技术总结
本申请公开了一种LED外延生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN成核层、生长高温缓冲层GaN、生长非掺杂u‑GaN层、生长掺杂Si的n‑GaN层、生长发光层、生长i‑AlGaN层和p‑InGaN层的交替生长结构、生长高温p型GaN层、生长p型GaN接触层、降温冷却。如此方案，把传统的LED外延电子阻挡层，设计为低压高温的i‑AlGaN层和高压低温的p‑InGaN层的交替层生长结构，既起到电子阻挡效果，又有助于空穴注入水平的增加，从而提高LED的发光效率。
技术研发人员：徐平;林传强
受保护的技术使用者：湘能华磊光电股份有限公司
文档号码：201610834416
技术研发日：2016.09.20
技术公布日：2016.11.16