1.一种可变电容器，其特征在于，具有：
半导体基板；
设置在该半导体基板的主面上的再布线层；以及
包括第一输入输出端子、第二输入输出端子以及接地端子的多个端子电极，
在所述再布线层形成有铁电体薄膜型的可变电容元件部，该可变电容元件部由分别与所述第一输入输出端子以及所述第二输入输出端子连接的一对电容器电极、和在所述一对电容器电极之间配置的铁电体薄膜构成，
在所述半导体基板形成有连接于所述第一输入输出端子或第二输入输出端子与所述接地端子之间的ESD保护元件。
2.根据权利要求1所述的可变电容器，其中，
在所述半导体基板的主面设置有用于将所述ESD保护元件连接于所述接地端子和所述第一输入输出端子或所述第二输入输出端子的电极焊盘，该电极焊盘由W或WSi形成。
3.根据权利要求2所述的可变电容器，其中，
在俯视观察时，所述可变电容元件部设置于不与所述ESD保护元件以及所述电极焊盘重叠的位置。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的可变电容器，其中，
在所述可变电容元件部与控制电压施加端子之间设置有电阻元件，所述电阻元件形成于所述再布线层中就设置有所述可变电容元件部的层而言与所述半导体基板相反一侧的层。
5.根据权利要求1～3中任一项所述的可变电容器，其中，
在所述可变电容元件部与所述半导体基板之间设置有绝缘层。