1.一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1，在键合完成的晶圆上选取需要进行键合程度测试的待测试区域；
步骤2，通过芯片封装工序中的芯片切割方法将所述待测试区域从整片晶圆上截取下来；
步骤3，在截取下来的晶圆试样边缘的两片晶圆接合处形成细缝；
步骤4，在所述细缝处插入已知厚度的刀片，采用红外光源照射所述细缝处并形成干涉条纹，根据干涉条纹计算所述待测试区域的键合程度。
2.根据权利要求1所述的一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法，其特征在于，所述步骤2中，采用激光或者锯刃的方式将所述待测试区域从整片晶圆上截取下来。
3.根据权利要求1所述的一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法，其特征在于，采用氢氟酸处理截取下来的晶圆试样，并采用刻蚀的方法在处理后的晶圆试样边缘的两片晶圆接合处形成细缝。
4.根据权利要求1～3任一所述的一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法，其特征在于，步骤1中，所述待测试区域位于整片晶圆的边缘位置或中心位置。
5.根据权利要求4所述的一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法，其特征在于，步骤4具体为：
S401，分别测量所述晶圆试样中两片晶圆的厚度；
S402，将已知厚度的刀片匀速插入到所述细缝中，并在细缝中形成裂纹；
S403，当弹性能和表面能平衡时，采用红外光源照射所述细缝处并形成干涉条纹，通过对所述干涉条纹进行测量获取所述细缝处裂纹的长度值；
S404，根据所述两片晶圆的厚度、刀片的厚度以及所述裂纹的长度值，计算所述待测试区域的表面能。
6.根据权利要求5所述的一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法，其特征在于，所述刀片的厚度为80～100μm。
7.根据权利要求5所述的一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法，其特征在于，步骤S402中，插入刀片的速度为5～10cm/s，在细缝中形成裂纹的持续时间为1～500us以及空气湿度为50～60％。
8.一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试系统，其特征在于，包括测试区域选择模块、切割模块、刻蚀模块和测量模块，
所述测试区域选择模块用于在键合完成的晶圆上选取需要进行键合程度测试的待测试区域；
所述切割模块用于通过芯片封装工序中的芯片切割方法将所述待测试区域从整片晶圆上截取下来；
所述刻蚀模块用于在截取下来的晶圆试样边缘的两片晶圆接合处形成细缝；
所述测量模块用于在所述细缝处插入已知厚度的刀片，采用红外光源照射所述细缝处并形成干涉条纹，根据干涉条纹计算所述待测试区域的键合程度。
9.根据权利要求8所述的一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试系统，其特征在于，所述测量模块包括：
检测单元，用于测量所述晶圆试样中两片晶圆的厚度；
刀片插入单元，用于将已知厚度的刀片匀速插入到所述细缝中，并在细缝中形成裂纹；
红外照射单元，用于当弹性能和表面能平衡时，采用红外光源照射所述细缝处形成干涉条纹；
裂纹长度获取单元，用于通过对所述干涉条纹进行测量获取所述细缝处裂纹的长度值；
计算单元，用于根据所述两片晶圆的厚度、刀片的厚度以及所述裂纹的长度值，计算所述待测试区域的表面能。