用于结构化衬底的方法与流程

各个实施例总体上涉及用于结构化衬底的方法。

背景技术：

通常，可以在衬底(也称为晶片或载体)上或中以半导体技术来处理半导体材料，例如制造集成电路(也称为芯片)。在处理半导体材料期间，可以应用特定的工艺步骤，诸如在衬底之上形成一个或多个层、结构化该一个或多个层或者接触芯片。通常，例如在厚功率金属化领域中，多孔铜层提供了良好的机械特性。

然而，如图1A至图2C所示，传统的蚀刻掩模的适用性受限于多孔铜层100a或者其他粗糙层100a。为了结构化，传统的蚀刻掩模100b通过旋涂由液体12p形成(例如，低粘性光刻胶)，随后利用相对于光100的暴露通过光刻100c来进行图案化100d。通过将这种过程应用于多孔铜层100a，液体12p较深地渗入(108)多孔层100a中，完成多孔铜层100a的处理。另一方面，在正性光刻胶116的情况下，渗入液体12p的深度被遮蔽而不暴露于光110，导致掩蔽错误并且损害多孔铜层100a的精确蚀刻。另一方面，液体12p没有完全覆盖多孔铜层100a的不平坦外形(topography)。在图案化100d蚀刻掩模之后，被指定为通过化学湿蚀刻200a去除多孔铜层100a的旁边区域112，并且还有多孔层100a的凸起14p会保持不被覆盖。在化学湿蚀刻200a期间，蚀刻剂还接触多孔层被指定保持不受损伤的区域，并且在那些位置蚀刻孔114(也称为凹陷)。在化学湿蚀刻200a之后，渗入深处的液体12p会抵抗从多孔层100a中被去除，从而产生残留的光刻胶118。

因此，传统的蚀刻掩模缺乏精确处理和保护多孔铜层100a的能力，导致图2C所示的4.4微米(μm)厚的蚀刻掩模的凹陷。

传统地，多孔层100a的沉积会导致多孔层100a的外形中的晶片级不均匀性。例如，使用丝网印刷形成多孔铜层100a会在晶片中心与晶片边缘之间产生多达5μm的外形差异。例如，使用等离子体-尘埃形成多孔铜100a会导致多个凹槽，它们为几微米深。这种外形不均匀性会累积低粘度光刻胶，从而导致类似于200a的晶片不被覆盖的区域。图3A示出了在通过旋涂300a和光刻而由液体制备光刻胶掩模之后的晶片，以及图3B示出了在蚀刻300b晶片之后的晶片。从图3B可以看出，由于晶片在外围区域基本不被覆盖，所以在蚀刻期间从外围区域去除光刻胶掩模。

作为液体处理掩模的备选，箔式光刻胶可传统地用于掩蔽不平坦或多孔表面。箔式光刻胶包括厚箔和粘合剂，它们可以通过光刻来结构化。该方法成本较高且工作量较大。

作为掩蔽的备选，多孔接触垫可以根据其指定图案直接印刷。这会导致较低的图案精度和接触垫的平坦边缘。

技术实现要素：

根据各个实施例，处理衬底的方法包括：在衬底之上沉积粘性材料，其包括延伸到衬底中的至少一个外形特征以在衬底之上形成保护层；在粘性材料与衬底的接触时段期间调整粘性材料的粘度，以稳定所设置的粘性材料的空间分布；使用保护层作为掩模来处理衬底；以及在处理衬底之后去除保护层。

附图说明

在附图中，类似的参考标号通常在不同的附图中表示相同的部分。附图不按比例绘制，而是将重点放在示出本发明的原理上。在以下描述中，参照以下附图描述本发明的各个实施例，其中：

图1A至图1D分别示出了传统方法；

图2A至图2C分别示出了传统方法；

图3A和图3B分别示出了传统方法；

图4A至图4D分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图5A和图5B分别以示意性的立体图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图6A至图6C分别以示意性的立体图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图7以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图8A至图8C分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图9A至图9C分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图10以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法；

图11以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法；

图12A和图12B分别以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法；

图13A和图13B分别以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法；

图14A和图14B分别以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法；

图15A和图15B分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图16A和图16B分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图17A至图17C分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图18A至图18D分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图19A至图19D分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图20A至图20D分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法；

