一种刻蚀方法和装置与流程

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种刻蚀方法和装置。

背景技术：

在半导体制造产业中，针对不同的刻蚀机、不同的刻蚀需求都会涉及到工艺配方，刻蚀机通过该工艺配方对晶片执行刻蚀的相关操作。其中，工艺配方中包含刻蚀加工过程的多个工艺项即步骤、各工艺项的工艺参数以及各工艺项持续时间。

目前，本领域技术人员通过同一刻蚀机对同一批晶片进行刻蚀时，均是为刻蚀机设置一套工艺配方，该批晶片中的每片晶片进行刻蚀时，均通过重复执行设置的工艺配方来完成整个刻蚀过程。其中，在该工艺配方中包括刻蚀项以及刻蚀项的相关配置，具体地，对刻蚀项的相关配置包括：刻蚀时间、刻蚀速率。也就是说，同一批晶片中的各片晶片在刻蚀时均会按照同一刻蚀速率刻蚀相同的时间。

现有的这种刻蚀方案，工艺配方中刻蚀时间均是通过理想的初始膜厚来确定的，而在实际实现过程中，一批晶片在刻蚀前还可能经过镀膜、剥离等操作，由于每项操作均会有一定的膜厚误差，因此，在进行刻蚀前的各片晶片的初始膜厚与理想膜厚会存在偏差，甚至是同一批晶片的各片晶片的初始膜厚都会不同。而在这种情况下，采用现有的将同一批晶片中的各片晶片按照同一刻蚀速率刻蚀相同的时间的方案，对同一批晶片进行刻蚀后，无法使各片晶片均能到目标膜厚的标准。

技术实现要素：

本发明提供了一种刻蚀方法和装置，以解决现有的刻蚀方案中对同一批晶片进行刻蚀后，无法使各片晶片均能到目标膜厚的标准的问题。

为了解决上述问题，本发明公开了一种刻蚀方法，包括：调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对 各工艺项的配置；判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；若否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；若是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。

优选地，在所述调用预先设置的工艺配方步骤之前，所述方法还包括：接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；将所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。

优选地，所述工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，在所述接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤之后，所述方法还包括：获取所述工艺配方中配置的所述最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；分别判断所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在所述最长刻蚀时间以及所述最短刻蚀时间之间；若否，则展示所述晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。

优选地，所述工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；所述判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项的步骤包括：判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；若否，则确定所述当前工艺项为非刻蚀项。

优选地，所述根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的步骤包括：通过以下公式生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。

为了解决上述问题，本发明还公开了一种刻蚀装置，包括：调用模块，用于调用预先设置的工艺配方，其中，所述工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断模块，用于判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项；第一执行模块，用于若所述判断模 块的判断结果为否，则按照所述工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行所述当前工艺项所指示的操作；第二执行模块，用于若所述判断模块的判断结果为是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取所述当前晶片对应的刻蚀时间，按照所述工艺配方中对所述刻蚀项的配置以及获取的所述刻蚀时间，对所述当前晶片进行刻蚀。

优选地，所述刻蚀装置还包括：接收生成模块，用于在所述调用模块调用预先设置的工艺配方之前，接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；缓存模块，用于将所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。

优选地，所述工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，所述刻蚀装置还包括：获取模块，用于在所述接收生成模块接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间之后，获取所述工艺配方中配置的所述最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；时间判断模块，用于分别判断所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在所述最长刻蚀时间以及所述最短刻蚀时间之间；展示模块，用于若所述时间判断模块的判断结果为否，则展示所述晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。

优选地，所述工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；所述判断模块判断当前执行的工艺项是否为调用的所述工艺配方中的刻蚀项时：判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；若否，则确定所述当前工艺项为非刻蚀项。

优选地，所述接收生成模块根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间时：通过以下公式生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。

