晶圆热处理的方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明提出了一种晶圆热处理的方法，将晶圆置于含有一无氧混合气体的环境中，对该晶圆的一表面进行一快速升温处理，接着将该晶圆置于一含有一含氧气体的环境中，对该晶圆的一表面进行一快速降温处理，使得晶圆的表面上形成一无缺陷区，获得在之后工艺中可以释放出以改善半导体器件的界面特性的氘，并控制体微缺陷的位置远离制造半导体器件的有源区。

技术研发人员：肖德元;张汝京
受保护的技术使用者：上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日：2016.03.03
技术公布日：2017.09.12