技术特征：
技术总结
本发明公开了一种沟槽栅超结器件，P型柱分为接电极P型柱和浮空P型柱并组成步进大于超结单元步进的第一周期排列结构，电极P型柱的顶部形成有延伸到N型柱的P型阱和连接到源极的接触孔；浮空P型柱的顶部不形成P型阱和接触孔。沟槽栅的长度方向和超结结构的长度方向垂直并排列成步进独立调节的第二周期排列结构。本发明还公开了一种沟槽栅超结器件的制造方法。本发明能够提高器件的击穿电压和沟道密度和降低导通电阻，能在很低Vds下获得更高的Crss且在较大的Vds范围内能使得Crss的下降比较缓慢，能减缓开关过程的速度、能有效降低器件在应用电路中的电磁干扰性能以及有效降低器件在应用电路中带来的电流和电压的过冲。
技术研发人员：肖胜安;曾大杰;李东升
受保护的技术使用者：深圳尚阳通科技有限公司
技术研发日：2016.10.26
技术公布日：2018.05.04