与现有技术相比，本发明具有以下优点：

本发明提供的刻蚀方案，对晶片进行刻蚀的过程中，在执行工艺配方中 的各工艺项时，会判断当前执行的工艺项是否为刻蚀项，如果判断出当前执行的工艺项为非刻蚀项，则继续按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作。如果判断出当前执行的工艺项为刻蚀项时，则从缓存的刻蚀时间中获取与当前晶片对应的刻蚀时间，然后依据获取的刻蚀时间以及工艺配方中配置的刻蚀速率对当前晶片进行刻蚀。其中，预先在刻蚀装置中缓存待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是能够使各片晶片经刻蚀后分别达到目标膜厚的刻蚀时间，刻蚀时间可以根据各片晶片在刻蚀前的真实膜厚、目标膜厚以及工艺配方中配置的刻蚀速率得到。可见，通过本发明提供的刻蚀方案，按照缓存的与各片晶片对应的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，可以使同一批晶片刻蚀后的膜厚均达到目标膜厚的标准。

附图说明

图1是根据本发明实施例一的一种刻蚀方法的步骤流程图；

图2是根据本发明实施例二的一种刻蚀方法的步骤流程图；

图3是根据本发明实施例三的一种刻蚀方法的步骤流程图；

图4是根据本发明实施例四的一种刻蚀装置的结构框图；

图5是根据本发明实施例五的一种刻蚀装置的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参照图1，示出了本发明实施例一的一种刻蚀方法的步骤流程图。

本实施例的刻蚀方法包括以下步骤：

步骤S102：调用预先设置的工艺配方。

本实施例中，刻蚀机在对晶片进行刻蚀时，首先调用预先设置在刻蚀机中的工艺配方，依据该工艺配方中配置的工艺项即工艺步骤对晶片进行刻蚀操作。

其中，工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置。工艺项即工艺步骤包括：刻蚀项以及非刻蚀项例如：抽真空项、配气项、 退火项等，相应地，工艺项的配置包括但不限于：抽真空项的配置：真空度，配气项的配置：气体组分、气体组分配比，退火项的配置：温度、退火速率，刻蚀项的配置：刻蚀速率、刻蚀时间。

需要说明的是，本实施例中仅是以举例的形式介绍了工艺配方中的各工艺项，在实际实现过程中，本领域技术人员可以根据实际需求设置工艺配方中的各工艺项以及对各工艺项的配置进行设置，本申请对此不作具体限制。

步骤S104：判断当前执行的工艺项是否为调用的工艺配方中的刻蚀项；若是，则执行步骤S106，若否，则执行步骤S108。

工艺配方中包含了多个工艺项，光刻机在对晶片进行刻蚀操作时，按照工艺配方中配置的各工艺项的顺序依次执行各工艺项。在执行过程中，在执行某一工艺项前，首先判断当前执行的该工艺项是否为刻蚀项，然后根据判断结果执行后续的操作。

其中，光刻机在判断当前执行的工艺项是否为调用的工艺配方中的刻蚀项时，可以通过以下方式进行判断：

第一种可选的方式为：依据工艺项在工艺配方中的排序确定工艺项是否为刻蚀项，由于目前在进行刻蚀时常用的为抽真空、配气以及刻蚀流程，因此，刻蚀机根据当前工艺在工艺配方中的顺序即可判断出当前工艺是否为刻蚀项。

第二种可选的方式为：根据工艺项中的具体配置来确定当前执行的工艺项是否为刻蚀项，由于刻蚀项的相关配置中配置有刻蚀速率以及刻蚀时间，因此，如果刻蚀机判断出当前工艺项的相关配置中配置有刻蚀时间、刻蚀速率则可确定当前工艺项为刻蚀项。

第三种可选的方式为：在工艺配方中为各工艺项进行标识，刻蚀机通过工艺项对应的标识即可判定当前工艺项是否为刻蚀项，如，将刻蚀项的标识设定为“1”，非刻蚀项的标识设定为“0”，当然还有其他标识设置方式，本领域技术人员在实际实现过程中可以根据实际需求来对区分刻蚀项与非刻蚀项的标识进行设置，本实施例对此不作具体限制。

