本发明涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种改善外延片背面平整度的方法和一种外延片。
背景技术：
光刻机台对外延片背面的平整度要求很高，当外延片背面凸起的厚度过大时，显影后的外延片容易出现散胶的情况，在光学显微镜下观察散胶后的外延片光刻图形会发生严重的变形。目前背面平整度不符合要求的外延片只能进行报废处理，十分浪费。
因此，如何通过一种改善外延片背面平整度的方法，使外延片背面的平整度满足使用需求，成为亟待解决的技术问题。
技术实现要素：
本发明正是基于上述技术问题至少之一，提出了一种新的改善外延片背面平整度的方法，可使外延片背面的平整度满足使用需求。
有鉴于此，本发明提出了一种改善外延片背面平整度的方法，包括：对外延片的背面的凸起厚度进行检测；当检测的所述凸起的厚度大于所述预设厚度时，将所述外延片的正面复合一层保护膜；对正面复合有所述保护膜的所述外延片的背面进行减薄处理；对已经完成所述减薄处理的所述外延片的背面进行腐蚀处理，以使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述预设厚度；将已经完成所述腐蚀处理的所述外延片的正面的所述保护膜去除。
在该技术方案中，依次通过检测外延片背面凸起厚度、在外延片正面复合保护膜、外延片背面减薄处理、外延片背面腐蚀处理、去除正面保护膜可以解决外延片背面不平整的问题，使外延片背面的平整度满足使用需 求。在外延片正面复合保护膜是为了防止对外延片进行背面减薄和背面腐蚀处理时，外延片的正面受损。背面腐蚀处理是为了释放外延片背面的硅的应力，防止外延片发生变形，提高外延片背面的平整度。
在上述技术方案中，优选地，对已经去除所述保护膜的所述外延片进行清洗。
在该技术方案中，对外延片进行清洗，一是为了防止外延片上残留有保护膜的成分，影响外延片的正常使用。二是为了防止外延片上残留有酸或其他腐蚀性液体，使外延片和与外延片接触的设备受到腐蚀。
在该技术方案中，优选地，所述预设厚度为0.8微米。
在该技术方案中，外延片背面凸起的厚度大于0.8微米时，显影后的外延片容易出现散胶的情况，在光学显微镜下观察散胶后的外延片光刻图形会发生严重的变形。外延片背面凸起的厚度小于或等于0.8微米，外延片可正常使用，所以将预设厚度定为0.8微米，其中，具体地预设厚度值根据具体的外延片而定，不同批次的外延片的预设厚度值可能不同。
在上述技术方案中，优选地，通过光刻机台对外延片的背面的凸起厚度进行检测。
在该技术方案中，光刻机台对外延片背面的平整度要求很高，利用光刻机台对外延片背面的凸起厚度进行检测，可以提高检测的准确率。
在上述技术方案中，优选地，所述保护膜为耐酸蓝膜，所述耐酸蓝膜的厚度在130微米至150微米范围内。
在该技术方案中，在外延片正面复合130微米至150微米的耐酸蓝膜，可以防止外延片的正面在外延片进行背面腐蚀处理时受到腐蚀，保证改善背面平整度之后的外延片可以正常使用。
在上述技术方案中，优选地，通过减薄机对正面复合有所述保护膜的所述外延片的背面进行减薄处理，其中，所述外延片的背面减薄的厚度在20微米至30微米范围内。
在该技术方案中，减薄的厚度应在20微米至30微米范围内。外延片背面减薄的厚度过小，操作难度太大，外延片背面减薄的厚度过大，不但造成了资源浪费，还可能导致外延片无法正常使用。
在上述技术方案中，优选地，将已经完成所述减薄处理的所述外延片的背面放入所述硅酸腐蚀槽中，通过所述硅酸腐蚀槽中的硅腐蚀液将所述外延片的背面腐蚀10微米至12微米，使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述预设厚度。
在该技术方案中，通过硅腐蚀液将外延片的背面腐蚀10微米至12微米，可以很好地释放外延片背面的硅的应力，防止外延片发生变形，提高外延片背面的平整度。
在上述技术方案中，优选地，所述腐蚀处理的时间在8分钟至9分钟范围内。
在该技术方案中，通过硅腐蚀液对外延片的背面进行8分钟至9分钟的腐蚀处理，可以很好地释放外延片背面的硅的应力，防止外延片发生变形，提高外延片背面的平整度。
在上述技术方案中，优选地，所述硅腐蚀液包括以下之一或其组合：硝酸、氢氟酸及冰乙酸。
在该技术方案中，硅酸腐蚀液包括硝酸、氢氟酸及冰乙酸，其具体组成成分根据外延片而定，不同批次的外延片使用的硅酸腐蚀液可能不同。
根据本发明的另一方面，还提出了一种外延片，使用如上述任一项所述的改善外延片背面平整度的方法。
在该技术方案中，依次通过检测外延片背面凸起厚度、在外延片正面复合保护膜、外延片背面减薄处理、外延片背面腐蚀处理、去除正面保护膜可以解决外延片背面不平整的问题，使外延片背面的平整度满足使用需求。
通过以上技术方案，可以有效地改善外延片背面的不平整，使外延片背面的平整度满足使用需求。
