技术总结
极紫外(EUV)掩模基底制造系统包括：用于建立真空的基板操作真空腔室；位于真空中的基板操作平台，以用于搬运装载于该基板操作真空腔室中的超低膨胀基板；及可让该基板操作平台进出且用于形成EUV掩模基底的多个子腔室，该多个腔室包括：第一子腔室，该第一子腔室在超低膨胀基板上形成多层堆叠，以用于反射极紫外(EUV)光；及第二子腔室，该第二子腔室用于在该多层堆叠上形成双层式吸收剂，该双层式吸收剂用于吸收波长13.5纳米的EUV光以提供小于1.9％的反射率。
技术研发人员：维纳亚克·维什瓦纳特·哈桑;马耶德·A·福阿德;卡拉·比斯利;拉尔夫·霍夫曼
受保护的技术使用者：应用材料公司
文档号码：201580037984
技术研发日：2015.07.08
技术公布日：2017.05.10