步骤S106：当判断出当前执行的工艺项为刻蚀项时，则从预先缓存的 刻蚀时间中获取当前晶片对应的刻蚀时间，按照工艺配方中对刻蚀项的配置以及获取的刻蚀时间，对当前晶片进行刻蚀。然后，返回执行步骤S104。

其中，预先缓存的当前晶片对应的刻蚀时间是能够使当前晶片刻蚀后满足目标膜厚的刻蚀时间。缓存的刻蚀时间的数量与待刻蚀的晶片的数量一致，并且，为了更好的将缓存的刻蚀时间与待刻蚀的晶片进行对应，可以对刻蚀时间进行编号，通过编号将刻蚀时间与待刻蚀的晶片进行对应，如：待刻蚀的第一片晶片对应的刻蚀时间编号设置为1。

需要说明的是，刻蚀机中缓存的刻蚀时间可以由设备操作人员即用户手动输入获得，也可以由刻蚀机依据各晶片的实测初始膜厚、目标膜厚以及刻蚀速率自动生成。

刻蚀机在判断出当前执行的工艺项为刻蚀项时，并不会采用工艺配方中配置的刻蚀时间，而是从预先缓存的刻蚀时间中获取当前晶片对应的刻蚀时间，采用获取的刻蚀时间替代工艺配方中设置的刻蚀时间，结合工艺配方中设置的其他刻蚀项的配置对当前晶片进行刻蚀。

本实施例中在通过步骤S106执行完刻蚀项后，刻蚀机会依据工艺配方中执行下一工艺项，此时，会返回执行步骤S104，直至工艺配方中配置的全部工艺项均操作完毕，至此，一片晶片的刻蚀操作全部完成。再重复执行本实施例中的刻蚀方法即可对下一片晶片进行刻蚀操作。

本实施例中，在对工艺配方进行配置时，可以在工艺配方中设置任意刻蚀时间，当然，也可以仅是在刻蚀项对应的配置中设置刻蚀时间项，但对具体的刻蚀时间不进行设置。

步骤S108：当判断出当前执行的工艺项为非刻蚀项时，则按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作。然后，返回执行步骤S104。

刻蚀机在判断出当前执行的工艺项为非刻蚀项时，通过步骤S108执行完当前工艺项所指示的操作后，刻蚀机会依据工艺配方中执行下一工艺项，此时，会返回执行步骤S104，直至工艺配方中配置的全部工艺项均操作完毕，至此，一片晶片的刻蚀操作全部完成。再重复执行本实施例中的刻蚀方 法继续对下一片晶片进行刻蚀操作。

通过本实施例提供的刻蚀方法，对晶片进行刻蚀的过程中，在执行工艺配方中的各工艺项时，会判断当前执行的工艺项是否为刻蚀项，如果判断出当前执行的工艺项为非刻蚀项，则继续按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作。如果判断出当前执行的工艺项为刻蚀项时，则从缓存的刻蚀时间中获取与当前晶片对应的刻蚀时间，然后依据获取的刻蚀时间以及工艺配方中配置的刻蚀速率对当前晶片进行刻蚀。其中，预先在刻蚀装置中缓存待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是能够使各片晶片经刻蚀后分别达到目标膜厚的刻蚀时间，刻蚀时间可以根据各片晶片在刻蚀前的真实膜厚、目标膜厚以及工艺配方中配置的刻蚀速率得到。可见，通过本实施例提供的刻蚀方法，按照缓存的与各片晶片对应的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，可以使同一批晶片刻蚀后的膜厚均达到目标膜厚的标准。

实施例二

参照图2，示出了本发明实施例二的一种刻蚀方法的步骤流程图。

本实施例中的刻蚀方法具体包括以下步骤：

步骤S202：刻蚀机接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间。

本实施例中以刻蚀机接收用户输入的刻蚀时间，对用户输入的刻蚀时间进行缓存为例对后续步骤进行说明。

步骤S204：刻蚀机获取工艺配方中配置的最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间。

本实施例中，工艺配方中除设置有对晶片进行刻蚀的工艺项、对各工艺项的配置外，还在刻蚀项的相关配置下配置有最长刻蚀时间和最短刻蚀时间，刻蚀机从工艺配方中即可获取到最长刻蚀时间和最短刻蚀时间。

