Cmp抛光垫中的渗透式开凹槽的制作方法
【专利摘要】本发明涉及一种CMP抛光垫中的渗透式开凹槽。一种用于抛光半导体晶片或其它材料的抛光垫(104a)，在所述抛光垫中具有凹槽(112)以增强所述抛光垫的可使用寿命。
【专利说明】CMP抛光垫中的渗透式开凹槽
【技术领域】
[0001]本发明一般来说涉及化学机械抛光(CMP)的领域。更明确地说，本发明涉及经布置以改进抛光垫寿命的具有凹槽的CMP抛光垫。
【背景技术】
[0002]在集成电路及其它电子装置的制作中，将导电材料、半导电材料及电介质材料的多个层沉积到半导体晶片的表面上并从半导体晶片的表面移除。导电材料、半导电材料及电介质材料的薄层可使用若干种沉积技术而沉积。现代晶片处理中的常见沉积技术包含物理气相沉积(PVD)(也称为溅镀)、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)及电化学镀敷以及其它技术。常见移除技术包含湿法及干法各向同性及各向异性蚀刻以及其它技术。
[0003]在依序沉积及移除材料层时，晶片的最上部表面为非平面的。由于后续半导体处理(例如，金属化)需要晶片具有扁平表面，因此需要将晶片平面化。平面化对于移除不期望表面形貌及表面缺陷(例如粗糙表面、经凝聚材料、晶体晶格损坏、刮痕及污染层或材料)是有用的。
[0004]化学机械平面化或化学机械抛光(CMP)是用于使工件(例如半导体晶片)平面化的常见技术。在常规CMP中，晶片载体或抛光头安装于载体组合件上。抛光头固持晶片且将与抛光垫的抛光层接触的晶片定位于CMP设备内。载体组合件在晶片与抛光垫之间提供可控制压力。与此同时，浆料或其它抛光媒质流到抛光垫上且流到晶片与抛光层之间的间隙中。为实现抛光，使抛光垫及晶片相对于彼此移动(通常旋转)。晶片表面通过表面上的抛光层及抛光媒质的化学及机械行为而抛光且制成为平面的。当抛光垫在晶片下方旋转时，晶片扫掠通常环形抛光轨迹或抛光区域，其中晶片表面直接面对抛光层。
[0005]在设计抛光层中的重要考虑因素包含抛光媒质跨越抛光层的面的分布、新鲜抛光媒质到抛光轨迹中的流动、经使用抛光媒质从抛光轨迹的流动及流动穿过基本上未利用的抛光区的抛光媒质的量以及其它因素。解决这些考虑因素的一种方式是提供具有凹槽的抛光层。多年来，已实施相当多的不同凹槽图案及配置。现有技术凹槽图案包含径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机及螺旋形图案以及其它图案。现有技术凹槽配置包含其中所有凹槽的深度在所有凹槽当中均是均匀的配置及其中凹槽的深度从一个凹槽到另一凹槽变化的配置。
[0006]CMP从业者当中普遍认为，为实现相当的材料移除率，一些凹槽图案及深度与其它凹槽图案及深度相比导致较高浆料消耗及较短抛光垫寿命。不连接到抛光层的外周边的圆形凹槽往往消耗比径向凹槽少的浆料，所述径向凹槽提供用于浆料在由垫的旋转产生的离心力下到达垫周界的最短可能路径。提供到抛光层的外周边的各种长度的路径的笛卡尔网格的凹槽保持中间位置。
[0007]现有技术中已揭示试图减少浆料消耗且使抛光层上的浆料保留时间最大化的各种凹槽图案。举例来说，颁予奥斯特黑尔德(Osterheld)等人的美国专利第6，241，596号揭示具有界定之字形通道的凹槽的旋转型抛光垫，所述之字形通道通常从垫的中心向外发散。在一个实施例中，奥斯特黑尔德等人的垫包含矩形“χ-y”网格的凹槽。之字形通道通过阻挡X方向凹槽及y方向凹槽之间的相交点中的选定者而留下其它相交点未被阻挡来界定。在另一实施例中，奥斯特黑尔德等人的垫包含多个离散的大体径向之字形凹槽。通常，χ-y网格的凹槽内的或由离散之字形凹槽界定的之字形通道至少相对于无阻碍矩形χ-y网格的凹槽及直径向凹槽而抑制浆料流动穿过对应凹槽。已描述为提供经增加浆料保留时间的另一现有技术凹槽图案是假设在垫旋转力下朝向抛光层的中心推动浆料的螺旋形凹槽图案。
[0008]消耗品是在CMP处理中的最高成本。仅次于浆料的选择为CPM抛光垫，所述CPM抛光垫在所述垫磨损达将折损抛光工艺的程度时被替换。需要一种优于当前抛光垫的具有延长的寿命的抛光垫。
【发明内容】
