技术特征：
技术总结
一种像素，包括半导体层，该半导体层具有在半导体层中延伸的电荷累积层。晶体管具有向下穿透进入半导体层至第一深度的读取区。绝缘壁从上表面穿透进入半导体层并且包含连接至电位施加的节点的绝缘导体。绝缘壁至少包括设有向下穿透进入绝缘导体至第二深度的深绝缘插头的部分，该第二深度大于第一深度。绝缘壁的连续部分至少部分地横向划定电荷累积区并且包括具有至少部分地横向划定晶体管的读取区的深绝缘插头的壁部分。
技术研发人员：F·罗伊
受保护的技术使用者：意法半导体（克洛尔2）公司
技术研发日：2016.08.25
技术公布日：2017.09.29