本实施例中刻蚀机从工艺配方中获取配置的最长刻蚀时间和最短刻蚀时间来对用户输入的各片晶片对应的刻蚀时间进行初步判定，如果用户输入的刻蚀时间不在最长刻蚀时间和最短刻蚀时间内，则说明用户误输入了刻蚀时间，而如果按照用户误输入的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，将导致不能充分 刻蚀或过刻蚀，相应地晶片也将变成废片，影响产品的质量。本实施例中，刻蚀机对用户输入的刻蚀时间进行初步判定，当用户误输入刻蚀时间时，能够提醒用户刻蚀时间输入错误，能够有效避免因用户误输入刻蚀时间时而导致晶片过刻蚀后无法充分刻蚀而造成的废片。

步骤S206：刻蚀机分别判断待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间之间，若否，则执行步骤S208，若是，则执行步骤S210。

需要说明的是，在具体实现过程中，可以是在每接收到一个晶片对应的刻蚀时间后便进行一次判断，还可以是在接收完所有待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间后再一起进行判断。

本实施例中以刻蚀机接收用户输入的刻蚀时间，对用户输入的刻蚀时间进行缓存为例对后续步骤进行说明。另一种优选的获取待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间的方式为：根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间。当刻蚀机自动生成各片晶片对应的刻蚀时间时，由于该操作是设备执行的操作，不存在误输入的可能，因此，无需执行步骤S204至步骤S208，而直接在生成各片晶片对应的刻蚀时间后，执行步骤S210：将待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。

优选地，可以通过以下公式生成待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率，其中，初始膜厚为刻蚀前测量得到的晶片的实测初始膜厚，刻蚀速率为工艺配方中配置的刻蚀项的刻蚀速率。

步骤S208：若刻蚀机接收待刻蚀的晶片对应的刻蚀时间不在工艺配方中配置的最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间之间，则展示晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提示信息。返回执行步骤S202。

在展示提示信息时，可以在提示信息中包含不符合设定条件的刻蚀时间的具体编号，这样，用户即可通过提示信息确定输入的哪个刻蚀时间出现了问题，用户则需对不符合设定条件的刻蚀时间进行更正即执行步骤S202， 直至待刻蚀的各晶片对应的刻蚀时间均符合设定条件为止。

步骤S210：若刻蚀机接收待刻蚀的晶片对应的刻蚀时间在工艺配方中配置的最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间之间，将待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。

如果接收到的各个刻蚀时间均在配置的最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间之间，则说明输入的刻蚀时间均符合规定，用户并未出现误输入操作。此时，将接收到的待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存，以便在后续对待刻蚀的各片晶片进行刻蚀时调用。如果不对用户输入的刻蚀时间进行初步判定，当用户误输入刻蚀时间时，则可能导致晶片过刻蚀造成废片，影响产品的质量。

步骤S212：刻蚀机调用预先设置的工艺配方。

其中，工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置，并且，工艺配方中配置的各工艺项均设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识。

在具体实现过程中，本领域技术人员可以根据实际需求对标识进行设置，例如：将刻蚀项的标识设置为“True”将非刻蚀项的标识设置为“False”，或者，将刻蚀项的标识设置为“1”将非刻蚀项的标识设置为“0”，当然，还可以仅为刻蚀项设置标识，而不为非刻蚀项设置标识，本实施例对具体如何设置标识不作具体限制，只要满足通过标识能够区分中刻蚀项以及非刻蚀项即可。

步骤S214：刻蚀机判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；若是，则执行步骤S216，若否，则执行步骤S218。

工艺配方中包含了多个工艺项，光刻机在对晶片进行刻蚀操作时，按照工艺配方中配置的各工艺项的顺序依次执行各工艺项。在执行过程中，在执行某一工艺项前，首先判断当前执行的该工艺项对应的标识是否为刻蚀项对应的标识，然后根据判断结果执行后续的操作。

