技术总结
本发明的实施例涉及一种包括存储单元的集成电路。该集成电路包括半导体衬底和半导体衬底上方设置的互连结构。该互连结构包括以交替的方式彼此堆叠的多个介电层和多个金属层。多个金属层包括下部金属层和下部金属层上方设置的上部金属层。在下部金属层上方设置底部电极并且底部电极与下部金属层电接触。在底部电极的上表面上方设置数据存储层。在数据存储层的上表面上方设置顶部电极，并且顶部电极与上部金属层的下表面直接电接触。本发明的实施例还提供了RRAM的顶部电极上的金属接合。
技术研发人员：张至扬;朱文定
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
文档号码：201610719826
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.05.03