技术总结
提供了涉及绝缘体上半导体工艺上的自对准特征的各种方法和器件。一种示例性方法包括在绝缘体上半导体晶片上形成栅极。该绝缘体上半导体晶片包括器件区、埋藏绝缘体和基板。该示例性方法进一步包括使用该栅极作为掩模向该绝缘体上半导体晶片应用处理。该处理在该埋藏绝缘体中创建了经处理的绝缘体区。该示例性方法还包括移除基板的至少一部分。该示例性方法还包括，在移除基板的该部分之后，从该埋藏绝缘体选择性地移除经处理的绝缘体区以形成剩余的绝缘体区。
技术研发人员：S·A·法内利
受保护的技术使用者：高通股份有限公司
文档号码：201580041881
技术研发日：2015.07.28
技术公布日：2017.05.10