步骤S216：当刻蚀机判断当前执行的工艺项的标识为刻蚀项对应的标识时，则从预先缓存的刻蚀时间中获取当前晶片对应的刻蚀时间，按照工艺 配方中对刻蚀项的配置以及获取的刻蚀时间，对当前晶片进行刻蚀。然后，返回执行步骤S214。

对于缓存的各刻蚀时间可以通过编号与待刻蚀的各片晶片进行对应，例如：将待刻蚀的各片晶片按照刻蚀顺序编号为1-10，相应地，在缓存中依次将每片晶片对应的刻蚀时间编号为1-10，这样通过编号即可将刻蚀时间与待刻蚀晶片进行一一对应。

刻蚀机判断当前执行的工艺项的标识为刻蚀项对应的标识时则确定当前执行的工艺项为刻蚀项，此时，并不会采用工艺配方中配置的刻蚀时间，而是会从预先缓存的刻蚀时间中获取当前晶片对应的刻蚀时间，采用获取的刻蚀时间替代工艺配方中设置的刻蚀时间，结合工艺配方中设置的其他刻蚀项的配置(例如：刻蚀速率)对当前晶片进行刻蚀。

实施例中在通过步骤S216执行完刻蚀项后，刻蚀机会依据工艺配方中执行下一工艺项，刻蚀项可能并非工艺配方中的最后一项，因此，当刻蚀项并非工艺配方中的最后一项时，刻蚀机会返回执行步骤S214，直至工艺配方中配置的全部工艺项均操作完毕，至此，一片晶片的刻蚀操作全部完成。再重复执行本实施例中的刻蚀方法继续对下一片晶片进行刻蚀操作。

步骤S218：当刻蚀机判断当前执行的工艺项的标识为非刻蚀项对应的标识时，则按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作，并返回执行步骤S214。

刻蚀机判断当前执行的工艺项的标识为非刻蚀项对应的标识时则确定当前执行的工艺项为非刻蚀项，刻蚀机则按照步骤S218执行完当前工艺项所指示的操作。而该工艺项可能并非工艺配方中的最后一项，此时，刻蚀机则需要依据工艺配方执行下一工艺项，并返回执行步骤S214，直至工艺配方中配置的全部工艺项均操作完毕，至此，一片晶片的刻蚀操作全部完成。再重复执行本实施例中的刻蚀方法继续对下一片晶片进行刻蚀操作。

通过本实施例提供的刻蚀方法，除具有实施例一种的刻蚀方法可以使同一批晶片刻蚀后的均达到目标膜厚的标准外，还在工艺配方中配置最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，这样，当用户误输入刻蚀时间时即可给出输入的刻 蚀时间不符合标准的提示，能够避免由于用户误输入而导致的晶片过刻蚀造成的废片问题。

实施例三

参照图3，示出了本发明实施例三的一种刻蚀方法的步骤流程图。

本实施例中的刻蚀方法具体包括以下步骤：

步骤S302：刻蚀机接收用户手动输入的待刻蚀的每片晶片的刻蚀时间。

本具体实施例中以用户手动输入刻蚀时间为例进行的说明，在具体实现过程中，刻蚀时间还可以由刻蚀机根据待刻蚀的每片晶片的实测初始膜厚、目标膜厚以及工艺配方中配置的刻蚀速率自动生成。

其中，一种优选地计算刻蚀时间的方法为：刻蚀时间＝(测量膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率，测量膜厚即为晶片在刻蚀前的实测初始膜厚，该值可以通过膜厚测试仪测量得出。本发明中，在对一批晶片进行刻蚀前，会一一通过膜厚测试仪测量每片晶片的初始膜厚，然后一一通过上述公式计算各片晶片对应的刻蚀时间，这样，刻蚀后的每片晶片的厚度才会非常接近目标膜厚。

步骤S304：刻蚀机根据工艺配方获得刻蚀步的最大时间和最小刻蚀时间。

在工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项(即工艺步骤)以及对各工艺项的配置，并且，在该工艺配方中将Etch步的该项设置为True，即将刻蚀项的标识设置为“True”，将其余步骤均设置为False，即将非刻蚀项的标识设置为“False”。

