本实用新型涉及一种快插射频连接器，属于通信技术领域。
背景技术：
目前，现有技术的快插射频连接器，不管其内导体之间的连接还是外导体之间的连接均是金属与金属的直接连接，这样连接方式简单，但是由于金属连接的紧密程度是不可控制的，在振动中可能造成瞬间的断开，从而影响通过的射频信号的质量。
技术实现要素：
本实用新型所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种快插射频连接器，它不仅能够保证射频信号的传输，而且能够提高连接的稳定性，避免在振动过程中造成射频信号的断开的现象，提高射频信号的质量。
为了解决上述技术问题，本实用新型的技术方案是：一种快插射频连接器，它包括：
公连接件，所述公连接件具有公内导体和公外导体，所述公内导体和所述公外导体相互隔离开；
母连接件，所述母连接件具有母内导体和母外导体，所述母内导体和所述母外导体相互隔离开，所述母内导体和所述公内导体之间的接触部位形成第一射频结构电容结构，所述母外导体和所述公外导体之间的接触部位形成第二射频结构电容结构。
进一步提供了一种公连接件的具体结构，所述公连接件还包括公绝缘子，所述公内导体通过公绝缘子支承在公外导体内。
进一步提供了一种母连接件的具体结构，所述母连接件还包括母绝缘子，所述母内导体通过母绝缘子支承在母外导体内。
进一步提供了一种第一射频结构电容结构的具体结构，所述第一射频结构电容结构包括设置在母内导体端部的母内插接部、设置在公内导体端部的公内插接部以及设置在母内插接部和公内插接部之间的内绝缘套。
进一步，所述母内插接部设置有插接孔，所述内绝缘套套设在插接孔内，所述公内插接部设置有插头，所述插头插入内绝缘套内。
进一步提供了一种第二射频结构电容结构的具体结构，所述第二射频结构电容结构包括设置在母外导体端部的母外插接部、设置在公外导体端部的公外插接部以及设置在公内插接部和公外插接部之间的外绝缘套。
进一步，所述母外插接部设置有导入头，所述公外插接部设置有导入孔，所述外绝缘套套设在导入孔内，所述导入头伸入所述外绝缘套内。
采用了上述技术方案后，本实用新型的公连接件和母连接件的连接结构中，公内导体和母内导体之间以及公外导体和母外导体之间的接触部位使用射频结构电容结构的非接触连接方式，提高连接的稳定性，又因为射频信号是可以通过点入而耦合导通的，所以非接触连接不影响射频信号的质量，保证了射频信号的传输。
附图说明
图1为本实用新型的快插射频连接器的结构示意图。
具体实施方式
为了使本实用新型的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本实用新型作进一步详细的说明。
如图1所示，一种快插射频连接器，它包括：
公连接件，所述公连接件具有公内导体11和公外导体12，所述公内导体11和所述公外导体12相互隔离开；
母连接件，所述母连接件具有母内导体21和母外导体22，所述母内导体21和所述母外导体22相互隔离开，所述母内导体21和所述公内导体11之间的接触部位形成第一射频结构电容结构，所述母外导体22和所述公外导体12之间的接触部位形成第二射频结构电容结构。
如图1所示，所述公连接件还包括公绝缘子13，所述公内导体11通过公绝缘子13支承在公外导体12内。
如图1所示，所述母连接件还包括母绝缘子23，所述母内导体21通过母绝缘子23支承在母外导体22内。
如图1所示，所述第一射频结构电容结构包括设置在母内导体21端部的母内插接部、设置在公内导体11端部的公内插接部以及设置在母内插接部和公内插接部之间的内绝缘套3。
如图1所示，所述母内插接部设置有插接孔，所述内绝缘套3套设在插接孔内，所述公内插接部设置有插头111，所述插头111插入内绝缘套3内。
如图1所示，所述第二射频结构电容结构包括设置在母外导体22端部的母外插接部、设置在公外导体12端部的公外插接部以及设置在公内插接部和公外插接部之间的外绝缘套4。
如图1所示，所述母外插接部设置有导入头221，所述公外插接部设置有导入孔，所述外绝缘套4套设在导入孔内，所述导入头221伸入所述外绝缘套4内。
本实用新型的工作原理如下：
本实用新型的公连接件和母连接件的连接结构中，公内导体11和母内导体21之间以及公外导体12和母外导体22之间的接触部位使用射频结构电容结构的非接触连接方式，提高连接的稳定性，又因为射频信号是可以通过点入而耦合导通的，所以非接触连接不影响射频信号的质量，保证了射频信号的传输。
以上所述的具体实施例，对本实用新型解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本实用新型的具体实施例而已，并不用于限制本实用新型，凡在本实用新型的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。