技术总结
本发明揭露一种制造相变化记忆体的方法。相变化记忆体的制造方法包含以下操作：(i)形成多个层叠结构，各层叠结构包含多个介电层、多个相变化材料层及多个导电层，各导电层及各相变化材料层夹置在相邻的两个所述介电层之间；(ii)形成一绝缘层于相邻的两个所述层叠结构之间，其中绝缘层具有至少一接触孔暴露出各相变化材料层的一侧壁部分和各导电层的一侧壁部分；(iii)移除各导电层的侧壁部分，以在相邻的所述介电层与所述相变化材料层之间形成一第一空隙；(iv)在各第一空隙中形成一绝缘材料；(v)移除各绝缘材料的一部分，以形成多个第二空隙；(vi)在各第二空隙中形成一加热材料层；以及(vii)形成一接触结构于接触孔中。 1
技术研发人员：吴孝哲
受保护的技术使用者：江苏时代全芯存储科技有限公司;江苏时代芯存半导体有限公司;英属维京群岛商时代全芯科技有限公司
技术研发日：2016.03.08
技术公布日：2018.06.19