显示设备的制作方法

技术领域

一个或更多个示例性实施例涉及显示设备，更具体地讲，涉及包括发光二极管的显示设备。

背景技术：

发光二极管(“LED”)是通过利用化合物半导体特性将电信号转换为光(诸如红外线、可见光线等)的形式的装置。LED广泛用于家用电器、遥控器、电子显示板和各种自动化装置。随着LED应用于广泛范围的电子装置中，LED的使用领域正在从小型手持式电子装置向大型显示装置不断扩大。

技术实现要素：

利用发光二极管(“LED”)的显示设备通常具有小的发光区域，并可能由此使显示质量劣化。一个或更多个示例性实施例涉及具有允许包括具有小的发射部分的发光二极管(“LED”)的显示设备的发射区域被扩大的结构的显示设备。

根据示例性实施例，显示设备包括：基底；发光二极管，位于基底上；像素分离层，围绕发光二极管；光分散层，布置在发光二极管和像素分离层上。

在示例性实施例中，显示设备还可以包括位于发光二极管和光分散层之间的无机层，其中，无机层覆盖发光二极管。

在示例性实施例中，所述显示设备还可以包括布置在无机层和光分散层之间的透镜，其中，透镜在发光二极管和像素分离层之间覆盖发光二极管。

在示例性实施例中，透镜的折射率可以低于发光二极管的折射率并且可以高于空气的折射率。

在示例性实施例中，像素分离层可以具有比透镜的高度低的高度，并且可以具有凹的上表面。

在示例性实施例中，像素分离层可以具有比透镜的高度低的高度，并且可以具有凸的上表面。

在示例性实施例中，所述显示设备还可以包括位于发光二极管和像素分离层之间并且布置在光散射层之下的透镜，其中，透镜覆盖发光二极管。

在示例性实施例中，透镜的折射率可以低于发光二极管的折射率并且可以高于空气的折射率。

在示例性实施例中，像素分离层可以具有比透镜的高度低的高度，并且可以具有凸的上表面。

在示例性实施例中，像素分离层可以具有比透镜的高度低的高度，并且可以具有凹的上表面。

在示例性实施例中，像素分离层可以包括光反射材料。

在示例性实施例中，像素分离层可以包括光散射材料。

在示例性实施例中，像素分离层可以包括能够吸收至少一部分光的材料。

在示例性实施例中，光分散层可以包括透明介质和在透明介质中的微粒。

根据另一示例性实施例，制造显示设备的方法包括：在基底上设置发光二极管；在基底上设置像素分离层以围绕发光二极管；在发光二极管和像素分离层上设置光分散层。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括在设置像素分离层之前设置覆盖发光二极管的无机层。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括在设置光分散层之前在发光二极管和像素分离层之间设置覆盖发光二极管的透镜。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括在设置光分散层之前设置覆盖发光二极管的透镜，设置光分散层的步骤可以包括在透镜和像素分离层上设置光分散层。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括在设置像素分离层之前设置覆盖发光二极管的透镜，设置像素分离层的步骤可以包括围绕透镜设置像素分离层。

