技术总结
本发明实施例提供一种减小DMOS色差的方法及装置。该方法包括：依据预设光罩对DMOS进行接触孔腐蚀，预设光罩用于遮挡DMOS的预设区域，以保留预设区域的氧化层；在DMOS的表面淀积铝硅铜合金，以使铝硅铜合金与氧化层互融；湿法腐蚀铝硅铜合金中的铝和铜，以使铝硅铜合金中的硅留在氧化层的表面；依据干法扫硅渣方法去除氧化层的表面上的硅。本发明实施例通过对现有的光罩进行改进，以使DMOS进行接触孔腐蚀时，保留该预设区域的氧化层，湿法腐蚀淀积在氧化层上的铝硅铜合金使硅留在氧化层的表面，干法扫硅渣时硅被腐蚀的速度大于氧化层被腐蚀的速度，保证干法扫硅渣后氧化层上出现的凹坑较小，大大改善了DMOS产品的外观。
技术研发人员：陈定平
受保护的技术使用者：北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司
文档号码：201510450439
技术研发日：2015.07.28
技术公布日：2017.02.15