一种低损耗高稳定性高互调双频4g合路器的制造方法

文档序号:7055329阅读:287来源:国知局
一种低损耗高稳定性高互调双频4g合路器的制造方法
【专利摘要】本发明公开了一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,包括有腔体和盖板,在腔体的左侧安装有天线端口N型连接器,在腔体的右侧安装有GSM/DCS端口N型连接器和TDA/TDF/LTE端口N型连接器,在腔体的内壁镀有银层,在腔体内部安装有带外杂散信号控制元件和多个大功率调谐电容,所述的天线端口N型连接器、GSM/DCS端口N型连接器和TDA/TDF/LTE端口N型连接器通过输入输出传输线与腔体内部的大功率调谐电容连接。本发明具有损耗小、高互调、功率容量高、外型尺寸小、设计美观、信号专输通畅、安装维护方便等诸多优点。
【专利说明】一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器

【技术领域】
[0001]本发明涉及电子通讯【技术领域】,尤其涉及一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器。

【背景技术】
[0002]无线通信技术经过多年的发展,已经从GSM时代进入3G时代,而未来更先进的4G网络已经具有可实用化的技术,在国内亦有试点,现有各类天线以及收发信机输入口的不是低损耗、高互调、选择性合路器都还是采用立体型的辐射结构和多腔谐振结构,体积庞大,结构复杂,加工困难,已成为无线通信产品微型化的主要障碍:其主要原因是它所依据的辐射转换空间和频率谐振空间是电解质常数接近于1,损耗最小的自由空气。开拓各种不同规格的解电常数并加以控制,而且解质损耗更低的新型材料代替自由空气,是实现天线和滤波器平面化、微型化和智能化的主要技术途径。


【发明内容】

[0003]本发明目的就是为了弥补已有技术的缺陷,提供一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器。
[0004]本发明是通过以下技术方案实现的:
一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,包括有腔体和盖板,在腔体的左侧安装有天线端口 N型连接器,在腔体的右侧安装有GSM/DCS端口 N型连接器和TDA/TDF/LTE端口N型连接器,在腔体的内壁镀有银层,在腔体内部安装有带外杂散信号控制元件和多个大功率调谐电容,所述的天线端口 N型连接器、GSM/DCS端口 N型连接器和TDA/TDF/LTE端口 N型连接器通过输入输出传输线与腔体内部的大功率调谐电容连接。
[0005]所述的腔体的材料为铝;所述的大功率调谐电容材料为易车铁;所述的带外杂散信号控制元件的材料为铜,且表面镀银。
[0006]所述的腔体内壁的镀银层厚度为⑶3/Ag8。
[0007]本发明的优点是:本发明主要用于通信系统收发信号滤波器件,同时可实现将要广泛应用的GSM/DCS/TDA/TDF和LTE系统信号,既可当单个滤波模块使用又可当合路器使用,高互调低损耗双频合路器耐气候性,内部采用大功率谐振电容并采用温普效应,材料为易车铁高温工作环境可达85°C,低温工作环境可达_40°C,平均功率为53dBm峰值功率可达59dBm,主要具有损耗小、高互调、功率容量高、外型尺寸小、设计美观、信号专输通畅、安装维护方便等诸多优点。

【专利附图】

【附图说明】
[0008]图1为本发明的结构示意图。

【具体实施方式】
[0009]如图1所示,一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,包括有腔体I和盖板,在腔体I的左侧安装有天线端口 N型连接器2,在腔体I的右侧安装有GSM/DCS端口 N型连接器3和TDA/TDF/LTE端口 N型连接器4,在腔体I的内壁镀有银层5,在腔体I内部安装有带外杂散信号控制元件6和多个大功率调谐电容7,所述的天线端口 N型连接器2、GSM/DCS端口 N型连接器3和TDA/TDF/LTE端口 N型连接器4通过输入输出传输线8与腔体I内部的大功率调谐电容7连接。
[0010]所述的腔体I的材料为铝;所述的大功率调谐电容7材料为易车铁;所述的带外杂散信号控制元件6的材料为铜,且表面镀银。
[0011]所述的腔体I内壁的镀银层厚度为⑶3/Ag8。
【权利要求】
1.一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,其特征在于:包括有腔体和盖板,在腔体的左侧安装有天线端口 N型连接器,在腔体的右侧安装有GSM/DCS端口 N型连接器和TDA/TDF/LTE端口 N型连接器,在腔体的内壁镀有银层,在腔体内部安装有带外杂散信号控制元件和多个大功率调谐电容,所述的天线端口 N型连接器、GSM/DCS端口 N型连接器和TDA/TDF/LTE端口 N型连接器通过输入输出传输线与腔体内部的大功率调谐电容连接。
2.根据权利要求1所述的一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,其特征在于:所述的腔体的材料为铝;所述的大功率调谐电容材料为易车铁;所述的带外杂散信号控制元件的材料为铜,且表面镀银。
3.根据权利要求1所述的一种低损耗高稳定性高互调双频4G合路器,其特征在于:所述的腔体内壁的镀银层厚度为CU3/Ag8。
【文档编号】H01P1/213GK104167582SQ201410387137
【公开日】2014年11月26日 申请日期:2014年8月7日 优先权日:2014年8月7日
【发明者】董后友 申请人:董后友
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