提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法及结构与流程

技术特征：

1.一种提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于包括：

第一步骤：在生长接触孔刻蚀阻挡层前用一层定义红光感光区为打开的掩膜板，对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀，完全刻蚀去除红光感光区的金属硅化物的阻挡层，使红光感光区的硅衬底裸露；

第二步骤：生长接触孔刻蚀阻挡层。

2.根据权利要求1所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第一步骤，绿光感光区和蓝光感光区在所述掩膜板中定义为未打开，即对金属硅化物的阻挡层二氧化硅层进行刻蚀时，不会刻蚀去除绿光感光区和蓝光感光区的金属硅化物的阻挡层，不会暴露绿光感光区和蓝光感光区的硅衬底。

3.根据权利要求1或2所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第二步骤，调整薄膜生长工艺的参数使红光感光区的所述接触孔刻蚀阻挡层的折射率介于2.24±3％之间。

4.根据权利要求1或2所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第二步骤，使得红光感光区的接触孔刻蚀阻挡层的膜厚介于之间。

5.根据权利要求1或2所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第二步骤，红光感光区的接触孔刻蚀阻挡层直接形成在硅衬底上。

6.根据权利要求1或2所述的提高前照式CMOS图像传感器红光量子效率的方法，其特征在于，在第二步骤，绿光感光区和蓝光感光区的接触孔刻蚀阻挡层形成在金属硅化物的阻挡层上。

7.一种前照式CMOS图像传感器结构，其特征在于包括：红光感光区、绿光感光区和蓝光感光区；其中，红光感光区包括直接形成在硅衬底上的接触孔刻蚀阻挡层，绿光感光区和蓝光感光区包括直接形成在硅衬底上的金属硅化物的阻挡层、以及直接形成在金属硅化物的阻挡层上的接触孔刻蚀阻挡层。

8.根据权利要求7所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，红光感光区的所述接触孔刻蚀阻挡层的折射率介于2.24±3％之间。

9.根据权利要求7或8所述的CMOS图像传感器结构，其特征在于，红光感光区的接触孔刻蚀阻挡层的膜厚介于之间。