[0009]以下呈现简化概要，以便提供对本发明的一或多个方面的基本理解。此概要并非本发明的扩展概述，且既不打算识别本发明的关键性或决定性元素，也不打算描写其范围。而是，所述概要的主要目的是以简化形式呈现本发明的一些概念，以作为稍后所呈现的较详细说明的前言。
[0010]根据本发明的实施例，提供一种CMP抛光垫。所述CMP抛光垫包括:CMP抛光层，其包含经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面的抛光垫，所述抛光层包含旋转轴、外周边及与所述旋转轴同心的环形抛光轨迹，其中所述抛光垫具有顶部表面、底部表面及厚度；多个凹槽，其形成于所述抛光垫中，包括完全位于所述抛光垫内的第一及第二组凹槽；位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达所述抛光垫厚度的至少50% ;且所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少50% ;且其中所述第一组凹槽位于内部端之间并在所述内部端处交错而所述第一组凹槽与所述第二组凹槽之间不具有任何相交点，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
[0011]根据本发明的另一实施例，提供一种CMP抛光垫。所述CMP抛光垫包括:CMP抛光层，其包含经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面的抛光垫，所述抛光层包含旋转轴、外周边及与所述旋转轴同心的环形抛光轨迹，其中所述抛光垫具有顶部表面、底部表面及厚度；多个凹槽，其形成于所述抛光垫中，包括完全位于所述抛光垫内的第一、第二及第三组凹槽；位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达所述抛光垫厚度的至少37% ;所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少37% ;且其中所述第一组凹槽经定位而在内部端处与所述第二组凹槽直接对准；且所述第三组凹槽居中于所述抛光垫的所述顶部表面与所述抛光垫的所述底部表面之间且位于所述第一及第二凹槽的所述经对准内部端之间并与所述经对准内部端交错，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
[0012]根据本发明的进一步实施例，提供一种抛光垫。所述抛光垫包括:抛光层，其经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面，所述抛光层包含:旋转轴；外周边；环形抛光轨迹，其与所述旋转轴同心；及周边区域，其位于所述环形抛光轨迹与所述外周边之间；及多个凹槽，其形成于具有顶部及底部表面的所述抛光层中且包括:形成于所述抛光垫中的所述多个凹槽，其包括完全位于所述抛光垫内的第一及第二组凹槽；位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达抛光垫厚度的至少50% ;且所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少50% ;且其中所述第一组凹槽位于内部端之间并在所述内部端处交错而所述第一组凹槽与所述第二组凹槽之间不具有任何相交点，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
[0013]根据本发明的进一步实施例，提供一种抛光垫。所述抛光垫包括:抛光层，其经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面，所述抛光层包含:旋转轴；外周边；环形抛光轨迹，其与所述旋转轴同心；及周边区域，其位于所述环形抛光轨迹与所述外周边之间；及多个凹槽，其形成于具有顶部及底部表面的所述抛光层中且包括:形成于所述抛光垫中的所述多个凹槽，其包括完全位于所述抛光垫内的第一、第二及第三组凹槽；位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达抛光垫厚度的至少37% ;所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少37% ;且其中所述第一组凹槽经定位而在内部端处与所述第二组凹槽直接对准；且所述第三组凹槽居中于所述抛光垫的所述顶部表面与所述抛光垫的所述底部表面之间且位于所述第一及第二凹槽的所述经对准内部端之间并与所述经对准内部端交错，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
