1.一种用于识别样本的组分的方法，其包括：
将样本提供到离子源，且从所述样本的构成组分产生多个离子；
在第一RF振幅处将第一RF波形施加到具有场谐振的离子阱，同时将所述多个离子导引到所述离子阱中；
在第二RF振幅处将第二RF波形施加到所述离子阱，同时沿着纵向轴线朝向所述离子阱的中心聚集所述多个离子；
使所述多个离子从所述离子阱喷出到质量分析仪中；
使用所述质量分析仪来确定所述离子的质荷比，
其中所述第一和第二RF振幅经选择以增加喷出到所述质量分析仪中的离子的质量范围，且所述第二振幅经选择以避免所述离子阱内的场非线性所导致的谐振，
其中所述离子阱内的所述离子在所述第二振幅处具有小于所述离子阱的所述场谐振的长期频率。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述第一振幅大于所述第二振幅。
3.根据权利要求1所述的方法，其进一步包括在所述离子已进入所述离子阱之后且在所述离子朝向所述离子阱的所述中心聚集之前在第三振幅处施加第三RF波形。
4.根据权利要求3所述的方法，其中所述第三振幅大于所述第二振幅。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述离子阱内所述离子的至少一部分在所述第一振幅处具有高于所述离子阱的所述场谐振中的至少一者的长期频率。
6.一种用于分析样本的系统，其包括：
源，其经配置以从所述样本的构成组分产生离子；
质量分析仪，其经配置以确定所述离子的质荷比；
具有场谐振的弯曲离子阱，其经配置以聚集离子且将所述离子转移到所述质量分析仪；以及
RF控制器，其经配置以：
在第一RF振幅处将第一RF波形施加到所述离子阱，同时将所述多个离子导引到所述离子阱中；以及
在第二RF振幅处将第二RF波形施加到所述离子阱，同时朝向所述弯曲离子阱的弯曲的中心聚集所述多个离子。
7.根据权利要求6所述的系统，其中所述第二振幅经选择以避免所述离子阱内的场非线性所导致的谐振。
8.根据权利要求6所述的系统，其中所述第一振幅大于所述第二振幅。
9.根据权利要求6所述的系统，其中所述RF控制器进一步经配置以在所述离子已进入所述弯曲离子阱之后且在所述离子朝向所述离子阱的中心聚集之前在第三振幅处施加第三RF波形。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述第三振幅大于所述第二振幅。
11.根据权利要求6所述的系统，其中所述离子阱内所述离子的至少一部分在所述第一振幅处具有高于所述弯曲离子阱的所述场谐振中的至少一者的长期频率。
12.根据权利要求6所述的系统，其中所述离子阱内的所述离子在所述第二振幅处具有小于所述弯曲离子阱的所述场谐振的长期频率。
13.一种用于识别样本的组分的方法，其包括：
将样本提供到离子源，且从所述样本的构成组分产生多个离子；
在第一RF振幅处将第一RF波形施加到具有场谐振的弯曲离子阱，同时将所述多个离子导引到所述离子阱中；
在第二RF振幅处将第二RF波形施加到所述弯曲离子阱，同时朝向所述弯曲离子阱的弯曲的中心聚集所述多个离子；
使所述多个离子从所述离子阱喷出到质量分析仪中；
使用所述质量分析仪来确定所述离子的质荷比，
其中所述第二RF振幅低于经选择以避免所述离子阱内的场非线性所导致的谐振的阈值，且所述第一RF振幅高于所述阈值。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一和第二RF振幅经选择以增加喷出到所述质量分析仪中的离子的质量范围。
15.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括在所述离子已进入所述弯曲离子阱之后且在所述离子朝向所述离子阱的所述中心聚集之前在第三振幅处施加第三RF波形。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第三振幅大于所述第二振幅。
17.根据权利要求13所述的方法，其中所述离子阱内所述离子的至少一部分在所述第一振幅处具有高于所述弯曲离子阱的所述场谐振的长期频率。
18.根据权利要求13所述的方法，其中所述离子阱内的所述离子在所述第二振幅处具有小于所述弯曲离子阱的所述场谐振的长期频率。