1.一种高压集成器件，包括：
具有第一导电性的半导体层；
具有第二导电性的源极区和具有第二导电性的漂移区，源极区和漂移区设置在半导体层内，并且通过沟道区而彼此间隔开；
漏极区，具有第二导电性，并且设置在漂移区内；
栅绝缘层，设置在沟道区之上；
第一场绝缘层和第二场绝缘层，设置在漂移区之上，并且在沟道区与漏极区之间，其中，第一场绝缘层和第二场绝缘层彼此间隔开；
绝缘层，设置在漂移区之上，并且位于第一场绝缘层与第二场绝缘层之间；以及
栅电极，设置在栅绝缘层、第一场绝缘层、绝缘层以及第二场绝缘层之上，
其中，第一场绝缘层与沟道区相邻接，而第二场绝缘层与漏极区相邻接。
2.如权利要求1所述的高压集成器件，其中，第一场绝缘层和第二场绝缘层具有大体上相同的厚度。
3.如权利要求1所述的高压集成器件，其中，第一场绝缘层的第一侧壁直接接触栅绝缘层的侧壁。
4.如权利要求3所述的高压集成器件，其中，第一场绝缘层的第一侧壁与漂移区的第一侧壁对齐，以及
其中，漂移区的第一侧壁与沟道区接触。
5.如权利要求4所述的高压集成器件，其中，绝缘层的第一侧壁直接接触第一场绝缘层的第二侧壁，以及
其中，绝缘层的第二侧壁直接接触第二场绝缘层的第一侧壁。
6.如权利要求5所述的高压集成器件，其中，第二场绝缘层的第二侧壁与漏极区的第二侧壁对齐。
7.如权利要求1所述的高压集成器件，其中，第一场绝缘层和第二场绝缘层中的每个具有倾斜的侧壁轮廓。
8.如权利要求1所述的高压集成器件，其中，第一场绝缘层在沟道长度方向测量的长度大体上等于第二场绝缘层在沟道长度方向测量的长度。
9.如权利要求1所述的高压集成器件，其中，第二场绝缘层在沟道长度方向测量的长度大于第一场绝缘层在沟道长度方向测量的长度。
10.如权利要求1所述的高压集成器件，其中，绝缘层的厚度大体上等于栅绝缘层的厚度。
11.如权利要求10所述的高压集成器件，其中，第一场绝缘层和第二场绝缘层中的每个具有大于绝缘层的厚度的厚度。
12.一种高压集成器件，包括：
具有第一导电性的半导体层；
具有第二导电性的源极区和具有第二导电性的漂移区，源极区和漂移区设置在半导体层内，并且通过沟道区彼此间隔开；
漏极区，具有第二导电性，并且设置在漂移区内；
栅绝缘层，设置在沟道区之上；
至少三个场绝缘层，设置在漂移区之上，并且在沟道区与漏极区之间，其中，场绝缘层彼此间隔开；
绝缘层，每个绝缘层设置在漂移区之上，并且每个绝缘层位于场绝缘层之间；以及
栅电极，设置在栅绝缘层、场绝缘层和绝缘层之上。
13.如权利要求12所述的高压集成器件，其中，场绝缘层具有大体上相同的厚度。
14.如权利要求12所述的高压集成器件，
其中，场绝缘层包括与沟道区最接近的第一场绝缘层，以及
其中，第一场绝缘层的第一侧壁直接接触栅绝缘层的侧壁。
15.如权利要求14所述的高压集成器件，
其中，第一场绝缘层的第一侧壁与在漂移区和沟道区之间的分界面对齐。
16.如权利要求14所述的高压集成器件，其中，绝缘层中的每个并排地直接接触场绝缘层中的一个或两个。
17.如权利要求14所述的高压集成器件，
其中，场绝缘层包括与漏极区最接近的第二场绝缘层，以及
其中，第二场绝缘层的侧壁与漏极区的侧壁对齐。
18.如权利要求12所述的高压集成器件，其中，场绝缘层中的每个具有倾斜的侧壁轮廓。
19.如权利要求12所述的高压集成器件，其中，场绝缘层在沟道长度方向测量的长度大体上彼此相等。
20.如权利要求12所述的高压集成器件，
其中，场绝缘层包括第一场绝缘层和第二场绝缘层，
其中，第二场绝缘层位于第一场绝缘层与漏极区之间，以及
其中，第二场绝缘层的长度大于第一场绝缘层的长度。
21.如权利要求12所述的高压集成器件，其中，绝缘层中的每个具有大体上等于栅绝缘层的厚度的厚度。
22.如权利要求21所述的高压集成器件，其中，场绝缘层中的每个比绝缘层的任何一个厚。