【专利附图】
【附图说明】
[0014]图1是本发明的化学机械抛光(CMP)系统的部分透视图；
[0015]图2是图1的抛光垫的平面图；
[0016]图3是本发明的典型抛光垫的图解；
[0017]图3a是经磨损达已折损抛光工艺的程度的典型抛光垫的图解；
[0018]图4及5展示根据本发明的实施例的抛光垫的横截面。
[0019]在图式中，相似元件符号有时用以标示相似结构元件。还应了解，各图中的描绘为示意性的且并非按比例绘制。
【具体实施方式】
[0020]参考附图描述本发明。所述各图未按比例绘制且其仅为图解说明本发明而提供。下文参考用于图解的实例应用来描述本发明的几个方面。应理解，众多特定细节、关系及方法经陈述以提供对本发明的理解。然而，所属领域的技术人员将易于认识到，可在不具有特定细节中的一或多者的情况下或借助其它方法来实践本发明。在其它例子中，未详细展示众所周知的结构或操作以避免使本发明模糊。本发明不限于动作或事件的所图解说明次序，因为一些动作可以不同次序发生及/或与其它动作或事件同时发生。此外，未必需要所有所图解说明动作或事件来实施根据本发明的方法。
[0021]现在参考图式，根据本发明，图1展示化学机械抛光(CMP)系统，其通常由编号100表示。CMP系统100包含具有抛光层108的抛光垫104，所述抛光层包含经布置且经配置用于改进在半导体晶片120或其它工件(例如玻璃、硅晶片及磁性信息存储盘以及其它)的抛光期间施加到抛光垫的抛光媒质116的利用的多个凹槽112。为方便起见，以下在说明中使用术语“晶片”。然而，所属领域的技术人员将了解，除晶片之外的工件也在本发明的范围内。下文详细描述抛光垫104及其独特特征。
[0022]CMP系统100可包含可通过压板驱动器(未展示)关于轴128旋转的抛光压板124。压板124可具有其上安装抛光垫104的上部表面。可关于轴136旋转的晶片载体132可支撑于抛光层108上方。晶片载体132可具有啮合晶片120的下部表面。晶片120具有面对抛光层108且在抛光期间被平面化的表面140。晶片载体132可由经调适以旋转晶片载体132及所附接晶片120的载体支撑组合件(未展示)支撑且提供向下力F以抵靠抛光层108按压晶片表面140，使得在抛光期间在晶片与抛光层之间存在所要压力。
[0023]CMP系统100还可包含用于将抛光媒质116供应到抛光层108的供应系统。供应系统可包含盛装抛光媒质116的容器(未展不)，例如，温度控制的容器。导管148可将抛光媒质116从容器载运到邻近抛光垫104的位置，在此处，抛光媒质被施配到抛光层108上。流量控制阀(未展示)可用于控制抛光媒质116到垫104上的施配。
[0024]在抛光操作期间，压板驱动器旋转压板124及抛光垫104，且供应系统经激活以将抛光媒质116施配到旋转的抛光垫上。抛光媒质116因由抛光垫104的旋转导致的离心力而散布在抛光层108内，包含晶片120与抛光垫104之间的间隙。晶片载体132可以选定速度(例如，Orpm到150rpm)旋转,使得晶片表面140相对于抛光层108而移动。晶片载体132还可经控制以提供向下力F以便在晶片120与抛光垫104之间诱发所要压力，例如，Opsi到15psi。抛光压板124通常以O到150rpm的速度旋转。当抛光垫104在晶片120下方旋转时，晶片的表面140在抛光层108上扫掠通常环形晶片轨迹或抛光轨迹152。
[0025]注意，在一些情况下，抛光轨迹152可不为严格环形。举例来说，如果晶片120的表面140沿一个维度比另一维度长，且晶片及抛光垫104以特定速度旋转，使得这些维度始终以相同方式定向，那么152将为大体环形的，但具有从较长维度到较短维度变化的宽度。如果晶片120的表面140是双轴对称的(如同圆或方形形状)，但晶片相对于所述表面的旋转中心偏离中心地安装，那么在特定旋转速度下将发生类似效应。抛光轨迹152何时将不为完全环形的又一实例是在晶片120沿平行于抛光层108的平面振荡且抛光垫104以使得晶片由于相对于抛光层的振荡所致的位置在垫的每一转上相同的速度旋转时。在通常为异常的所有这些情形中，抛光轨迹152本质上仍为环形，使得其视为属于术语“环形”的涵盖范围内。
