1.一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，包括：
吸嘴驱动部，用于使助焊剂涂覆在凸点的倒装芯片移动到检查位置；
主照明部，用于向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光；
拍摄部，用于拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光；以及
视觉确认部，用于读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否，
所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。
2.如权利要求1所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
所述主照明部从所述凸点的下部的侧方向以倾斜的方向照射具有所述助焊剂能够最强地吸收的特定区域的波长范围的光，
照射到所述倒装芯片的凸点的所述光沿着所述倒装芯片的凸点的下方向反射。
3.如权利要求2所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
包括：反射部,用于将从所述倒装芯片的凸点反射的所述反射光的路径引导至所述拍摄部侧，
在所述反射部的下部侧还包括：辅助照明部，用于根据输入信号而使具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光照射到所述倒装芯片的凸点。
4.如权利要求3所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
所述反射部是分束器，用于使从所述辅助照明部照射的光透过，并使从所述倒装芯片的凸点反射的反射光反射。
5.如权利要求3所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
所述主照明部形成有透光孔，用于使从所述倒装芯片的凸点反射的反射光透过，并使从所述辅助照明部照射的光通过。
6.如权利要求1所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
从所述主照明部照射的光的波长范围是400nm～500nm区域的波长范围。
7.如权利要求1或6所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
将带通滤波器布置在所述主照明部，从而使具有所述特定区域的波长范围的光照射。
8.如权利要求3所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
从所述辅助照明部照射的光的波长范围是400nm～500nm区域的波长范围。
9.如权利要求3或8所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置，其中，
将带通滤波器布置在所述辅助照明部，从而使具有所述特定区域的波长范围的光照射。
10.一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，利用倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查装置检查倒装芯片的助焊剂涂覆状态的方法包括如下步骤：
(a)使涂覆有助焊剂的倒装芯片移动到检查位置；
(b)向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的光；
(c)拍摄从所述主照明部照射的所述光的反射光；
(d)读取通过所述拍摄部拍摄的视频或图像而显示助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆与否；
(e)在所述(d)步骤中，以如下方式进行检查：基于所述拍摄到的反射光，将具有相对较低的光强的反射光的位置判断为涂覆有助焊剂的位置；将具有相对较低的光强的位置判断为未涂覆有助焊剂的位置。