技术总结
本发明特别涉及一种晶圆产品上任意位置的键合程度测试方法及系统。方法包括如下步骤：在键合完成的晶圆上选取待测试区域；通过芯片切割方法将待测试区域从整片晶圆上截取下来；在截取下来的晶圆试样边缘的两片晶圆接合处形成细缝；在细缝处插入刀片，采用红外光源照射细缝处并形成干涉条纹，根据干涉条纹计算待测试区域的键合程度。本发明提供了一种可普遍应用于三维芯片产品的晶圆键合程度测试方法和系统，通过借助芯片切割工艺对晶圆的待测试区域进行切割，从而实现对晶圆任意位置的键合程度进行测试，不仅打破了传统方法中只能测试晶圆极边缘位置键合程度的局限，而且无需引入新的工序，不会降低晶圆键合程度测试的效率。
技术研发人员：仝金雨;李辉;李品欢;李桂花;肖科
受保护的技术使用者：武汉新芯集成电路制造有限公司
文档号码：201610642656
技术研发日：2016.08.08
技术公布日：2016.12.07