[0026]图2较详细地图解说明图1的抛光垫104。螺旋形凹槽112仅出于图解目的而布置于抛光轨迹152内。凹槽可为径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机或螺旋形图案以及其它图案，使得其相对于抛光垫104的旋转本质沿径向方向156及圆周方向两者彼此间隔开。在抛光期间，当晶片120(例如)沿旋转方向166与抛光垫104以面对关系旋转时，抛光媒质(例如，图1的抛光媒质116)主要仅在晶片120的影响下在抛光轨迹152内的凹槽间移动(由箭头164图解说明)。由于抛光媒质通常仅在存在晶片120时移动，因此抛光媒质往往借助具有不间断地延伸穿过抛光轨迹的凹槽的常规垫而较高效地利用。这是因为抛光媒质通常在垫的旋转的离心影响下沿这些不间断凹槽流动穿过抛光轨迹，而不管是否存在晶片。
[0027]除凹槽112彼此径向地且圆周地间隔开之外，还期望每一凹槽的纵向轴168的至少一部分相对于抛光垫104非圆周地定向。换句话说，期望凹槽112的纵向轴168不仅是与抛光垫104的旋转轴128同心的圆弧。假设在抛光垫104因由旋转导致的离心力的效应而旋转时，此些凹槽112可促进抛光媒质的流动。在本实例中，凹槽112通常为螺旋形弧，且因此沿着其整个长度为非圆周的。在本发明的一些(但未必所有)凹槽布置中，期望沿着连接每一凹槽端点的直线在所述端点之间的距离小于正抛光的衬底的表面的延伸穿过所述表面的旋转中心的最小尺寸。举例来说，对于关于其同心中心旋转的圆形表面，使用此准则的每一凹槽的端点之间的直线距离将为小于表面的直径的值。另一方面，对于具有长度L的长侧及长度S的短侧的矩形，在此准则下，凹槽的端点之间的直线距离将为小于短侧长度S的值。
[0028]凹槽112还可包含部分地位于抛光层108的中心区域176中的子组172，从抛光轨迹152径向向内且部分地位于抛光轨迹中。凹槽112的此子组172在(例如)抛光系统(例如图1的CMP系统100，其中抛光媒质被施配到中心区域176中)的上下文中对于增强抛光媒质从中心区域到抛光轨迹152的流动是有用的。另外，凹槽112可包含从抛光轨迹152延伸到从抛光轨迹径向向外的周边区域184 (如果有)的凹槽子组180。如果需要，子组180中的凹槽112还可延伸到抛光垫104的周边边缘188。凹槽112的子组180对于(例如)增强抛光媒质从抛光轨迹152向外的流动是有用的。
[0029]一般来说，CMP工艺使用可与子垫咬合的介于80%。到120%。英寸(密耳)的范围内的薄抛光垫。凹槽被制造到垫中，提供用于新鲜浆料的递送路径及用于工艺废液的排出路径，其中所述凹槽可通过激光或通过机械手段而加工。当垫磨薄且凹槽变浅时，递送路径及排出路径受折损，从而导致较低移除率，因此降低处理量。浅垫凹槽可造成其它问题，例如增加的缺陷性及增加的不均匀性。
[0030]CMP抛光垫通常为圆盘。抛光垫通常由选自由以下各项组成的群组的材料构成:聚氨酯、聚碳酸酯、尼龙、丙烯酸聚合物或聚酯。CMP抛光垫可或可不具有子垫。
[0031]如从图3将易于明了，凹槽112可具有各种各样的布置及配置中的任一者。此处，凹槽的深度展示为约等于垫厚度的37.5%或在80密耳垫中为30密耳，其中凹槽的横截面形状为矩形。虽然这些代表优选实施例，但凹槽的深度及其横截面形状两者可与图不同，且在给定垫内可变化。抛光垫凹槽可介于14密耳与30密耳宽之间，且凹槽的形状可为矩形。
[0032]凹槽的形貌表面布置可取决于处理装备及正抛光的材料而变化。表面图案可选自由以下各项组成的群组:径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机或螺旋形图案。
[0033]当抛光垫磨薄且凹槽变浅时，如图3a中所展示，递送路径及排出路径受折损，从而导致较低移除率，因此降低处理量。浅垫凹槽可造成其它问题，例如增加的缺陷性及增加的不均匀性。通常，在剩余最小5密耳的凹槽112时，必须替换抛光垫。
