一种闭环控制靶台温度的方法与流程

文档序号:13949545阅读:197来源:国知局

本发明涉及一种闭环控制靶台温度的方法,涉及离子注入机,属于半导体装备制造领域。



背景技术:

离子注入机隶属于半导体装备领域,随着集成电路的迅猛发展,半导体装备制造的发展趋势日益明显。离子注入机设备由许多运动部件构成,为保证设备的正常运行,需要对运动部件进行降温冷却,一般采取的方法都是在运动部件周围安装水冷系统,以此降低运动部件的温度。为了保证运动部件维持在一个恒定温度,本系统设计了一种闭环控制方法,可用于精确控制离子注入机运动部件的温度。

本控制系统结构简单,测量与控制精确、可靠。



技术实现要素:

本发明公开了一种闭环控制靶台温度的方法,该发明应用于离子注入机,该系统用于精确控制离子注入机靶台的温度,保证设备正常运行。

本发明专利通过以下技术方案来实现:

1.根据设备要求,工控机设定冷却装置温度值(1)。

2.工控机设定冷却装置温度值(1)通过控制器(2)实现d/a转换传输给冷却装置(3),冷却装置(3)通过改变自身功率大小调节靶台温度,靶台反馈温度(4)经过控制器(5)的a/d转换,然后经过pid算法(6)计算得到温度值(7)。

3.比较工控机设定冷却装置温度值(1)和pid算法得到的温度值(7),如果工控机设定靶台冷却温度值过高,则减小冷却装置功率,从而使靶台温度升高,也使pid算法得到的温度值增加;如果工控机设定靶台冷却温度值过低,则增大冷却装置功率,从而使靶台温度降低,也使pid算法得到的温度值降低。通过闭环控制,最后使pid算法得到的温度值无限接近工控机设定值,减小温度误差。

本发明具有如下显著优点:

1.通过工控机设定冷却装置温度值(1)和pid算法得到的温度值(7)多次比较,得到温度值无限接近工控机设定冷却装置温度值,有效的减少误差。

2.本方法采用闭环控制,控制器实时采集靶台当前温度值,实现与设置值的连续比较,保证靶台温度维持在恒温状态。

附图说明

图1是本发明所述一种闭环控制靶台温度的方案实施图。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施方法对本发明作进一步的介绍,但不作为对本发明的限定。

如图1中所示,根据设备要求,工控机设定靶台冷却温度值(1),设定值通过控制器(2)实现d/a转换将数据传送于冷却装置(3),冷却装置接收到命令进而改变功率大小调节靶台冷却水温度,同时,靶台反馈温度(4)通过控制器实现a/d转换(5),之后经过pid算法(6)计算得到温度值(7)。通过pid算法得到的温度值(7)会和工控机设定的靶台冷却温度值(1)进行比较。如果工控机设定靶台冷却温度值过高,则减小冷却装置功率,从而使靶台温度升高,也使pid算法得到的温度值增加;如果工控机设定靶台冷却温度值过低,则增大冷却装置功率,从而使靶台温度降低,也使pid算法得到的温度值降低。通过闭环控制,最后使pid算法得到的温度值无限接近工控机设定值,减小温度误差。

本发明专利的特定实施例已对本发明专利的内容做了详尽说明。对本领域一般技术人员而言,在不背离本发明专利精神的前提下对它所做的任何显而易见的改动,都构成对本发明专利的侵犯,将承担相应的法律责任。



技术特征:

技术总结
本发明公开了一种闭环控制靶台温度的方法,包括:工控机(1)、控制器(2)、冷却装置(3)、靶台(4)、PID算法(5)。本方法通过PID算法得到的靶台的温度值与温度设定值的比较,可以使得上位机对靶台温度的控制更加精确。说明书对一种闭环控制靶台温度的方法做出了详细说明,并给出了具体实施方案。本发明涉及离子注入装置,隶属于半导体制造领域。

技术研发人员:高婷婷
受保护的技术使用者:北京中科信电子装备有限公司
技术研发日:2016.09.08
技术公布日:2018.03.16
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