1.一种Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，包括源电极、漏电极以及异质结构，所述源电极与漏电极通过形成于异质结构中的二维电子气相连接，所述异质结构包括第一半导体和第二半导体，所述第二半导体形成于第一半导体表面，并具有宽于第一半导体的带隙，所述第一半导体设置于源电极和漏电极之间，所述栅电极设置于第二半导体表面靠近源电极一侧，并与第二半导体形成肖基特接触，其特征在于所述第二半导体中还设有用以耗尽栅下的二维电子气的P型掺杂区，所述P型掺杂区位于栅电极下方，且位于第一半导体上方。
2.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述第二半导体和栅电极之间还设有绝缘介质层。
3.根据权利要求1-2中任一项所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，仅在位于栅极下方的第二半导体的局部区域内分布有P型掺杂区。
4.根据权利要求1-2中任一项所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，当未在栅电极上施加电压或施加于栅极的电压低于一阈值电压时，所述HEMT器件处于断开状态，而当施加于栅电极的电压超过一阈值电压时，在位于栅极下方的第一半导体中会积累电子形成导电通道，从而使所述HEMT器件处于开启状态。
5.根据权利要求4所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，当栅极是零偏压时，所述HEMT器件处于断开状态，而当在栅极施加正向电压时，所述HEMT器件处于开启状态。
6.根据权利要求1-2中任一项所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述源电极和漏电极分别与电源的低电位和高电位连接。
7.根据权利要求1-2中任一项所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述第一半导体和第二半导体均采用Ⅲ族氮化物半导体。
8.根据权利要求1-2中任一项所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述P型掺杂区是通过半导体掺杂工艺对位于栅极下方的第二半导体 的局部区域进行处理而生成，所述半导体掺杂工艺包括离子注入或者热扩散工艺。
9.根据权利要求1所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，所述P型掺杂区的P型掺杂激活浓度在1×e13cm-2以上。
10.根据权利要求9所述的Ⅲ族氮化物增强型HEMT器件，其特征在于，采用的P型掺杂离子包括：Mg、Zn、Li或B离子。