在示例性实施例中，所述方法还可以包括在设置透镜之前设置覆盖发光二极管的无机层，设置透镜的步骤可以包括在无机层上设置透镜。

附图说明

通过下面结合附图对示例性实施例的描述，这些和/或其他特征将变得清楚且更易于理解，在附图中：

图1是根据示例性实施例的显示设备的平面图；

图2A是沿图1中的线X-X'的像素的放大平面图；

图2B是沿图1的线X-X'截取的剖视图；

图2C是根据可替代的示例性实施例的显示设备的像素的放大平面图；

图3是根据可替代的示例性实施例的沿显示设备的线X-X'截取的剖视图；

图4A和图4B是示出制造图3的显示设备的方法的示例性实施例的剖视图；

图5是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备的线X-X'截取的剖视图；

图6A至图6C是示出制造图5的显示设备的方法的示例性实施例的剖视图；

图7是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备的线X-X'截取的剖视图；

图8A至图8C是示出制造图7的显示设备的方法的示例性实施例的剖视图；

图9是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备的线X-X'截取的剖视图；

图10A至图10C是示出制造图9的显示设备的方法的示例性实施例的剖视图；

图11是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备的线X-X'截取的剖视图；

图12A至图12D是示出制造图11的显示设备的方法的示例性实施例的剖视图；

图13是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备的线X-X'截取的剖视图；

图14A至图14D是示出制造图13的显示设备的方法的示例性实施例的剖视图；

图15是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备的线X-X'截取的剖视图。

具体实施方式

现在将对示例性实施例做出详细参考，示例性实施例的示例在附图中示出，其中，同样的附图标记始终指示同样的元件。在这方面，给出的示例性实施例可以具有不同形式并且不应被解释为局限于在此阐述的描述。因此，下面仅通过参照附图描述示例性实施例以解释本描述的多个方面。“或”意指“和/或”。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关列出项的任意和所有组合。当诸如“……中的至少一个(种)”的表述在一列元件(要素)之后时，修饰整列元件(要素)而不是修饰该列中的个别元件(要素)。

将理解的是，尽管在这里可以使用术语“第一”、“第二”等来描述各种组件，但这些组件不应被这些术语限制。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一元件、组件、区域、层或部分区分开。因此，在没有脱离这里的教导的情况下，下面讨论的第一“元件”、“组件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、组件、区域、层或部分。

如在这里使用的，除非上下文清楚地另有指示，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意在包括复数形式。

还将理解的是，当在这里使用术语“包含”及其变型或者“包括”及其变型时，表示存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或添加一个或更多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。

将理解的是，当层、区域或组件被称为“在”另一层、区域或组件“上”时，该层、区域或组件可以直接在所述另一元件上或者在它们之间可存在中间元件。相反，当元件被称为“直接在”另一元件“上”时，不存在中间元件。

这里使用的“大约”或“近似”包括所述值，并意味着：考虑到正在被谈及的测量以及与具体量的测量有关的误差(即，测量系统的局限性)，在由本领域的普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围之内。例如，“大约”可以表示在一个或更多个标准偏差内，或者在所述值的±30％、±20％、±10％、±5％之内。

除非另有定义，否则在这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与此公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。还将理解的是，除非这里明确地如此限定，否则术语(诸如在常用词典中定义的术语)应被解释为具有与所述术语在相关领域和本公开的环境中的含义一致的含义，而不将以理想化或过于形式化的含义被解释。

这里参照作为理想化的实施例的示意性图示的剖视图来描述示例性实施例。如此，将预计出现例如由制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，这里描述的实施例不应被解释为局限于如这里示出的区域的具体形状，而将包括例如由制造产生的形状的偏差。例如，示出或描述为平面的区域可以通常具有粗糙和/或非线性特征。另外，示出的锐角可以被倒圆。因此，在附图中示出的区域实际上是示意性的，并且它们的形状并不意在示出区域的精确形状且不意在限制给出的权利要求的范围。

在下文中，将参考附图详细地描述发明的示例性实施例。

图1是根据示例性实施例的显示设备100的平面图。图2A是沿图1中的线X-X'的像素的放大平面图，图2B是沿图1的线X-X'截取的剖视图，图2C是根据可替代的示例性实施例的显示设备的像素的放大平面图。

参照图1，显示设备100的示例性实施例可以包括显示单元110和驱动器120。显示单元110可以包括以矩阵形式布置在基底上的多个像素P。驱动器120可以包括扫描驱动器和数据驱动器，扫描驱动器用于将扫描信号施加到连接到像素P的扫描线，数据驱动器用于将数据信号施加到连接到像素P的数据线。驱动器120可以布置在基底上的非显示区域中，非显示区域可以围绕其中布置有像素P的显示区域。驱动器120可以包括直接安装在其上设置有显示单元110的基底上或者可安装在柔性印刷电路膜上的集成电路芯片。可替代地，驱动器120可以按带载封装(“TCP”)的形式粘结到基底，或者可以直接形成在基底上。

参照图2A和图2B，每个像素P可以包括发光二极管(“LED”)300和连接到LED 300的像素电路。像素电路可以包括晶体管(“TFT”)和电容器。像素电路连接到彼此交叉的扫描线和数据线中的每个。图2B示出每个像素P的像素电路包括单个TFT的示例性实施例。

缓冲层111可以设置在基底101上，TFT和LED 300可以设置在缓冲层111上。

例如，基底101可以包括玻璃或塑料。缓冲层111可以有效地防止杂质元素渗入到基底101中并且使基底101平坦化。缓冲层111可以具有单层结构或多层结构，单层结构或多层结构的层包括诸如SiN_x和/或SiO_x的无机材料。