附图说明
图1示出了根据本发明的一个实施例的改善外延片背面平整度的方法的流程示意图。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的上述目的、特征和优点，下面结合附图和具体实施方式对本发明进行进一步的详细描述。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明，但是，本发明还可以采用其他不同于在此描述的其他方式来实施，因此，本发明的保护范围并不受下面公开的具体实施例的限制。
图1示出了根据本发明的一个实施例的改善外延片背面平整度的方法的流程示意图。
如图1所示，根据本发明的一个实施例的改善外延片背面平整度的方法，包括：步骤102，对外延片的背面的凸起厚度进行检测；步骤104，当检测的所述凸起的厚度大于所述预设厚度时，将所述外延片的正面复合一层保护膜；步骤106，对正面复合有所述保护膜的所述外延片的背面进行减薄处理；步骤108，对已经完成所述减薄处理的所述外延片的背面进行腐蚀处理，以使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述预设厚度；步骤110，将已经完成所述腐蚀处理的所述外延片的正面的所述保护膜去除。
在该技术方案中，依次通过检测外延片背面凸起厚度、在外延片正面复合保护膜、外延片背面减薄处理、外延片背面腐蚀处理、去除正面保护膜可以解决外延片背面不平整的问题，使外延片背面的平整度满足使用需求。在外延片正面复合保护膜是为了防止对外延片进行背面减薄和背面腐蚀处理时，外延片的正面受损。背面腐蚀处理是为了释放外延片背面的硅的应力，防止外延片发生变形，提高外延片背面的平整度。
在上述技术方案中，优选地，对已经去除所述保护膜的所述外延片进行清洗。
在该技术方案中，对外延片进行清洗，一是为了防止外延片上残留有保护膜的成分，影响外延片的正常使用。二是为了防止外延片上残留有酸或其他腐蚀性液体，使外延片和与外延片接触的设备受到腐蚀。
在该技术方案中，优选地，所述预设厚度为0.8微米。
在该技术方案中，外延片背面凸起的厚度大于0.8微米时，显影后的 外延片容易出现散胶的情况，在光学显微镜下观察散胶后的外延片光刻图形会发生严重的变形。外延片背面凸起的厚度小于或等于0.8微米，外延片可正常使用，优选预设厚度定为0.8微米。
在上述技术方案中，优选地，通过光刻机台对外延片的背面的凸起厚度进行检测。
在该技术方案中，光刻机台对外延片背面的平整度要求很高，利用光刻机台对外延片背面的凸起厚度进行检测，可以提高检测的准确率。
在上述技术方案中，优选地，所述保护膜为耐酸蓝膜，所述耐酸蓝膜的厚度在130微米至150微米范围内。
在该技术方案中，在外延片正面复合130微米至150微米的耐酸蓝膜，可以防止外延片的正面在外延片进行背面腐蚀处理时受到腐蚀，保证改善背面平整度之后的外延片可以正常使用，优选耐酸蓝膜的厚度为130微米。
在上述技术方案中，优选地，通过减薄机对正面复合有所述保护膜的所述外延片的背面进行减薄处理，其中，所述外延片的背面减薄的厚度在20微米至30微米范围内。
在该技术方案中，减薄的厚度应在20微米至30微米范围内。外延片背面减薄的厚度过小，操作难度太大，外延片背面减薄的厚度过大，不但造成了资源浪费，还可能导致外延片无法正常使用，优选减薄厚度为20微米。
在上述技术方案中，优选地，将已经完成所述减薄处理的所述外延片的背面放入所述硅酸腐蚀槽中，通过所述硅酸腐蚀槽中的硅腐蚀液将所述外延片的背面腐蚀10微米至12微米，使所述外延片的背面的凸起厚度小于所述预设厚度。
在该技术方案中，通过硅腐蚀液将外延片的背面腐蚀10微米至12微米，可以很好地释放外延片背面的硅的应力，防止外延片发生变形，提高外延片背面的平整度，优选腐蚀厚度为10微米。
在上述技术方案中，优选地，所述腐蚀处理的时间在8分钟至9分钟范围内。
在该技术方案中，通过硅腐蚀液对外延片的背面进行8分钟至9分钟的腐蚀处理，可以很好地释放外延片背面的硅的应力，防止外延片发生变形，提高外延片背面的平整度，优选腐蚀时间为8分钟。
在上述技术方案中，优选地，所述硅腐蚀液包括以下之一或其组合：硝酸、氢氟酸及冰乙酸。
在该技术方案中，硅酸腐蚀液包括硝酸、氢氟酸及冰乙酸，其具体组成成分根据外延片而定，不同批次的外延片使用的硅酸腐蚀液可能不同。
根据本发明的另一方面，还提出了一种外延片，使用如上述任一项所述的改善外延片背面平整度的方法。
在该技术方案中，依次通过检测外延片背面凸起厚度、在外延片正面复合保护膜、外延片背面减薄处理、外延片背面腐蚀处理、去除正面保护膜可以解决外延片背面不平整的问题，使外延片背面的平整度满足使用需求。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。