1.一种可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述磁逻辑器件包括磁性单元和微分负电导器件；
所述磁性单元包括3个电极，所述电极按一定的几何形状制作在磁性薄膜的表面；所述电极分为输入电极和输出电极；
所述微分负电导器件的一端与所述磁性单元的输出电极连接，所述微分负电导器件的另一端接地。
2.根据权利要求1所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述磁性单元中的磁性薄膜是具有垂直各向异性的磁性多层膜。
3.根据权利要求1所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述磁性单元中的磁性薄膜是具有磁各向异性的磁性薄膜。
4.根据权利要求2所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述具有垂直各向异性的磁性多层膜为MgO\CoFeB\Ta和AlOx\Co\Pt中的一种。
5.根据权利要求3所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述具有磁各向异性的磁性薄膜为GaMnAs和FePd中的一种。
6.根据权利要求1所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述几何形状为圆形、矩形和点中的一种。
7.根据权利要求1所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述的微分负电导器件在特定的电流或电压区间具有微分负电导特性。
8.根据权利要求7所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述的微分负电导器件为隧道结、Gunn二极管、碰撞电离雪崩渡越时间二极管和晶体管电路中的一种。
9.根据权利要求1所述的可重构的磁逻辑器件，其特征在于，所述磁性薄膜具有电流翻转磁化效应，所述电流翻转磁化效应是传统的电流产生的磁场效应，或者基于量子效应的自旋转移力矩和自旋轨道力矩效应。
10.一种制备如权利要求1-9任一项所述的可重构的磁逻辑器件的方法，其特征在于，在热氧化Si基片上磁控溅射沉积MgO\CoFeB\Ta\SiO2磁性多层膜，并利用光刻工艺和等离子刻蚀工艺加工，再利用光刻工艺和磁控溅射沉积3个Ti/Au金属电极，然后对磁性单元的输入电极加载电流，以所述磁性单元的磁化方向作为逻辑输入，通道电流高低作为逻辑输出，实现不同模式的布尔逻辑运算。
11.根据权利要求10所述的制备可重构的磁逻辑器件的方法，其特征在于，将所述磁性单元串联到所述微分负电导器件与接地线之间，利用电流翻转磁化效应，实现在一个时钟周期内同时完成非易失信息的读写和逻辑运算。