TFT可以包括有源层210、栅电极220、源电极230a以及漏电极230b。有源层210可以包括半导体材料，并且可以具有源区、漏区以及在有源层210的源区和漏区之间的沟道区。栅电极220与沟道区对应地设置在有源层210上。源电极230a和漏电极230b分别电连接到有源层210的源区和漏区。包括无机绝缘材料的第一绝缘层113作为栅极绝缘层设置在有源层210和栅电极220之间。第二绝缘层115作为层间绝缘层设置在栅电极220和源电极230a/漏电极230b之间。第三绝缘层117作为平坦化层设置在源电极230a/漏电极230b上。第二绝缘层115和第三绝缘层117可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。在一个示例性实施例中，例如，第二绝缘层115和第三绝缘层117可以具有包括有机绝缘材料或无机绝缘材料的单层结构。可替代地，第二绝缘层115和第三绝缘层117可以具有包括有机绝缘材料的层和包括无机绝缘材料的层的多层结构。

图2B示出包括顶栅型TFT的一个示例性实施例，其中，栅电极220设置在有源层210上。然而，本发明构思不限于此，在可替代的示例性实施例中，栅电极220可以设置在有源层210之下。

限定像素区域的堤层400可以布置在第三绝缘层117上。堤层400包括经由其限定用于容纳LED 300的凹部430的第一堤410。第一堤410的高度可以由LED 300的高度和视角来确定。凹部430的尺寸(宽度)可以由显示设备100的分辨率、像素密度等来确定。根据示例性实施例，LED 300的高度可以大于第一堤410的高度。虽然图2A示出凹部430具有四边形形状的一个示例性实施例，但是示例性实施例不限于此。可替代地，凹部430可以具有包括多边形、矩形、圆形、圆锥、椭圆形、三角形等的各种各样的形状。

第一电极510沿凹部430的侧表面和底表面布置，并且第一堤410的上表面围绕凹部430。第一电极510经由形成在第三绝缘层117中的通孔电连接到TFT的源电极230a或漏电极230b。在这样的实施例中，如图2B所示，第一电极510电连接到漏电极230b。

堤层400还可以包括在第一堤410上的第二堤420。第一堤410和第二堤420限定阶梯部，第二堤420的宽度可以小于第一堤410的宽度。当从俯视图(其是在显示设备100的厚度方向上的平面图)观看时，第二堤420的一侧与第一堤410的一侧分隔开，并且第二堤420可以或可以不覆盖第一电极510的位于第一堤410上的一部分。

电连接到第二电极530的导电层550设置在第二堤420上。在导电层550与第一电极510绝缘的示例性实施例中，可以省略第二堤420，并且导电层550可以设置在第一堤410上。可替代地，如图2C所示，可以省略第二堤420和导电层550，第二电极530可以作为用于像素P的共电极设置在基底101上方，例如，遍及基底101形成。导电层550可以在与数据线或扫描线平行的方向上布置。

第一堤410和第二堤420可以包括能够吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料。第一堤410和第二堤420可以包括相对于可见光线(例如，大约380纳米(nm)至大约750nm的波长范围的光)的半透明或非透明(不透明)绝缘材料。第一堤410和第二堤420可以包括从如下材料中选择的至少一种，但不限于此：热塑性树脂，诸如聚碳酸酯(“PC”)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(“PET”)、聚醚砜(“PES”)、聚乙烯醇缩丁醛、聚亚苯基醚、聚酰胺、聚醚酰亚胺、降冰片烯系树脂、甲基丙烯酸树脂和环状聚烯烃系；热固性树脂，诸如环氧树脂、酚醛树脂、聚氨酯树脂、丙烯酸树脂、乙烯基酯树脂、酰亚胺类树脂、聚氨酯类树脂、尿素树脂和三聚氰胺树脂；以及有机绝缘材料，诸如聚苯乙烯、聚丙烯腈和聚碳酸酯。第一堤410和第二堤420可以包括诸如无机氧化物材料或无机氮化物材料的无机绝缘材料，诸如SiO_x、SiN_x、SiN_xO_y、AlO_x、TiO_x、TaO_x和ZnO_x。然而，第一堤410和第二堤420的材料不限于此。根据示例性实施例，第一堤410和第二堤420可以包括诸如黑矩阵材料的非透明材料。在这样的实施例中，绝缘黑矩阵材料可以包括从如下材料中选择的至少一种：树脂或膏，包括有机树脂、玻璃膏和黑色颜料；以及金属颗粒(诸如镍、铝、钼、它们的合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。根据另一示例性实施例，第一堤410和第二堤420可以是具有高反射的分布式布拉格反射器(“DBR”)或包括金属的镜面反射器。

