技术总结
一种MOS管器件，该MOS管器件具有两个栅极，其中第一栅极为设置在沟道上方的控制器件开关的普通栅极，第二栅极为设置在LDD区上方控制漏源导通电阻Rdson的新增栅极。在本发明中，通过该第二栅极的调控，一方面可以在器件工作状态下降低漏源导通电阻Rdson，从而降低器件的工作损耗和提高开关效率；另一方面可以在器件关断状态下降低漏源电容Cds、提高漏源之间的阻抗和击穿电压BVdss，从而使器件关断时的隔断能力以及电压摆幅的阻挡能力提高。
技术研发人员：马强
受保护的技术使用者：苏州远创达科技有限公司
文档号码：201510696234
技术研发日：2015.10.23
技术公布日：2017.05.03