1.一种MOS管器件，包括衬底，形成在衬底上的源极区、漏极区和沟道区，在所述漏极区和所述沟道区之间设有LDD区，其特征在于：在所述沟道区的上方设有第一栅极氧化层和第一栅极，在所述LDD区的上方设有第二栅极氧化层和第二栅极，该第二栅极上施加的电压正比于第一栅极上施加的电压。
2.如权利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：当MOS管为NMOS管时，在MOS管处于导通状态下，所述第二栅极与所述第一栅极一样施加的是正电压，在MOS管处于关断状态下，所述第二栅极接地或施加负电压。
3.如权利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：当MOS管为PMOS管时，在MOS管处于导通状态下，所述第二栅极与所述第一栅极一样接地或施加负电压，在MOS管处于关断状态下，所述第二栅极施加正电压。
4.如权利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述第二栅极为平行于LDD区的平板。
5.如权利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述第二栅极氧化层具有覆盖第一栅极氧化层所形成的折肩，所述第二栅极包括水平部分和位于所述第二栅极氧化层折肩上的折肩部分。
6.如权利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述衬底为绝缘体上硅结构，包括底硅、二氧化硅层和体硅层，所述源极区、漏极区、沟道区和LDD区形成在所述体硅层中。
7.如权利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述衬底为p型硅衬底，所述源极区、漏接区、沟道区以及LDD区制作在该p型硅衬底中，或者所述衬底上设有p型外延层，所述源极区、漏接区、沟道区以及LDD区制作在该p型外延层中。
8.如权利要求1所述的MOS管器件，其特征在于：所述衬底包括重掺的p型底硅和在该P型底硅上外延的一层轻掺的p型体硅，所述源极区、漏接区、沟道区以及LDD区制作在该体硅中，在源极区的一侧设有重掺的p型下沉区，通过该p型下沉区将源极与衬底直接接地。