LED 300设置在由第一堤410限定的凹部430中。在示例性实施例中，LED 300可以是微型LED。这里，术语“微型”可以表示大约1微米(μm)至大约100μm的尺寸。然而，示例性实施例不限于此，LED 300可以具有比大约1μm至大约100μm大或者比大约1μm至大约100μm小的尺寸。在一个示例性实施例中，例如，单个LED 300或多个LED 300可以通过运输装置从晶圆上拾起并且转移到基底101上，以容纳在基底101的凹部430中。根据示例性实施例，在设置或形成第一堤410和第一电极510之后，可以将LED300容纳在基底101的凹部430中。根据另一示例性实施例，在进一步设置或形成第二堤420和导电层550之后，可以将LED 300转移到基底101上以容纳在基底101的凹部430中。LED 300可以是彩色LED，例如，红LED、绿LED、蓝LED或白LED，或者紫外(“UV”)LED。

LED 300可以包括p-n二极管380、第一接触电极310和第二接触电极390。第一接触电极310和/或第二接触电极390可以包括一个或更多个层，并且可以包括导电材料，所述导电材料包括金属、导电氧化物或导电聚合物。第一接触电极310和第二接触电极390可以选择地包括反射层，例如银层。第一接触电极310电连接到第一电极510，第二接触电极390电连接到第二电极530。p-n二极管380可以包括p掺杂层330、量子阱层350以及n掺杂层370，p掺杂层330位于p-n二极管380的底部中，n掺杂层370位于p-n二极管380的上部中。根据可替代的示例性实施例，p掺杂层330可以在p-n二极管380的上部中，n掺杂层370可以在p-n二极管380的底部中。p-n二极管380可以具有线性侧壁、或者从顶部至底部或从底部至顶部逐渐变细的锥形侧壁。

第一电极510可以包括反射电极并且可以包括一个或更多个层。在一个示例性实施例中，例如，第一电极510可以包括诸如铝、钼、钛、钨、银、金的金属元素或它们的合金。第一电极510可以包括包含导电材料的透明导电层、以及反射层。导电材料可以包括碳纳米管膜、透明导电聚合物或透明导电氧化物(“TCO”)。TCO可以包括氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、ZnO或In₂O₃。根据示例性实施例，第一电极510可以具有三层结构，所述三层结构包括上透明导电层、下透明导电层以及在上透明导电层和下透明导电层之间的反射层。第二电极530可以包括透明或半透明电极。在一个示例性实施例中，例如，第二电极530可以包括上述透明导电材料，并且可以包括从Ag、Al、Mg、Li、Ca、Cu、LiF/Ca、LiF/Al、MgAg和CaAg中选择的至少一种。

钝化层520围绕处于凹部430中的LED 300。钝化层520通过填充堤层400和LED 300之间的空间来覆盖凹部430和第一电极510。钝化层520可以包括有机绝缘材料。在一个示例性实施例中，例如，钝化层520可以包括从压克力、聚(甲基丙烯酸甲酯)(“PMMA”)、苯并环丁烯(“BCB”)、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂和聚酯等中选择的至少一种，但不限于此。钝化层520可以具有确定不覆盖LED 300的上部(例如第二接触电极390)的高度，使得第二接触电极390被暴露。第二电极530电连接到LED 300的暴露的第二接触电极390，并且导电层550设置在钝化层520上。

图2B示出垂直式微型LED的示例性实施例。然而，示例性实施例不限于此，可替代地，例如，LED 300可以是第一接触电极和第二接触电极布置在同一方向上的倒装式微型LED、或者水平式微型LED。在这样的实施例中，第一电极和第二电极的位置可以与第一接触电极和第二接触电极的位置对应。

在下文中，在用于描述工艺的附图中，为便于描述起见，将省略除在图2B的显示设备100的像素结构中的LED 300之外的组件。因此，在下文中，将通过侧重于在如以上参考图2B所描述的将LED 300转移到其上形成有像素电路和第一电极510的基底101上以及形成电连接到LED 300的第二电极530之后的操作来描述工艺。

