技术总结
本发明提供一种射频RF LDMOS器件的制造方法，包括：提供衬底，向器件的漂移区对应的衬底表面进行氧离子注入，形成注入区；在衬底表面上生长外延层，形成所述器件的下沉层，通过进行第二次热驱入，使所述下沉层和除所述注入区下方以外的衬底扩散，直至所述下沉层与所述衬底接触；根据预设的工艺，形成所述器件的栅极、源区和漏区。通过本发明提供的方法，能够避免因衬底扩散导致外延层的有效厚度减小，进而有效提高器件的耐压特性。
技术研发人员：马万里;闻正锋;赵文魁
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510334999
技术研发日：2015.06.16
技术公布日：2016.12.28