使用等离子体的成膜方法与流程

技术总结
[课题]本发明提供能够利用电子装置结构的楔形部的膜提高覆盖率的使用等离子体的成膜方法。[解决手段]TFT(30)中，利用由包含四氟化硅气体、四氯化硅气体、氮气及氩气的处理气体生成的电感耦合等离子体形成由氮化硅膜构成的钝化层(37)。

技术研发人员：佐佐木和男;高藤哲也;片桐崇良
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
文档号码：201610439083
技术研发日：2016.06.17
技术公布日：2016.12.28