[0034]然而，在图2中，凹槽112端对端地布置于群组192中，使得每一群组中的凹槽沿着对应平滑路径(在此情形中，从中心区域176延伸的螺旋形路径194)延伸穿过抛光轨迹152且到周边边缘188。如所属领域的技术人员将了解，凹槽112的群组192可以类似方式布置成径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机或螺旋形图案以及其它图案，其中形状及定向成角度进入或远离抛光垫104的设计旋转方向198、为圆弧形且大体径向进入或远离抛光垫104的设计旋转方向198、为圆弧形且大体径向的、为圆弧形且非径向的以及其它。
[0035]本发明的目的是制造具有穿过抛光垫的整个厚度从而允许显著更大程度地消耗垫的凹槽的垫。凹槽之间的重叠确保所述转变。
[0036]图4展示本发明的第一实施例。CMP抛光垫在垫的顶部及底部表面两者上具有超过垫厚度的50%的两组凹槽，其中顶部及底部凹槽在内部端处交错且向正抛光的材料呈现从垫的顶部到抛光垫的底部的6 %内的连续凹槽，其中浅垫凹槽可造成其它问题,例如增加的缺陷性及增加的不均匀性。
[0037]典型垫在垫的替换之前的当前垫使用率需要为约30%，其中本发明中所揭示的垫的使用率为91%或垫寿命3比I增加。
[0038]图5展示本发明的第二实施例。CMP抛光垫在垫的顶部及底部表面两者及垫的中心上具有超过垫厚度的37%的三组凹槽，且其中顶部及底部凹槽在内部端处直接成一线，且中心凹槽居中于垫的顶部与底部表面之间且在顶部及底部凹槽的内部端处交错并向正抛光的材料呈现从垫的顶部到抛光垫的底部的6%内的连续凹槽，其中浅垫凹槽可造成其它问题，例如增加的缺陷性及增加的不均匀性。
[0039]可采用多种开凹槽方法(例如从垫的背侧开凹槽、垫制造工艺中开凹槽、多个垫层、模制及3D打印)来实现所揭示垫开凹槽。
[0040]虽然上文已描述本发明的各种实施例，但应理解，所述实施例仅以实例方式且不以限制方式呈现。在不背离本发明的精神或范围的情况下，可根据本文中的揭示内容对所揭示实施例做出众多改变。因此，本发明的广度及范围不应受上文所描述实施例中的任一者限制。而是，本发明的范围应根据所附权利要求书及其等效物来界定。
【权利要求】
1.一种CMP抛光垫，其包括: CMP抛光层，其包含经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面的抛光垫，所述抛光层包含旋转轴、外周边及与所述旋转轴同心的环形抛光轨迹，其中所述抛光垫具有顶部表面、底部表面及厚度； 多个凹槽，其形成于所述抛光垫中，包括完全位于所述抛光垫内的第一及第二组凹槽； 位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达所述抛光垫厚度的至少50% ;且 所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少50% ;且其中所述第一组凹槽位于内部端之间并在所述内部端处交错而所述第一组凹槽与所述第二组凹槽之间不具有任何相交点，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
2.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中所述抛光垫由选自包括以下各项的群组的材料构成:聚氨酯、聚碳酸酯、尼龙、丙烯酸聚合物或聚酯。
3.根据权利要求1所述的CMP抛光垫，其中所述抛光垫图案选自包括以下各项的群组:径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机或螺旋形图案。