图3是根据另一示例性实施例的显示设备100A的剖视图。图4A和图4B是示出制造图3的显示设备100A的方法的示例性实施例的剖视图。

参照图3，根据示例性实施例，显示设备100A还可以包括设置在图2B的基底101上的像素分离层600和光分散层700。

参照图3和图4A，可以在处于图2B的基底101上的堤层400之上设置或形成像素分离层600。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、光刻、化学气相沉积(“CVD”)等的各种方法来形成像素分离层600。在一个示例性实施例中，例如，将用于形成像素分离层600的墨装载到堤层400上。在这样的实施例中，可以通过热固化和/或UV固化来使所装载的墨固化，以形成像素分离层600。由于墨的表面张力，像素分离层600可以具有凸的近似半球形状。

堤层400的高度和像素分离层600的高度的总和大于LED 300的高度。与堤层400相似，像素分离层600可以限定像素区域，并且可以通过包括能够吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料来充当具有低透光率的光屏蔽单元。像素分离层600可以包括对于可见光线的半透明或非透明(不透明)绝缘材料。例如，像素分离层600可以包括从压克力、光致抗蚀剂、SiO₂、SiN_x、PMMA、BCB、聚酰亚胺、丙烯酸酯、环氧树脂和聚酯中选择的至少一种，但不限于此。根据示例性实施例，像素分离层600可以包括诸如黑矩阵材料的非透明材料。在这样的实施例中，像素分离层600可以包括绝缘黑矩阵材料，所述绝缘黑矩阵材料包括：树脂或膏，包括有机树脂、玻璃膏和黑色颜料；或者金属颗粒(诸如镍、铝、钼、它们的合金)、金属氧化物颗粒(例如，氧化铬)或金属氮化物颗粒(例如，氮化铬)。根据另一示例性实施例，像素分离层600可以是具有高反射的DBR或镜面反射器。

在堤层400和像素分离层600包括半透明或非透明绝缘材料的这样的实施例中，堤层400和像素分离层600吸收、散射或反射来自相邻像素的光，以有效地防止光行进到相邻像素。因此，在这样的实施例中，有效地防止了相邻像素之中的颜色混合和串扰。在堤层400和像素分离层600包括能够吸收光的材料的示例性实施例中，显示设备100A可以减少外部的光反射。在堤层400和像素分离层600包括散射和/或反射光的材料的示例性实施例中，显示设备100A可以实现高亮度。通过控制堤层400和像素分离层600的反射率而被散射或反射的光可以具有白色、灰色或黑色，或者与入射光相同的颜色。

接着，参照图4B，可以在整个基底101上设置或形成光分散层700并使光分散层700覆盖LED 300和像素分离层600。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射、CVD等来形成光分散层700。在一个示例性实施例中，例如，可以在如图4A中示出的基底101上设置(例如，涂覆)包括微粒的介质，并且通过热固化和/或UV固化来使被涂覆的介质固化，以形成光分散层700。

光分散层700具有平坦化的功能，并且还散射从LED 300发射的光，以提高光提取效率。光分散层700可以包括分布于诸如透明粘合剂的透明介质中的用于光分散的微粒。微粒的尺寸可以是几十纳米至几微米。粘合剂可以包括透明材料，诸如压克力、聚氨酯或环氧树脂等。微粒可以是透明有机颗粒或无机颗粒。有机颗粒可以包括通过形成颗粒层并用另一类型的单体覆盖所述颗粒层制成的多层的多组分颗粒，所述颗粒层包括丙烯酸类颗粒(包括甲基丙烯酸甲酯或2-乙基己基丙烯酸酯)均聚物或共聚物、烯烃类颗粒(诸如聚乙烯)以及丙烯酸和烯烃类颗粒共聚物和均聚物中的至少一种。

无机颗粒可以包括从氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化锆和氟化镁中选择的至少一种。

图5是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备100B的线X-X'截取的剖视图。图6A至图6C是示出制造图5的显示设备100B的方法的示例性实施例的剖视图。

参照图5，根据示例性实施例，显示设备100B还可以包括在图2B的基底101上的像素分离层600、光分散层700和透镜800。除透镜800之外，图5中的显示设备的剖视图与图3中的显示设备的剖视图基本相同。已经利用与上面使用的用于描述图3中示出的显示设备的示例性实施例的相同的标号符来标记图5中示出的相同或相似的元件，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。

