一种正装倒置芯片的制备方法

文档序号:7054371阅读:178来源:国知局
一种正装倒置芯片的制备方法
【专利摘要】本发明涉及LED封装【技术领域】,具体地说是一种正装倒置芯片的制备方法,选取外延片,在外延片表面涂布光刻胶,对外延片进行光罩破光,去除外延片表面电极点的光刻胶,在外延片表面电极点处印刷锡膏并将锡膏熔花成锡球,将若干个锡球表面磨平,使若干个锡球的高度相同,将外延片表面剩余的光刻胶全部去除,将外延片减薄,将外延片切割并裂片,形成若干块芯片。本发明同现有技术相比,设计了正装倒置芯片的制备方法,先在外延片上光罩破光,再植锡球并磨成相同高度,最后对外延片进行减薄、切割和裂片,在后续芯片与基板表面的印刷电路焊接时,保证了锡球能够分别与芯片电极和印刷电路连接,从而提高了芯片与印刷电路的导通性。
【专利说明】一种正装倒置芯片的制备方法

【技术领域】
[0001] 本发明涉及LED封装【技术领域】,具体地说是一种正装倒置芯片的制备方法。

【背景技术】
[0002] 目前,常见的LED灯丝内部的芯片有两种,一种是正装芯片,另一种是倒装芯片。 正装芯片电极在上方,从上至下材料为:P电极,发光层,N电极,衬底。正装芯片一般采用胶 水固定,正装芯片之间采用连接线相互连接,正装芯片是最早出现的芯片结构,正装芯片的 电极挤占发光面积,从而影响了发光效率。
[0003] 为了提高芯片的发光效率,技术人员研发了倒装芯片。倒装芯片的衬底被剥去, 芯片材料是透明的,使发光层激发出的光直接从电极的另一面发出。倒装芯片虽然在发光 效率上存在优势,但倒装芯片的价格较高,制备LED灯丝的工艺也更复杂,造成生产成本的 大幅上升。
[0004] 目前,市面上一些已有的正装倒置芯片的LED灯丝制备方法,都是将锡膏涂覆在 电线上,然后再将芯片的电极点贴附到锡膏上,由于芯片的电极点于芯片的背面且尺寸较 小,在贴附时,很容易发生锡膏与电极点未接触的情况,从而导致芯片与电路之间无法导 通,进而导致LED灯丝出现次品,依然使生产成本难以降低。
[0005] 因此,需要设计一种能够提高芯片与印刷电路之间的导通率的正装倒置芯片的制 备方法。


【发明内容】

[0006] 本发明的目的是克服现有技术的不足,提供了一种能够提高芯片与印刷电路之间 的导通率的正装倒置芯片的制备方法。
[0007] 为了达到上述目的,本发明设计了一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:按 照如下步骤制备: 步骤1,选取外延片,在外延片表面涂布光刻胶。
[0008] 步骤2,对外延片进行光罩破光。
[0009] 步骤3,去除外延片表面电极点的光刻胶。
[0010] 步骤4 ;在外延片表面电极点处印刷锡膏并将锡膏熔花成锡球。
[0011] 步骤5,将若干个锡球表面磨平,使若干个锡球的高度相同。
[0012] 步骤6,将外延片表面剩余的光刻胶全部去除。
[0013] 步骤7,将外延片减薄。
[0014] 步骤8,将外延片切割并裂片,形成若干块芯片。
[0015] 所述的将锡膏熔化成锡球的方法为用高于锡熔点的温度加热锡膏并回流成锡球。
[0016] 所述的外延片为蓝宝石外延片。
[〇〇17] 所述的光刻胶采用匀胶机涂布在外延片表面,所述的光刻胶的厚度为20微米以 上。
【权利要求】
1. 一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:按照如下步骤制备:步骤1,选取外延 片,在外延片表面涂布光刻胶;步骤2,对外延片进行光罩破光;步骤3,去除外延片表面 电极点的光刻胶;步骤4 ;在外延片表面电极点处印刷锡膏并将锡膏熔化成锡球;步骤 5,将若干个锡球表面磨平,使若干个锡球的高度相同;步骤6,将外延片表面剩余的光刻 胶全部去除;步骤7,将外延片减薄;步骤8,将外延片切割并裂片,形成若干块芯片。
2. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的将锡膏 熔化成锡球的方法为用高于锡熔点的温度加热锡膏并回流成锡球。
3. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的外延片 为蓝宝石外延片。
4. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的光刻胶 采用匀胶机涂布在外延片表面,所述的光刻胶的厚度为10微米以上。
5. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的光罩破 光米用光刻机在外延片表面形成图案。
6. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的锡球表 面磨平采用研磨机。
7. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的外延片 减薄采用研磨机。
8. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的外延片 减薄至l〇〇um。
9. 根据权利要求1所述的一种正装倒置芯片的制备方法,其特征在于:所述的外延片 切割采用激光切割。
【文档编号】H01L33/62GK104091865SQ201410357717
【公开日】2014年10月8日 申请日期:2014年7月25日 优先权日:2014年7月25日
【发明者】胡溢文 申请人:胡溢文
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