4.一种CMP抛光垫，其包括: CMP抛光层，其包含经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面的抛光垫，所述抛光层包含旋转轴、外周边及与所述旋转轴同心的环形抛光轨迹，其中所述抛光垫具有顶部表面、底部表面及厚度； 多个凹槽，其形成于所述抛光垫中，包括完全位于所述抛光垫内的第一、第二及第三组凹槽； 位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达所述抛光垫厚度的至少37% ； 所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少37% ;且其中所述第一组凹槽经定位而在内部端处与所述第二组凹槽直接对准；且 所述第三组凹槽居中于所述抛光垫的所述顶部表面与所述抛光垫的所述底部表面之间且位于所述第一及第二凹槽的所述经对准内部端之间并与所述经对准内部端交错，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
5.根据权利要求4所述的CMP抛光垫，其中所述抛光垫由选自包括以下各项的群组的材料构成:聚氨酯、聚碳酸酯、尼龙、丙烯酸聚合物或聚酯。
6.根据权利要求4所述的CMP抛光垫，其中所述抛光垫图案选自包括以下各项的群组:径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机或螺旋形图案。
7.一种抛光垫，其包括: 抛光层，其经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面，所述抛光层包含: 旋转轴； 外周边； 环形抛光轨迹，其与所述旋转轴同心 '及 周边区域，其位于所述环形抛光轨迹与所述外周边之间；及 多个凹槽，其形成于具有顶部及底部表面的所述抛光层中，且包括: 形成于所述抛光垫中的所述多个凹槽，其包括完全位于所述抛光垫内的第一及第二组凹槽； 位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达抛光垫厚度的至少50% ;且 所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少50% ;且其中所述第一组凹槽位于内部端之间并在所述内部端处交错而所述第一组凹槽与所述第二组凹槽之间不具有任何相交点，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
8.根据权利要求7所述的抛光垫，其中所述抛光垫由选自包括以下各项的群组的材料构成:聚氨酯、聚碳酸酯、尼龙、丙烯酸聚合物或聚酯。
9.根据权利要求7所述的抛光垫，其中所述抛光垫图案选自包括以下各项的群组:径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机或螺旋形图案。
10.一种抛光垫，其包括: 抛光层，其经配置以在存在抛光媒质的情况下抛光磁性、光学或半导体衬底中的至少一者的表面，所述抛光层包含: 旋转轴； 外周边； 环形抛光轨迹，其与所述旋转轴同心 '及 周边区域，其位于所述环形抛光轨迹与所述外周边之间 '及 多个凹槽，其形成于具有顶部及底部表面的所述抛光层中，且包括: 形成于所述抛光垫中的所述多个凹槽，其包括完全位于所述抛光垫内的第一、第二及第三组凹槽； 位于所述抛光垫的所述顶部表面上的所述第一组凹槽具有一图案且垂直地穿透到抛光垫的所述顶部表面中达抛光垫厚度的至少37% ； 所述第二组凹槽位于所述抛光垫的所述底部表面上、具有与所述第一组凹槽的所述图案相同的图案且垂直地穿透到抛光垫的所述底部表面中达所述抛光垫厚度的至少37% ;且其中所述第一组凹槽经定位而在内部端处与所述第二组凹槽直接对准；且 所述第三组凹槽居中于所述抛光垫的所述顶部表面与所述抛光垫的所述底部表面之间且位于所述第一及第二凹槽的所述经对准内部端之间并与所述经对准内部端交错，且经配置以向正抛光的材料呈现从所述垫的所述顶部到所述抛光垫的所述底部的6%内的连续凹槽。
11.根据权利要求10所述的抛光垫，其中所述抛光垫由选自包括以下各项的群组的材料构成:聚氨酯、聚碳酸酯、尼龙、丙烯酸聚合物或聚酯。
12.根据权利要求10所述的抛光垫，其中所述抛光垫图案选自包括以下各项的群组:径向、同心圆、笛卡尔网格、直线、随机或螺旋形图案。
【文档编号】H01L21/304GK104440519SQ201410471921
【公开日】2015年3月25日 申请日期:2014年9月16日 优先权日:2013年9月18日
【发明者】克里斯托弗·李·舒特, 普拉卡什·拉克希米坎坦 申请人:德州仪器公司