技术总结
一种半导体结构的形成方法，本发明在所述NMOS区域的基底内直接注入第一防穿通离子以形成第一注入层，之后通过刻蚀基底形成多个鳍部，且位于NMOS区域的第一鳍部之间的基底表面低于所述第一注入层，位于所述第一鳍部中剩余的第一注入层构成第一防穿通层，从而使第一防穿通离子主要分布在分离的第一鳍部内，从而减少了第一防穿通离子的扩散，减少由于扩散而导致的第一防穿通离子的注入剂量损失，降低了第一防穿通离子扩散进入PMOS区域的可能，从而提高所形成的半导体结构的性能，提高制造半导体结构的良品率。
技术研发人员：周飞
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
文档号码：201510690768
技术研发日：2015.10.22
技术公布日：2017.05.03