1.一种晶片封装体，其特征在于，包括：
一基底，其中该基底内具有一感测区或元件区；
一第一导电结构，其中该第一导电结构位于该基底上，且与该感测区或元件区电性连接；以及
一无源元件，其中该无源元件纵向地堆迭于该基底上，且与该第一导电结构横向排列。
2.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，还包括一第二导电结构，其中该第二导电结构与该基底位于该无源元件的相对两侧。
3.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该第二导电结构的材料相同于该第一导电结构的材料。
4.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该第二导电结构的顶部大致上对齐于该第一导电结构的顶部。
5.根据权利要求2所述的晶片封装体，其特征在于，该第二导电结构的尺寸小于该第一导电结构的尺寸。
6.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该无源元件通过一接合结构接合于该基底上。
7.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该接合结构与该第一导电结构位于相同层位。
8.根据权利要求6所述的晶片封装体，其特征在于，该接合结构由一接合层所环绕，且该接合层的材料不同于该接合结构的材料。
9.根据权利要求8所述的晶片封装体，其特征在于，该接合层的材料相同于该第一导电结构的材料。
10.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该无源元件的厚度小于该第一导电结构的厚度。
11.根据权利要求1所述的晶片封装体，其特征在于，该无源元件与该感测区或元件区重迭。
12.一种晶片封装体的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底，其中该基底内具有一感测区或元件区；
在该基底上形成一第一导电结构，其中该第一导电结构与该感测区或元件区电性连接；以及
将一无源元件纵向地堆迭于该基底上，其中该无源元件与该第一导电结构横向排列。
13.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在将该无源元件纵向地堆迭于该基底上之前，在该基底上形成一接合层，其中将具有一接合结构的该无源元件纵向地堆迭于该基底上，使得该接合结构嵌入该接合层内。
14.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，通过相同的制程形成该接合层及该第一导电结构。
15.根据权利要求13所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括对该第一导电结构及该接合层进行回焊制程。
16.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括：
在将该无源元件纵向地堆迭于该基底上之前，在该无源元件上形成一第二导电结构，其中将具有该第二导电结构的该无源元件纵向地堆迭于该基底上。
17.根据权利要求16所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，该第二导电结构的顶部与该第一导电结构的顶部大致上共平面。
18.根据权利要求16所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，通过相同的制程形成该第二导电结构及第一导电结构。
19.根据权利要求16所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括对该第一导电结构及该第二导电结构进行回焊制程。
20.根据权利要求12所述的晶片封装体的制造方法，其特征在于，还包括在将该无源元件纵向地堆迭于该基底上之前，对该基底进行切割制程。