1.包括半导体器件的铝焊盘和球形键合到所述铝焊盘上的丝的球形键合结合体，其中所述丝具有10至80微米的直径并包含由铜合金构成的芯，所述铜合金由0.05至3重量%的钯和/或铂与作为余量补足100重量%的铜构成。
2.权利要求1的球形键合结合体，其中所述芯由铜合金构成，所述铜合金由1至2重量%的钯和/或铂与作为余量补足100重量%的铜构成。
3.权利要求1的球形键合结合体，其中所述芯由铜合金构成，所述铜合金由1.2至1.3重量%的钯和/或铂与作为余量补足100重量%的铜构成。
4.前述权利要求任一项的球形键合结合体，其中所述芯具有表面，其中在所述芯的表面上叠加2至500纳米薄周向单层金属涂层或不同金属的相邻层的多层涂层，其中一种或多种金属选自钯、铂、金和银，且其中单层或多层金属涂层的总质量为相对于所述芯的总质量的0.09至2.5重量%。
5.前述权利要求任一项的球形键合结合体，其在其制造后已被连续或不连续地在125至250℃的目标温度下热处理总共500至2000小时。
6.权利要求5的球形键合结合体，其中所述热处理在250℃的目标温度下进行总共2000小时。
7.权利要求6的球形键合结合体，其特征在于其表现出在铝焊盘表面和球形键合丝的表面之间的球形键合接触区内形成的2.5至4微米的薄铜铝化合物界面层。
8.前述权利要求任一项的球形键合结合体，其形成电子组装件的部件。
9.包括一个或多个根据权利要求1至7的球形键合结合体的电子组装件。
10.用于制造球形键合结合体的方法，其包括下面的步骤：
(1) 提供具有铝焊盘和丝的半导体器件，所述丝具有10至80微米的直径并包含由0.05至3重量%的钯与作为余量补足100重量%的铜的合金构成的芯，和
(2) 将所述丝球形键合到所述铝焊盘上。
11.权利要求10的方法，其中所述芯由铜合金构成，所述铜合金由1至2重量%的钯和/或铂与作为余量补足100重量%的铜构成。
12.权利要求10的方法，其中所述芯由铜合金构成，所述铜合金由1.2至1.3重量%的钯和/或铂与作为余量补足100重量%的铜构成。
13.权利要求10至12任一项的方法，其中所述芯具有表面，且其中在进行步骤(2)之前在所述芯的表面上叠加2至500纳米薄周向单层金属涂层或不同金属的相邻层的多层涂层，其中一种或多种金属选自钯、铂、金和银，且其中单层或多层金属涂层的总质量为相对于所述芯的总质量的0.09至2.5重量%。
14.权利要求10至13任一项的方法，其中在步骤(2)完成后进行对所述球形键合结合体施以在125至250℃的目标温度下总共500至2000小时的连续或不连续热处理的进一步的步骤(3)。
15.权利要求14的方法，其中所述热处理在250℃的目标温度下进行总共2000小时。
16.权利要求14或15的方法，其中所述热处理作为高温储存试验（高温可靠性试验）进行。