同时，本实施例中在工艺配方中增加了刻蚀最大时间和刻蚀最小刻蚀时间的配置项，即在工艺配方中配置的最长刻蚀时间(EtchTimeMax)以及最短刻蚀时间(EtchTimeMin)。相应地，在编辑工艺配方时，需要对刻蚀最大和刻蚀最小时间进行配置。光刻机在自动开始任务前会根据工艺项的标识获知工艺配方中的刻蚀项，然后进一步地获取刻蚀项下配置的EtchTimeMax和EtchTimeMin的值，通过获得该值对用户输入的刻蚀时间进行判断，如果用户输入的刻蚀时间不满足设定条件，则弹出提示框以提示用户输入的刻蚀时间有误。

步骤S306：刻蚀机判断用户输入的刻蚀时间是否在最长刻蚀时间和最短刻蚀时间范围内，若是，则执行步骤S308，若否，则执行步骤S310。

如果用户输入的刻蚀时间不能全部在配置的最长刻蚀时间和最短刻蚀时间范围内，则无法开始自动任务，此时，刻蚀机则会抛出提示信息用于提示用户输入的刻蚀时间有误。

步骤S308：若用户输入的刻蚀时间均在配置的最长刻蚀时间和最短刻蚀时间范围内，则刻蚀机开始自动任务。然后，执行步骤S312。

若用户输入的刻蚀时间均在配置的最长刻蚀时间和最短刻蚀时间范围内，则说明用户输入的刻蚀时间满足设定条件，即可开始自动任务。

步骤S310：若用户输入的某一、或多个刻蚀时间不在配置的最长刻蚀时间和最短刻蚀时间范围内，则弹出提示框以提示用户刻蚀时间输入错误。然后，返回执行步骤S302。

但弹出提示框后，用户会对输入的错误的刻蚀时间进行更正，此时，刻蚀机会再次执行上述步骤S302，直至用户输入的全部刻蚀时间均符合条件为止。

步骤S312：刻蚀机获取预先设置的工艺配方。

本步骤中，工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置，并且，工艺配方中为刻蚀步即刻蚀项的标识设置为“True”，将非刻蚀步即非刻蚀项的标识设置为“False”。

步骤S314：刻蚀机判断当前执行的工艺步骤是否为刻蚀步，若是，则执行步骤S316，若否，则执行步骤S318。

本实施例中，在每次执行一个新的工艺步骤前都增加了isUseEtch项的判定，当执行到某一步即某一工艺项的标识为“True”时，则判定该工艺步骤为刻蚀步。

步骤S316：当刻蚀机判断当前执行的工艺步骤为刻蚀步时，刻蚀机获取用户输入的与当前晶片对应的刻蚀时间，结合工艺配方中对刻蚀步的配置以及获取的刻蚀时间，对当前晶片进行刻蚀。然后，执行步骤S320。

步骤S318：当刻蚀机判断当前执行的工艺步骤为非刻蚀步时，则按照 工艺配方中对当前工艺步骤的配置，对当前晶片进行当前工艺步骤所指示的操作。然后，执行步骤S320。

对于该步骤中的持续时间的控制，由于该步骤为非刻蚀步，所以依然依据工艺配方中配置的Time_init项(即持续时间)的值来控制本步骤的持续时间。

步骤S320：当前工艺步骤完成后，结束当前工艺步骤对应的自动工艺，执行工艺配方中的下一工艺步骤，并返回执行步骤S314。

需要说明的是，若当前工艺步骤为工艺配方中的最后一项工艺步骤，则无需返回执行步骤S314。

本实施例中的刻蚀方法具有与实施例二中所述的刻蚀方法相同的有益效果，具体效果参见实施例二中的相关内容即可，在此不再赘述。

实施例四

参照图4，示出了本发明实施例四中的一种刻蚀装置的结构框图。

本实施例的刻蚀装置包括：调用模块402，用于调用预先设置的工艺配方，其中，工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断模块404，用于判断当前执行的工艺项是否为调用的工艺配方中的刻蚀项；第一执行模块406，用于若判断模块404的判断结果为否，则按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作；第二执行模块408，用于若判断模块404的判断结果为是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取当前晶片对应的刻蚀时间，按照工艺配方中对刻蚀项的配置以及获取的刻蚀时间，对当前晶片进行刻蚀。

