一种芯片封装结构及其制备方法
【专利摘要】本发明涉及半导体技术领域，具体涉及一种芯片封装结构及其制备方法。一种芯片封装结构，包括，一引线框架体，引线框架体上包括：凹形基片，用于承载芯片；复数个引脚，位于凹形基片的外围，每一引脚通过一金属电极与芯片的输入输出焊接点连接。本发明通过设计固定芯片的凹形基片，在芯片和基片上表面沉积绝缘层并制作金属电极以连接基片和芯片，实现芯片封装，本发明采用金属电极代替金属引线，避免了金属引线短路、塌陷等问题，提高了封装良率，有利于降低芯片封装成本。
【专利说明】
一种芯片封装结构及其制备方法
技术领域
[0001]本发明涉及电子技术领域，具体涉及一种芯片封装结构及其制备方法。
【背景技术】
[0002]引线框架型封装结构是集成电路封装的一种主要形式，现有技术的引线框架型封装结构如图1所示，包括封装体1，与外部连接的引脚4，封装体I内包括基座2、芯片3，芯片3粘接于基座2上，与引脚4通过金属引线5连接；其中，金属引线5通过金属线互连芯片3的输入输出焊接点与引脚内腿，然而这种引线键合工艺容易存在焊球缺陷，金线变形，塌陷等问题，影响封装合格率。
【发明内容】
[0003]本发明的目的在于，提供一种芯片封装结构，解决以上技术问题；
[0004]本发明的目的还在于，提供一种芯片封装结构的制备方法，解决以上技术问题。
[0005]本发明所解决的技术问题可以采用以下技术方案来实现:
[0006]—种芯片封装结构，其中，包括，
[0007]一引线框架体，所述引线框架体上包括:
[0008]凹形基片，用于承载芯片；
[0009]复数个引脚，位于所述凹形基片的外围，每一所述引脚通过一金属电极与芯片的输入输出焊接点连接。
[0010]本发明通过设计固定芯片的凹形基片，采用金属电极代替金属引线，实现芯片的输入输出焊接点与每一引脚的连接，避免了金属引线短路、塌陷等问题。
[0011]本发明的芯片封装结构，每一引脚包括第一部和第二部，所述第一部用于与外部印制电路板连接，所述第二部通过所述金属电极连接所述芯片的输入输出焊接点。
[0012]本发明的芯片封装结构，所述凹形基片的凹陷深度大于所述芯片的厚度。
[0013]本发明的芯片封装结构，所述芯片与所述凹形基片底部之间设有粘接薄膜层，所述粘接薄膜层的厚度与所述芯片的厚度之和等于所述凹形基片的凹陷深度。
[0014]本发明的芯片封装结构，所述凹形基片的底部沿所述封装结构的下表面设置。
[0015]本发明还提供一种芯片封装结构的制备方法，用于制备上述的芯片封装结构，包括以下步骤:
[0016]步骤1，通过半导体工艺形成一具有凹形基片的引线框架体，所述引线框架体上分布复数个引脚；
[0017]步骤2，通过一预定工艺将芯片固定于所述凹形基片中，所述芯片的边缘与所述凹形基片的侧壁之间形成间隙；
[0018]步骤3，于所述间隙中沉积绝缘层；
[0019]步骤4，于所述芯片和所述凹形基片的上表面沉积多个金属电极，每一金属电极用于连接所述芯片的输入输出焊接点与一所述引脚；
[0020]步骤5，采用封装材料封装。
[0021]本发明的半导体器件的封装方法，步骤2中所述芯片通过粘合或焊接的方式连接于所述凹形基片上。
[0022]有益效果:由于采用以上技术方案，本发明通过设计固定芯片的凹形基片，利用绝缘层填充基片与芯片间隙，在芯片和基片上表面沉积绝缘层并制作金属电极以连接基片和芯片，实现芯片封装。采用金属电极代替金属引线，避免了金属引线短路、塌陷等问题，提高了封装良率，有利于降低芯片封装成本。
【附图说明】
[0023]图1为现有技术的引线框架封装结构示意图；
[0024]图2为本发明的封装结构示意图；
[0025]图3为本发明的封装流程示意图；
[0026]图4为本发明的封装结构俯视图。
【具体实施方式】
[0027]下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
[0028]需要说明的是，在不冲突的情况下，本发明中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0029]下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。
[0030]参照图2，一种芯片封装结构，其中，包括，
[0031]一引线框架体，引线框架体上包括:
[0032]凹形基片11a，用于承载芯片2a ;
[0033]复数个引脚4a，位于凹形基片I Ia的外围，每一引脚4a通过一金属电极5a与芯片2a的输入输出焊接点连接。
[0034]本发明通过设计固定芯片的凹形基片，采用金属电极代替金属引线，实现芯片的输入输出焊接点与每一引脚的连接，避免了金属引线短路、塌陷等问题。
