1.一种集成电路(IC)，所述集成电路包括在上部金属互连层和下部金属互连层之间布置的一个或多个存储单元，所述存储单元包括：
底部电极，所述底部电极耦合至所述下部金属互连层；
数据存储层或介电层，所述数据存储层或介电层设置在所述底部电极上方；
覆盖层，所述覆盖层设置在所述数据存储层或介电层上方；以及
顶部电极，所述顶部电极设置在所述覆盖层上方，其中，所述顶部电极的上表面与所述上部金属互连层直接接触，而没有将所述顶部电极的所述上表面耦合至所述上部金属互连层的通孔或接触件。
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述顶部电极具有在所述顶部电极的侧壁之间连续延伸的并且直接邻接所述上部金属互连层的上部平坦表面。
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述底部电极具有与所述顶部电极的所述侧壁对准的侧壁，并且其中，所述数据存储层或介电层的侧壁和所述覆盖层的侧壁也与所述顶部电极的所述侧壁对准。
4.根据权利要求3所述的集成电路，所述存储单元还包括：共形的介电层，所述共形的介电层沿着所述顶部电极的所述侧壁延伸、并且沿着所述覆盖层的侧壁、沿着所述数据存储层或介电层的侧壁以及沿着所述底部电极的上部侧壁向下延伸。
5.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述底部电极具有底部电极宽度，并且所述顶部电极具有比所述底部电极宽度小的顶部电极宽度。
6.根据权利要求5所述的集成电路，所述存储单元还包括：沿着顶部电极的侧壁并且沿着所述覆盖层的侧壁布置的侧壁间隔件，并且所述侧壁间隔件具有位于所述数据存储层或介电层的上表面上的底面。
7.根据权利要求6所述的集成电路，还包括：沿着所述侧壁间隔件的外部侧壁的共形的电介质，并且所述共形的电介质沿着所述数据存储层或介电层以及底部电极的外部侧壁向下延伸。
8.一种集成电路(IC)，包括：
半导体衬底，所述半导体衬底包括存储区域和逻辑区域；
互连结构，所述互连结构设置在所述存储区域和所述逻辑区域上方，所述互连结构包括彼此堆叠设置的并且通过层间介电(ILD)材料彼此隔离的多个金属互连层；以及
多个存储单元或金属-绝缘体-金属(MIM)电容器，所述多个存储单元或金属-绝缘体-金属电容器布置在所述存储区域上方并且布置在下部金属互连层和邻近所述下部金属互连层的上部金属互连层之间，存储单元或金属-绝缘体-金属电容器包括：底部电极和顶部电极，所述底部电极耦合至所述下部金属互连层的上部部分，所述顶部电极具有在所述顶部电极的侧壁之间连续延伸的并且直接邻接所述上部金属互连层的底面的上部平坦表面。
9.根据权利要求8所述的集成电路，其中，所述顶部电极具有在所述顶部电极的侧壁之间连续延伸的并且直接邻接所述上部金属互连层的对应的共平面表面的上部平坦表面。
10.一种形成集成电路的方法，包括：
接收半导体衬底，所述半导体衬底具有在所述半导体衬底的存储区域和逻辑区域上方设置的互连结构；
在所述存储区域上方的所述互连结构上方形成底部电极和顶部电极，其中，所述底部电极耦合至所述互连结构中的下部金属层，并且其中，所述底部电极和所述顶部电极通过数据存储层或介电层彼此分离；
在所述顶部电极上方形成层间介电(ILD)层；
在所述层间介电层中形成具有垂直或垂直的侧壁的沟槽开口，并且所述沟槽开口暴露所述顶部电极的上表面；以及
在所述沟槽开口中形成上部金属层，并且所述上部金属层与所述顶部电极直接接触。