需要说明的是，该刻蚀装置可以为刻蚀机。

通过本实施例提供的刻蚀装置在对晶片进行刻蚀操作时在执行工艺配方中的各工艺项时，会判断当前执行的工艺项是否为刻蚀项，如果判断出当前执行的工艺项为非刻蚀项，则继续按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作。如果判断出当前执行的工艺项为刻蚀项时，则从缓存的刻蚀时间中获取与当前晶片对应的刻蚀时间，然后依据获取的刻蚀时间以及工艺配方中配置的刻蚀速率对当前晶片进行刻蚀。其 中，预先在刻蚀装置中缓存待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是能够使各片晶片经刻蚀后分别达到目标膜厚的刻蚀时间，刻蚀时间可以根据各片晶片在刻蚀前的真实膜厚、目标膜厚以及工艺配方中配置的刻蚀速率得到。可见，通过本实施例提供的刻蚀装置对晶片进行刻蚀操作时，刻蚀装置按照缓存的与各片晶片对应的刻蚀时间对晶片进行刻蚀，可以使同一批晶片刻蚀后的膜厚均达到目标膜厚的标准。

实施例五

参照图5，示出了本发明实施例五的一种刻蚀装置的结构框图。

本实施例对实施例四的刻蚀装置进行了进一步优化，优化后的刻蚀装置包括：调用模块502，用于调用预先设置的工艺配方，其中，工艺配方中设置有对晶片进行刻蚀的工艺项以及对各工艺项的配置；判断模块504，用于判断当前执行的工艺项是否为调用的工艺配方中的刻蚀项；第一执行模块506，用于若判断模块504的判断结果为否，则按照工艺配方中对当前工艺项的配置，对当前晶片进行当前工艺项所指示的操作；第二执行模块508，用于若判断模块504的判断结果为是，则从预先缓存的刻蚀时间中获取当前晶片对应的刻蚀时间，按照工艺配方中对刻蚀项的配置以及获取的刻蚀时间，对当前晶片进行刻蚀。

优选地，本实施例的刻蚀装置还包括：接收生成模块510，用于在调用模块502调用预先设置的工艺配方之前，接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；或者，根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成所述待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间；缓存模块512，用于将待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间进行缓存。

优选地，工艺配方中配置有最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间，本实施例的刻蚀装置还包括：获取模块514，用于在接收生成模块510接收待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间之后，获取工艺配方中配置的最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间；时间判断模块516，用于分别判断待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间是否在最长刻蚀时间以及最短刻蚀时间之间；展示模块518，用于若时间判断模块的判断结果为否，则展示晶片的刻蚀时间不符合设定条件的提 示信息。

优选地，工艺配方中配置的各工艺项设置有用于标定工艺项是否为刻蚀项的标识；判断模块504判断当前执行的工艺项是否为调用的工艺配方中的刻蚀项时：判断当前执行的工艺项的标识是否为刻蚀项对应的标识；若是，则确定当前工艺项为刻蚀项；若否，则确定当前工艺项为非刻蚀项。

优选地，接收生成模块510根据待刻蚀的各片晶片的初始厚度、目标厚度以及刻蚀速率自动生成待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间时：通过以下公式生成待刻蚀的各片晶片对应的刻蚀时间：刻蚀时间＝(初始膜厚-目标膜厚)÷刻蚀速率。

本实施例的刻蚀装置用于实现前述实施例一、实施例二以及实施例三中相应的刻蚀方法，并且具有相应的方法实施例的有益效果，在此不再赘述。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。对于系统实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

以上对本发明所提供的一种刻蚀方法和装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。