技术特征：
技术总结
一种半导体器件的形成方法，包括：提供待刻蚀材料层，所述待刻蚀材料层上具有阻挡层；在所述阻挡层的表面形成多个分立的牺牲层；在所述牺牲层的顶部表面和侧壁表面、以及阻挡层表面形成第一侧墙材料层；刻蚀第一侧墙材料层直至暴露出阻挡层表面和牺牲层的顶部表面，在所述牺牲层的侧壁形成第一侧墙，且第一侧墙材料层相对于阻挡层的刻蚀选择比值大于等于10；去除所述牺牲层后，以所述第一侧墙为掩膜刻蚀阻挡层和待刻蚀材料层。所述半导体器件的形成方法提高了半导体器件中图案的性能。
技术研发人员：张海洋;王彦
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2016.07.04
技术公布日：2018.01.12