技术总结
一种用于提高衬底金属捕获能力的CIS硅片处理方法，其包括：提供半导体硅衬底，在所述半导体硅衬底背面依照现有CIS产品片制作工艺完成背面淀积低温氧化膜；在完成低温氧化膜背封的基础上，在所述半导体硅衬底正面进行碳原子的注入片制造工序，作为增加硅基体缺陷密度的方法，加大对金属元素的捕获能力；在所述半导体衬底的正面进行EPI外延层的生长，完成产品片制造工序。
技术研发人员：张召;王智;苏俊铭;倪立华
受保护的技术使用者：上海华力微电子有限公司
文档号码：201610902791
技术研发日：2016.10.17
技术公布日：2017.03.15