参照图6A，可以在处于图2B的基底101上的堤层400上设置或形成像素分离层600。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、光刻、CVD等的各种方法来形成像素分离层600。像素分离层600可以具有凸的近似半球形状。堤层400和像素分离层600的高度的总和可以大于LED 300的高度。与堤层400相似，像素分离层600可以通过包括能够吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料来充当具有低透光率的光屏蔽单元。根据示例性实施例，像素分离层600可以包括相对于可见光线的半透明绝缘材料或非透明绝缘材料(诸如黑矩阵材料)。根据另一示例性实施例，像素分离层600可以是具有高反射的DBR或镜面反射器。

接着，参照图6B，可以在其上形成有像素分离层600的基底101上设置或形成透镜800，以覆盖LED 300。针对每个像素P在光出去的一侧上设置透镜800，并且使透镜800具有与像素P的布置对应的矩阵布置。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成透镜800。在一个示例性实施例中，例如，按照预定的节距将用于形成透镜800的墨装载在LED300上。装载的墨具有近似半球形透镜的形状。接下来，通过热固化和/或UV固化来使装载的墨固化，以形成透镜800。透镜800覆盖像素分离层600的侧表面的一部分、钝化层520的上部和在LED 300上的第二电极530的一部分。可以根据开口率来调整像素分离层600和透镜800的高度。在示例性实施例中，透镜800的最凸部分的高度可以比堤层400和像素分离层600的高度的总和大，从而实现高开口率。

透镜800可以包括透明聚合物，诸如环氧树脂、硅树脂和聚氨酯。根据示例性实施例，透镜800可以包括热塑性树脂、热固性树脂或其混合物。在一个示例性实施例中，例如，透镜800可以包括从如下材料中选择的至少一种：丙烯酸树脂，诸如聚甲基丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸羟乙酯和聚甲基丙烯酸环己脂；烯丙基树脂，诸如聚二甘醇双烯丙基碳酸酯(polydiethylene glycol-bis-allyl carbonate)和聚碳酸酯；甲基丙烯酸树脂；聚氨酯树脂；聚酯树脂；聚氯乙烯树脂；聚乙酸乙烯酯树脂；纤维素树脂；聚酰胺树脂；氟化物树脂；聚丙烯树脂；以及聚苯乙烯树脂。

透镜800可以包括折射率n_lens比约1大的材料。可以选择透镜800中包括的材料，使得透镜800的折射率n_lens、LED 300的折射率n_LED和空气的折射率n_air满足下面不等式：n_air<n_lens<n_LED。在还包括透镜800的这样的实施例中，可以减少界面上的折射率的差异，因此可以减少LED 300到空气的光损失。

接着，参照图6C，可以在整个基底101上设置或形成光分散层700，以覆盖透镜800和像素分离层600。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成光分散层700。光分散层700可以包括分布在诸如透明粘合剂的透明介质上的用于光分散的微粒。

从LED 300发出的光穿透透镜800并且通过光分散层700出现在外部。

图7是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备100C的线X-X'截取的剖视图。图8A至图8C是示出制造图7的显示设备100C的方法的示例性实施例的剖视图。

参照图7，根据示例性实施例，显示设备100C还可以包括位于图2B的基底101上的像素分离层600、光分散层700和透镜800。除在透镜800上设置像素分离层600和光分散层700之外，图7中的显示设备的剖视图与图5中的显示设备的剖视图基本相同。已经利用与上面使用的用于描述图5中示出的显示设备的示例性实施例相同的标号符来标记图7中示出的相同或相似的元件，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。

参照图8A，在示例性实施例中，在图2B的基底101上设置或形成覆盖LED 300的透镜800。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射、CVD等来形成透镜800。透镜800可以包括透明聚合物，诸如环氧树脂、硅树脂和聚氨酯。透镜800具有近似半球形透镜的形状。在这样的实施例中，在设置像素分离层600之前设置透镜800，这样的实施例的透镜800可以比图5的示例性实施例的透镜800更接近半球形状。透镜800覆盖钝化层520的上部和位于LED 300上的第二电极530的一部分。

