1.一种用于射频应用的结构(1、1'、11)，包括：
-高电阻率硅的支撑衬底(2)，其包括下部和上部(3)，对上部进行p型掺杂至深度d；
-硅的介孔俘获层(4)，其形成在支撑衬底(2)的经掺杂的上部(3)中；
该结构(1、1'、11)的特征在于，深度d小于1微米，且俘获层(4)的孔隙率在20％与60％之间，用于俘获在支撑衬底(2)中产生的反型载流子。
2.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，介孔俘获层(4)的孔的直径在2nm与50nm之间。
3.根据在前权利要求中的任一项所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，支撑衬底(2)的下部的电阻率大于1000ohm.cm。
4.根据权利要求1所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，有源层(5)布置在俘获层(4)上。
5.根据前一项权利要求所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，有源层(5)由半导电材料形成。
6.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，有源层(5)由压电材料形成。
7.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，有源层(5)包括下列材料中的至少一种：硅、碳化硅、硅锗、铌酸锂、钽酸锂、石英和氮化铝。
8.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，有源层(5)的厚度在10nm与50μm之间。
9.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，在俘获层(4)与有源层(5)之间布置介电层(6)。
10.根据前一项权利要求所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，介电层(6)包括下列材料中的至少一种：二氧化硅、氮化硅和氧化铝。
11.根据权利要求9所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，介电层(6)在10nm与6μm之间。
12.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，在有源层(5)之上或之中存在至少一个微电子器件(7)，该微电子器件(7)为开关电路或天线调谐电路或射频功率放大电路。
13.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，在有源层(5)之上或之中存在至少一个微电子器件(7)，该微电子器件(7)包括多个有源部件以及多个无源部件。
14.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，在有源层(5)之上或之中存在至少一个微电子器件(7)，该微电子器件(7)包括至少一个控制元件和一个mems开关元件，该mems开关元件由具有欧姆接触的微开关或电容性微开关构成。
15.根据权利要求4所述的用于射频应用的结构(1、1'、11)，其中，在有源层(5)之上或之中存在至少一个微电子器件(7)，该微电子器件(7)为通过体声波传播或表面声波传播而工作的射频滤波器。