1.一种横向恒流二极管，包括从上至下层依次层叠设置的绝缘介质层(5)、MGaN层(4)、GaN层(6)和衬底(7)；所述GaN层(6)和MGaN层(5)形成异质结；所述MGaN层(5)上层的一端具有第一金属电极(1)，另一端具有第二金属电极(3)，第一金属电极(1)和第二金属电极(3)与MGaN层(5)之间均是欧姆接触；位于第一金属电极(1)和第二金属电极(3)之间并靠近第二金属电极(3)处，还具有凹槽绝缘电极结构，所述凹槽绝缘电极结构为由部分绝缘介质层(5)垂直向下嵌入MGaN层(4)上表面形成，所形成的凹槽底部和侧面具有第三金属电极(2)，第三金属电极(2)还沿水平方向向器件的两端延伸；所述第三金属电极(2)的一端延伸至与第二金属电极(3)接触，并覆盖第二金属电极(3)的上表面，第三金属电极(2)和第二金属电极(3)连接在一起作为器件的阴极，第一金属电极(1)作为器件的阳极。
2.根据权利要求1所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述凹槽绝缘电极结构的垂直深度为0～100nm。
3.根据权利要求1和2所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述第三金属电极(2)正下方的凹槽，也可以采用在MGaN层(4)中注入F离子等相关技术来调节器件所实现的恒定电流的大小。
4.根据权利要求3所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述第一金属电极(1)与MGaN层是肖特基接触。
5.根据权利要求4所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述MGaN层(4)中的M为Al或In。
6.根据权利要求5所述的一种横向恒流二极管，其特征在于，所述绝缘栅介质层(5)所采用的材料为Al2O3、SiO2、Si3N4、AlN、MgO或Sc2O3。