接着，参照图8B，在透镜800之间设置或形成(例如，在相邻的透镜800之间限定的空间中填充)像素分离层600。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、光刻、CVD等的各种方法来形成像素分离层600。与堤层400相似，像素分离层600可以通过包括吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料来充当具有低透光率的光屏蔽层。根据示例性实施例，像素分离层600可以包括相对于可见光线的半透明绝缘材料或非透明绝缘材料(诸如黑矩阵材料)。根据可替代的示例性实施例，像素分离层600可以是具有高反射的DBR或镜面反射器。在这样的实施例中，在设置透镜800之后设置像素分离层600，像素分离层600可以与透镜800的外部接触，例如透镜800的外表面或上表面。像素分离层600具有凹的上部并且可以低于透镜800设置。

接着，参照图8C，在整个基底101上设置或形成光分散层700，以覆盖透镜800和像素分离层600。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成光分散层700。光分散层700可以包括分布在诸如透明粘合剂的透明介质上的用于光分散的微粒。

图9是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备100D的线X-X'截取的剖视图。图10A至图10C是示出制造图9的显示设备100D的方法的示例性实施例的剖视图。

参照图9，根据示例性实施例，显示设备100D还可以包括位于图2B的基底101上的像素分离层600、光分散层700和保护层900。除保护LED 300和第二电极530的保护层900之外，图9中的显示设备的剖视图与图3中的显示设备的剖视图基本相同。已经利用与上面使用的用于描述图5中示出的显示设备的示例性实施例相同的标号符来标记图7中示出的相同或相似的元件，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。

参照图10A，在示例性实施例中，在图2的基底101上设置或形成保护层900并且使保护层900覆盖LED 300和第二电极530。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成保护层900。保护层900可以是无机绝缘层。保护层900可以具有包括绝缘层的单层结构或多层结构，所述绝缘层包括从SiO₂、SiN_x、SiON、Al₂O₃、TiO₂、Ta₂O₅、HfO₂、ZrO₂、(Ba,Sr)TiO₃(“BST”)和Pb(Zr,Ti)O₃(“PZT”)中选择的至少一种材料。通过保护层900，可以防止当形成像素分离层600和光分散层700时LED 300可能发生的损坏。

接着，参照图10B，在堤层400上设置或形成像素分离层600。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、光刻、CVD等的各种方法来形成像素分离层600。像素分离层600可以具有凸的近似半球形状。堤层400和像素分离层600的高度的总和大于LED 300的高度。与堤层400相似，像素分离层600可以通过包括吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料来充当具有低透光率的光屏蔽层。根据示例性实施例，像素分离层600可以包括相对于可见光线的半透明绝缘材料或非透明绝缘材料(诸如黑矩阵材料)。根据另一示例性实施例，像素分离层600可以是具有高反射的DBR或镜面反射器。

接着，参照图10C，在整个基底101上设置或形成光分散层700并且使光分散层700覆盖保护层900和像素分离层600。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成光分散层700。光分散层700可以包括分布在诸如透明粘合剂的透明介质中的用于光分散的微粒。

图11是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备100E的线X-X'截取的剖视图。图12A至图12D是示出制造图11的显示设备100E的方法的示例性实施例的剖视图。

参照图11，根据示例性实施例，显示设备100E还可以包括位于图2B的基底101上的像素分离层600、光分散层700、透镜800和保护层900。除透镜800外，图11中的显示设备的剖视图与图9中的显示设备的剖视图基本相同。已经利用与上面使用的用于描述图9中示出的显示设备的示例性实施例相同的标号符来标记图11中示出的相同或相似的元件，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。

参照图12A，在示例性实施例中，在图2的基底101上设置或形成保护层900并且使保护层900覆盖LED 300和第二电极530。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成保护层900。保护层900可以是无机绝缘层。保护层900可以防止当在保护层900之后形成像素分离层600、透镜800和光分散层700时LED 300可能发生的损坏。

接着，参照图12B，在保护层900上与堤层400对应地设置或形成像素分离层600。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、光刻、CVD等的各种方法来形成像素分离层600。像素分离层600可以具有凸的近似半球形状。堤层400和像素分离层600的高度的总和大于LED 300的高度。与堤层400相似，像素分离层600可以通过包括吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料来充当具有低透光率的光屏蔽层。根据示例性实施例，像素分离层600可以包括相对于可见光线的半透明绝缘材料或非透明绝缘材料(诸如黑矩阵材料)。根据另一示例性实施例，像素分离层600可以是具有高反射的DBR或镜面反射器。

