技术总结
本发明属于半导体技术领域，涉及一种横向恒流二极管(CRD)。本发明克服了传统的硅基CRD器件恒定电流与击穿电压强烈的矛盾关系，利用GaN材料高耐压的优良特性，在该型AlGaN/GaN CRDs器件在实现较大恒定电流的同时，能够实现很宽的恒流区及很高的耐压，而且通过调节相关器件结构参数，使恒定电流大小在较大范围内变化。此外，该CRD响应速度快，动态性能好。同时，本发明的CRD能够与GaN基LED器件单片集成，大大降低系统体积。
技术研发人员：陈万军;张安邦;信亚杰;施宜军;胡官昊;刘杰;周琦;张波
受保护的技术使用者：电子科技大学
文档号码：201610928600
技术研发日：2016.10.31
技术公布日：2017.02.15