技术特征：
1.一种电解电容器的制造方法，其包括：准备具有电介质层的阳极构件的第1工序；将单体、氧化剂、硅烷化合物和溶剂含浸于所述阳极构件中的第2工序；在所述电介质层的表面形成包含导电性高分子和固体电解质层的第3工序，其中，所述导电性高分子含有所述单体的聚合物，所述固体电解质层含有来自于所述硅烷化合物中的含硅成分，所述单体包含由下述式(I)表示的化合物，式(I)中，R表示碳数1～10的烷基。2.根据权利要求1所述的电解电容器的制造方法，其中，所述式(I)中的R为碳数2～5的烷基。3.根据权利要求1或2所述的电解电容器的制造方法，其中，相对于所述单体、所述氧化剂、所述硅烷化合物和所述溶剂的总量100质量％，在所述第2工序中使用的所述硅烷化合物的量为1质量％以上且35质量％以下。4.根据权利要求1或2所述的电解电容器的制造方法，其中，相对于所述单体、所述氧化剂、所述硅烷化合物和所述溶剂的总量100质量％，所述第2工序中使用的所述硅烷化合物的量为5质量％以上且20质量％以下。5.根据权利要求1～4中任一项所述的电解电容器的制造方法，其中，所述第2工序包括：制备所述溶剂、所述硅烷化合物和所述氧化剂的混合液的工序；将所述混合液和所述单体混合而制备聚合液的工序；和将所述聚合液含浸于所述阳极构件中的工序。6.一种电解电容器，其包含：具有电介质层的阳极构件、和形成于所述电介质层的表面且包含导电性高分子和含硅成分的固体电解质层，所述导电性高分子包含由下述式(I)表示的化合物的聚合物，式(I)中，R表示碳数1～10的烷基。