接着，参照图12C，在其上形成有像素分离层600的基底101上设置或形成透镜800以覆盖LED 300。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成透镜800。透镜800可以包括诸如环氧树脂、硅树脂和聚氨酯的透明聚合物。透镜800具有近似半球形透镜的形状。透镜800覆盖像素分离层600的侧表面的一部分、钝化层520的上部和位于LED 300上的第二电极530的一部分。透镜800的高度比堤层400和像素分离层600的高度的总和大。

接着，参照图12D，在整个基底101上设置或形成光分散层700并且使光分散层700覆盖像素分离层600和透镜800。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成光分散层700。光分散层700可以包括分布在诸如透明粘合剂的透明介质上的用于光分散的微粒。

图13是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备100F的线X-X'截取的剖视图。图14A至图14D是示出制造图13的显示设备100F的方法的示例性实施例的剖视图。

参照图13，在示例性实施例中，显示设备100F还可以包括位于图2B的基底101上的像素分离层600、光分散层700、透镜800和保护层900。除在设置透镜800之后顺序地设置像素分离层600和光分散层700之外，图13中的显示设备的剖视图与图11中的显示设备的剖视图基本相同。已经利用与上面使用的用于描述图11中示出的显示设备的示例性实施例相同的标号符来标记图13中示出的相同或相似的元件，并且在下文中将省略或简化其任何重复的详细描述。

参照图14A，在图2B的基底101上设置或形成保护层900并且使保护层900覆盖LED 300和第二电极530。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成保护层900。保护层900可以是无机绝缘层。

接着，参照图14B，在其上形成有保护层900的基底101上设置或形成透镜800以覆盖LED 300。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成透镜800。透镜800可以包括诸如环氧树脂、硅树脂和聚氨酯的透明聚合物。透镜800具有凸的近似半球形透镜的形状。在设置像素分离层600之前设置透镜800的这样的实施例中，图13的示例性实施例的透镜800比图11的示例性实施例的透镜800更接近半球形状。透镜800覆盖钝化层520的上部和位于LED 300上的第二电极530的一部分。

接着，参照图14C，在透镜800之间形成像素分离层600以使像素分离层600在保护层900上与堤层400对应。可以通过诸如喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、光刻、CVD等的各种方法来形成像素分离层600。在设置透镜800之后设置像素分离层600的这样的实施例中，像素分离层600与透镜800的外部接触。像素分离层600具有凹的上部并且低于透镜800形成。与堤层400相似，像素分离层600可以通过包括吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料来充当具有低透光率的光屏蔽层。根据示例性实施例，像素分离层600可以包括相对于可见光线的半透明绝缘材料或非透明绝缘材料(诸如黑矩阵材料)。根据另一示例性实施例，像素分离层600可以是具有高反射的DBR或镜面反射器。

接着，参照图14D，在整个基底101上设置或形成光分散层700以覆盖像素分离层600和透镜800。可以通过喷墨印刷、丝网印刷、层压、旋涂、溅射或CVD来形成光分散层700。光分散层700可以包括分布在诸如透明粘合剂的透明介质上的用于光分散的微粒。

图15是根据另一可替代的示例性实施例的沿显示设备100G的线X-X'截取的剖视图。

参照图15，根据示例性实施例，显示设备100G可以在其上不存在第一堤410和第二堤420的基底101上包括覆盖LED 300的透镜800、位于透镜800之间的像素分离层600'以及光分散层700。

根据示例性实施例，如图15中所示，在设置透镜800之后，设置像素分离层600'和光分散层700。可替代地，在设置像素分离层600'之后，可以设置透镜800和光分散层700。

根据如这里描述的示例性实施例，可以在从LED 300发射的光的行进路径上设置光学系统，使得可以增大对于显示设备的整个区域的发射区域的填充因数(fill factor)。光学系统可以包括围绕LED 300的像素分离层600和600'、光分散层700以及透镜800。在这样的实施例中，在形成光学系统时，还可以包括作为无机绝缘层以保护LED 300的保护层900。

如上所述，根据一个或更多个上述示例性实施例，可以增加显示设备的发射区域。

应理解的是，在此描述的示例性实施例应该仅以描述性意义考虑而非出于限制的目的。在每个示例性实施例之内的特征或方面的描述通常应被认为是可用于其他示例性实施例中的其他相似的特征或方面。

虽然已经参照附图描述了一个或更多个示例性实施例，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不脱离如由权利要求所限定的精神和范围的情况下，可以在其中做出形式和细节上的各种改变。