结构的完整性被基本上保持。
17.权利要求15的方法，其中所述至少一个激光熔丝包括硅化物。
18.权利要求17的方法，其中所述硅化物是从具有小于或者等于大约750°C的激活温度的硅化物的组中选择的。
19.权利要求17的方法，其中所述硅化物是从硅化物的组中选择的，所述组包括:硅化钨，硅化钥，硅化钛，硅化钴，和硅化镍。
20.权利要求15的方法，其中所述红外激光束具有在从大约1.0 μ m到大约1.4 μ m的范围中的波长。
21.权利要求15的方法，其中所述激光束具有在从大约0.1ff到大约0.5W的范围中的功率。
22.权利要求15的方法，其中所述半导体工件包括位于衬底区域和功能性区域之间的界面处或者接近衬底区域和功能性区域之间的界面的多个激光熔丝，所述多个激光熔丝的熔丝间距小于或者等于大约10 μπι。
23.权利要求15的方法，其中所述半导体工件包括管芯。
24.权利要求15的方法，其中所述所述半导体工件包括晶片。
25.权利要求24的方法，进一步包括:使用红外激光束切割所述晶片。
26.一种用于熔化激光熔丝的方法，所述方法包括: 提供包括至少一个激光熔丝的晶片或者管芯，所述激光熔丝包括硅化物； 使用红外激光光线从所述晶 片或者管芯的背面照射所述晶片或者管芯，以熔融所述至少一个激光熔丝的硅化物。
27.权利要求26的方法，其中所述硅化物是从具有小于或者等于大约750°C的激活温度的硅化物的组中选择的。
28.权利要求26的方法，其中所述硅化物是从具有小于或者等于大约550°C的激活温度的硅化物的组中选择的。
29.权利要求26的方法，其中所述硅化物是从具有小于或者等于大约350°C的激活温度的硅化物的组中选择。
30.权利要求26的方法，其中所述硅化物是从硅化物的组中选择的，所述组包括:硅化钛，硅化钴，和硅化镍。
31.权利要求26的方法，其中所述红外激光束具有在从大约1.Ομπι到大约1.4μπι的范围中的波长。
32.权利要求26的方法，其中所述红外激光光线具有在从大约0.1ff到大约0.5W的范围中的功率。
33.一种用于加工晶片的方法，所述方法包括: 提供具有至少一个激光熔丝的晶片； 从晶片背面熔化所述至少一个激光熔丝；以及 隐形切割所述晶片； 其中使用相同的红外激光来实施熔化所述至少一个激光熔丝以及隐形切割所述晶片。
34.权利要求33的方法，其中所述至少一个激光熔丝包括硅化物。
【文档编号】H01L21/60GK103632990SQ201310378510
【公开日】2014年3月12日 申请日期:2013年8月27日 优先权日:2012年8月27日
【发明者】G.莱希克, G.马克 申请人:英飞凌科技股份有限公司