技术总结
本发明公开了一种发光二极管的外延片及制备方法，属于光电子制造技术领域。该制备方法包括提供一衬底，在衬底上依次生长成核层、未掺杂GaN层、n型GaN层、多量子阱层、p型GaN层、石墨烯层、ZnO纳米锥层和银纳米颗粒层，石墨烯层生长在p型GaN层上，ZnO纳米锥层生长在石墨烯层上，银纳米颗粒层生长在ZnO纳米锥层上，石墨烯具有很高的光透性，可以降低对光的吸收，ZnO纳米锥层的几何形状可减少全反射，提高出光率，通过在ZnO纳米锥层表面设置银纳米颗粒层，在ZnO纳米锥层和银纳米颗粒层之间产生表面等离激元，表面等离激元与LED发出的光产生共振，从而提高发光效率，使LED的亮度得到提高。
技术研发人员：丁涛;郭炳磊;葛永晖;吕蒙普;胡加辉;李鹏
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201611027964
技术研发日：2016.11.17
技术公布日：2017.05.24