[0035]本发明的芯片封装结构，每一引脚包括第一部和第二部，第一部与外部印制电路板连接，第二部通过金属电极5a连接芯片2a的输入输出焊接点。
[0036]本发明的芯片封装结构，凹形基片Ila的凹陷深度大于芯片2a的厚度。
[0037]本发明的芯片封装结构，芯片2a与凹形基片Ila底部之间设有粘接薄膜层6a，粘接薄膜层6a的厚度与芯片2a的厚度之和等于凹形基片Ila的深度。
[0038]本发明的芯片封装结构，凹形基片Ila的底部沿封装结构的表面设置。可以增加芯片与外部的散热面积，有利于提升芯片封装结构的热性能。
[0039]本发明的芯片封装结构，形成金属电极5a后，通过封装材料7a封装以得到本发明的芯片封装结构。
[0040]本发明还提供一种芯片封装结构的封装方法，用于制备上述的芯片封装结构，包括以下步骤:
[0041]步骤1，通过半导体工艺形成一具有凹形基片的引线框架体，引线框架体上分布复数个引脚；
[0042]步骤2，通过一预定工艺将芯片固定于凹形基片中，芯片的边缘与凹形基片的侧壁之间形成间隙；
[0043]步骤3，于间隙中沉积绝缘层；
[0044]步骤4，于芯片和凹形基片的上表面沉积多个金属电极，每一金属电极用于连接芯片的输入输出焊接点与一引脚；
[0045]步骤5，采用封装材料封装。
[0046]具体步骤，参照图3所示，将芯片粘接于凹形基片中，可以采用银浆在常温下将芯片与凹形基片粘接，再加热固化处理，或者Au-Si合金焊接法等其他焊接方法；步骤si中，芯片与凹形基片之间的粘接薄膜层的高度应使得芯片粘接后上表面与凹形基片的侧壁齐平;
[0047]步骤s2，于芯片和凹形基片的侧壁之间的间隙中沉积绝缘层；
[0048]步骤S3，于芯片的第一设定位置处与相对应的引脚之间沉积第一金属电极；
[0049]步骤s4，于芯片的第二设定位置处与相对应的引脚之间沉积第二金属电极；
[0050]依据引脚的数量，会包含多次沉积步骤，实现芯片的输入输出焊接点与相对应的引脚，在此不做赘述。
[0051]步骤s5，于金属电极之间沉积绝缘层。并于步骤s5之后，采用封装材料封装。
[0052]本发明采用金属电极代替金属引线，避免了金属引线短路、塌陷等问题，提高了封装良率，有利于降低芯片封装成本。
[0053]以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的实施方式及保护范围，对于本领域技术人员而言，应当能够意识到凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等同替换和显而易见的变化所得到的方案，均应当包含在本发明的保护范围内。
【主权项】
1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括， 一引线框架体，所述引线框架体上包括: 凹形基片，用于承载芯片； 复数个引脚，位于所述凹形基片的外围，每一所述引脚通过一金属电极与芯片的输入输出焊接点连接。2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，每一引脚包括第一部和第二部，所述第一部用于与外部印制电路板连接，所述第二部通过所述金属电极连接所述芯片的输入输出焊接点。3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述凹形基片的凹陷深度大于所述芯片的厚度。4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述芯片与所述凹形基片底部之间设有粘接薄膜层，所述粘接薄膜层的厚度与所述芯片的厚度之和等于所述凹形基片的凹陷深度。5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述凹形基片的底部沿所述封装结构的下表面设置。6.一种芯片封装结构的制备方法，其特征在于，用于制备权利要求1至5任意一项所述的芯片封装结构，包括以下步骤: 步骤1，通过半导体工艺形成一具有凹形基片的引线框架体，所述引线框架体上分布复数个引脚； 步骤2，通过一预定工艺将芯片固定于所述凹形基片中，所述芯片的边缘与所述凹形基片的侧壁之间形成间隙； 步骤3，于所述间隙中沉积绝缘层； 步骤4，于所述芯片和所述凹形基片的上表面沉积多个金属电极，每一金属电极用于连接所述芯片的输入输出焊接点与一所述引脚； 步骤5，采用封装材料封装。7.根据权利要求6所述的芯片封装结构的制备方法，其特征在于，步骤2中所述芯片通过粘接或焊接的方式连接于所述凹形基片上。
【文档编号】H01L23/495GK105990298SQ201510064082
【公开日】2016年10月5日
【申请日】2015年2月6日
【发明人】朱小荣
【申请人】展讯通信（上海）有限公司