1.一种装置，包括：
图像传感器，其具有单元像素信元，所述单元像素信元包括：
a)在半导体表面上的第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门，所述第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门分别联接在第一可见光光电二极管区域、第二可见光光电二极管区域和第三可见光光电二极管区域与第一电容区域之间；和
b)在所述半导体表面上的第四传输门晶体管门，其联接在第一红外光电二极管区域和第二电容区域之间。
2.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述半导体表面上的背漏晶体管门，其联接在所述第一红外光电二极管区域和电源电压节点之间。
3.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述半导体表面上的第一背漏晶体管门和第四背漏晶体管门，其分别联接在所述第一可见光光电二极管区域和所述第一红外光电二极管区域与电源电压的第一物理节点之间；以及在所述半导体表面上的第二背漏晶体管门和第三背漏晶体管门，其分别联接在所述第二可见光光电二极管区域和所述第三可见光光电二极管区域与所述电源的第二物理节点之间。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述第一背漏晶体管门和所述第四背漏晶体管门位于所述像素信元单元的与所述第二背漏晶体管门和所述第三背漏晶体管门相反的侧上。
5.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述半导体表面上的第一背漏晶体管门、第二背漏晶体管门、第三背漏晶体管门和第四背漏晶体管门，其分别联接在：
i)所述第一可见光光电二极管区域和电源电压的第一物理节点之间；
ii)所述第二可见光光电二极管区域和所述电源电压的第二物理节点之间；
iii)所述第三可见光光电二极管区域和所述电源电压的第三物理节点之间；
iv)所述第四可见光光电二极管区域和所述电源电压的第四物理节点之间。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一背漏晶体管门、第二背漏晶体管门、第三背漏晶体管门和第四背漏晶体管门位于所述像素信元单元的不同拐角上。
7.根据权利要求1所述的装置，还包括在所述半导体表面上的背漏晶体管门，其联接在所述红外光电二极管区域和所述第一电容区域之间。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述第四传输门晶体管门和所述背漏晶体管门位于所述红外光电二极管区域的相反端上。
9.根据权利要求1所述的装置，其中，所述第一可见光滤光器、所述第二可见光滤光器、所述第三可见光滤光器和所述红外滤光器在所述半导体表面上方沿同一水平布置。
10.根据权利要求1所述的装置，其中，所述图像传感器还包括在所述第一可见光光电二极管区域上方的第一颜色滤光器、在所述第二可见光光电二极管区域上方的第二颜色滤光器、在所述第三可见光光电二极管区域上方的第三颜色滤光器、和在所述第一红外光电二极管区域上方的红外滤光器。
11.一种计算系统，包括：
应用处理器，其包括联接到存储器控制器的多个处理核，所述存储器控制器联接到系统存储器；
相机系统，其联接到所述应用处理器，所述相机系统包括具有像素信元单元的图像传感器，所述像素信元单元包括：
a)在半导体表面上的第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门，其分别联接在第一可见光光电二极管区域、第二可见光光电二极管区域和第三可见光光电二极管区域与所述第一电容区域之间；和
b)在所述半导体表面上的第四传输门晶体管门，其联接在第一红外光电二极管区域和第二电容区域之间。
12.根据权利要求11所述的计算系统，还包括在所述半导体表面上的背漏晶体管门，其联接在所述第一红外光电二极管区域和电源电压节点之间。
13.根据权利要求11所述的计算系统，还包括在所述半导体表面上的第一背漏晶体管门和第四背漏晶体管门，其分别联接在所述第一可见光光电二极管区域和所述第一红外光电二极管区域与电源电压的第一物理节点之间；以及在所述半导体表面上的第二背漏晶体管门和第三背漏晶体管门，其分别联接在所述第二可见光光电二极管区域和第三可见光光电二极管区域与所述电源电压的第二物理节点之间。
14.根据权利要求13所述的计算系统，其中，所述第一背漏晶体管门和所述第四背漏晶体管门位于所述像素信元单元的与所述第二背漏晶体管门和所述第三背漏晶体管门相反的侧上。
15.根据权利要求11所述的计算系统，还包括在所述半导体表面上的第一背漏晶体管门、第二背漏晶体管门、第三背漏晶体管门和第四背漏晶体管门，其分别联接在：
i)所述第一可见光光电二极管区域和电源电压的第一物理节点之间；
ii)所述第二可见光光电二极管区域和所述电源电压的第二物理节点之间；
iii)所述第三可见光光电二极管区域和所述电源电压的第三物理节点之间；
iv)所述第四可见光光电二极管区域和所述电源电压的第四物理节点之间。
16.根据权利要求15所述的计算系统，其中，所述第一背漏晶体管门、所述第二背漏晶体管门、所述第三背漏晶体管门和所述第四背漏晶体管门位于所述像素信元单元的不同拐角上。
17.根据权利要求11所述的计算系统，还包括在所述半导体表面上的背漏晶体管门，其联接在所述红外光电二极管区域和所述第一电容区域之间。
18.一种形成图像传感器的方法，包括：
将第一传输门晶体管门、第二传输门晶体管门和第三传输门晶体管门沉积在半导体表面上、分别在第一可见光光电二极管区域、第二可见光光电二极管区域和第三可见光光电二极管区域与第一电容区域之间；和
将第四传输门晶体管门沉积在所述半导体表面上、在红外光电二极管区域和第二电容区域之间。
19.根据权利要求18所述的方法，还包括将背漏晶体管门沉积在所述红外光电二极管区域和所述第一电容区域之间。
20.根据权利要求18所述的方法，还包括将背漏晶体管门沉积在所述红外光电二极管区域和电源电压物理节点区域之间。
21.根据权利要求18所述的方法，还包括将第一背漏晶体管门相应沉积在所述第一可见光光电二极管区域和电源电压物理节点区域之间。
22.根据权利要求21所述的方法，还包括将第二背漏晶体管门相应沉积在所述第二可见光光电二极管区域和第二电源电压物理节点区域之间。
23.一种装置，包括：
图像传感器，其包括第一可见光像素、第二可见光像素和第三可见光像素和红外像素，所述图像传感器还包括设置在所述第一可见光像素、所述第二可见光像素和所述第三可见光像素上方的IR截止滤光器。