1.一种使用等离子体的成膜方法，其特征在于，其由处理气体生成等离子体并利用该等离子体在电子装置结构的楔形部形成包含硅原子的膜，
所述处理气体包含均不含氢原子的第一气体及第二气体，
所述第一气体包含硅原子及氟原子以外的卤原子，所述硅原子与所述卤原子的原子间键合力小于所述硅原子与所述氟原子的原子间键合力，
所述第二气体包含氮原子及氧原子中的至少任一种。
2.根据权利要求1所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述处理气体还包含四氟化硅气体。
3.根据权利要求2所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述第一气体为四氯化硅气体。
4.根据权利要求3所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述第二气体为氮气，所述包含硅原子的膜为氮化硅膜。
5.根据权利要求4所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述处理气体中，所述四氯化硅气体的流量相对于所述四氟化硅气体与所述四氯化硅气体的总流量的比率为12.5％～75％。
6.根据权利要求5所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述处理气体中，所述四氯化硅气体的流量相对于所述四氟化硅气体与所述四氯化硅气体的总流量的比率为25％～50％。
7.根据权利要求1或2所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述第一气体包含三氯氟化硅气体、二氯二氟化硅气体及一氯三氟化硅气体中的至少任一者。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述包含硅原子的膜为保护氧化物半导体的保护膜。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的使用等离子体的成膜方法，其特征在于，所述包含硅原子的膜为栅极绝缘膜。