1.一种倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，包括如下的步骤：
(a)向倒装芯片的凸点涂覆助焊剂；
(b)识别所述倒装芯片的凸点位置，并校正所识别的位置；
(c)向所述倒装芯片的凸点照射具有针对所述助焊剂的吸收率高的特定区域的波长范围的照明光；
(d)对借助所述照明光而从所述凸点反射的反射光进行拍摄而获取视频或图像；以及
(e)读取所述获取的视频或图像而检查助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态，
所述特定区域的波长范围是具有针对所述助焊剂的吸收率随着波长的变化而呈现的多个峰值中的一个峰值的波长范围。
2.如权利要求1所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，
在所述(d)步骤中，
从所述倒装芯片的凸点中设定搜寻区域，并获取针对从位于所述搜寻区域内的凸点反射的反射光的视频或图像。
3.如权利要求2所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，
所述搜寻区域的设定是根据所述凸点的位置经校正的信息和吸附所述倒装芯片的吸嘴的大小信息而进行。
4.如权利要求2所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，包括如下步骤：
提取位于所述搜寻区域内的凸点的平均光强值，并将所述提取到的平均光强值和预先设定而输入的基准光强值进行比较，从而判断助焊剂针对倒装芯片的凸点的涂覆状态的良好或不良。
5.如权利要求4所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，
如果所述预先设定而输入的基准光强值大于所述搜寻区域内的各凸点的平均光强值，则判断为助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态良好。
6.如权利要求4所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，
如果所述预先设定而输入的基准光强值小于所述搜寻区域内的各凸点的平均光强值，则判断为助焊剂针对所述倒装芯片的凸点的涂覆状态不良。
7.如权利要求2所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，
在所述搜寻区域的设定是根据所述凸点的位置经校正的信息和吸附所述倒装芯片的吸嘴的大小信息而进行再设定。
8.如权利要求4所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，
在提取位于所述搜寻区域内的凸点的平均光强值的步骤之前输入所述预先设定的基准光强值。
9.如权利要求1所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，
所述特定区域的波长范围是400nm～500nm区域的波长范围。
10.如权利要求1或权利要求9所述的倒装芯片的助焊剂涂覆状态检查方法，其中，
通过在所述照明光所透过的位置布置偏光膜，从而使具有所述特定区域的波长范围的光照射。