技术总结
提供了一种半导体器件结构。该半导体器件结构包括衬底。半导体器件结构包括位于衬底中或上方的导电结构。半导体器件结构包括位于衬底上方的第一介电层。第一介电层具有暴露导电结构的第一开口。半导体器件结构包括位于第一介电层上方的第二介电层。第二介电层具有连接至第一开口并暴露导电结构的第二开口。半导体器件结构包括覆盖第一开口的第一内壁、第二开口的第二内壁和导电结构的顶面的电容器。电容器电连接至导电结构。本发明实施例涉及半导体器件结构及其形成方法。
技术研发人员：郑台新;张哲诚
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610614731
技术研发日：2016.07.29
技术公布日：2017.02.15