图21以示意性的流程图示出了根据各个实施例的方法；以及

图22以示意性的流程图示出了根据各个实施例的方法。

图23A和图23B分别以示意性的截面图或侧视图示出了根据各个实施例的方法中的根据各个实施例的半导体器件。

图24A和图24B分别以示意性的截面图或侧视图示出了根据各个实施例的方法中的根据各个实施例的半导体器件。

具体实施方式

以下详细描述参考附图通过说明示出了可以实施本发明的具体细节和实施例。

本文使用的词语“示例性”表示“用作实例、示例或说明”。本文描述为“示例性”的任何实施例或设计不是必须理解为相对于其他实施例或设计是优选或有利的。

关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的词语“之上”在本文可用于表示沉积材料可以直接形成在所指侧面或表面上，例如与所指侧面或表面直接接触。关于形成在侧面或表面“之上”的沉积材料所使用的词语“之上”在本文可用于表示沉积材料可以不直接形成在所指侧面或表面上，在所指侧面或表面与沉积材料之间布置有一个或多个附加层。

关于结构(或衬底、晶片或载体)的“横向”延伸或“横向地”相邻所使用的术语“横向”在本文可用于表示沿着衬底、晶片或载体的表面的延伸或位置关系。这表示衬底的表面(例如，载体的表面，或晶片的表面)可用作参考，通常表示为衬底的主处理表面(或载体或晶片的主处理表面)。此外，关于结构(或结构元件)的“宽度”所使用的术语“宽度”在本文可用于表示结构的横向延伸。此外，关于结构(或结构元件)的“高度”所使用的术语“宽度”在本文可用于表示结构沿着垂直于衬底的表面(例如，垂直于衬底的主处理表面)的延伸。关于层的“厚度”所使用的术语“厚度”在本文可用于表示垂直于其上沉积有该层的支持件(材料)的表面的层的空间延伸。如果支持件的表面与衬底的表面(例如，主处理表面)平行，则沉积在支持件上的层的“厚度”可以与层的高度相同。此外，“垂直”结构可以表示在垂直于横向的方向上延伸(例如，垂直于衬底的主处理表面)的结构，并且“垂直”延伸可以表示沿着垂直于横向的方向的延伸(例如，垂直于衬底的主处理表面的延伸)。

根据各个实施例，一种半导体区域可包括各种类型的半导体材料或者由各种类型的半导体材料形成，例如包括IV族半导体(例如，硅或锗)、化合物半导体，例如III-V族化合物半导体(例如，砷化镓)或其他类型，包括III族半导体、V族半导体或聚合物。在一个实施例中，半导体区域由硅(掺杂或非掺杂)制成，在备选实施例中，半导体区域是绝缘体上硅(SOI)晶片。作为备选，任何其他适当的半导体材料可用于半导体区域，例如诸如磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)的半导体化合物材料，但是还可以使用任何适当的三元半导体化合物材料或四元半导体化合物材料，诸如砷化铟镓(InGaAs)。

根据各个实施例，半导体区域可以被处理以形成一个或多个半导体芯片，其中至少一个位于半导体区域中或之上。半导体芯片可以包括有源芯片区域。有源芯片区域可以设置在半导体区域的一部分中，并且可以包括一个或多个半导体电路元件，如晶体管、电阻器、电容器、二极管等。一个或多个半导体电路元件可以被配置为执行计算或存储操作。备选地或附加地，一个或多个半导体电路元件可以被配置为执行切换或整流操作，例如在功率电子器件中。

根据各个实施例，可以通过从半导体区域的切口区域中去除材料来从半导体区域中单一化半导体芯片(也称为锯切或切割半导体区域)。例如，从半导体区域的切口区域去除材料可以通过划线和破裂、分裂、刀片切割或机械锯切(例如，使用切割机)来进行处理。在单一化半导体芯片之后，例如可以通过模制材料将其电接触和密封成芯片载体(也称为芯片壳体)，然后可适用于电子设备。例如，半导体芯片可以通过线接合至芯片载体，并且芯片载体可焊接在印刷电路板上。

根据各个实施例，衬底可以包括半导体区域或者由半导体区域形成。备选地或附加地，半导体区域可以至少部分地被层覆盖。

根据各个实施例，结构化的热熔材料可用于在衬底的多孔结构之上形成掩模(也称为热熔掩模)，该多孔结构例如包括至少一个多孔层(例如，多孔金属层)或多孔半导体区域。掩模可用于进一步例如通过蚀刻(例如通过湿蚀刻)处理多孔结构。由于热熔掩模的特性，可以减少或防止热熔材料渗入衬底的多孔结构，这便于随后去除包括热熔材料或由热熔材料形成的掩模。

备选地或附加地，牺牲材料(例如，水溶性材料)可设置在衬底的多孔结构之上，该多孔结构例如包括至少一个多孔层(例如，多孔金属层)或多孔半导体区域。例如，牺牲材料可以包括水溶性材料(例如HogoMax)或者由水溶性材料形成。牺牲材料可以至少部分地填充(换言之，部分填充或完全填充)多孔结构，使得防止粘性光刻胶渗入多孔结构。备选地或附加地，其他不规则表面部件可至少被牺牲材料填充。示意性地，粘性光刻胶可以浮置牺牲材料。使用牺牲材料，可以减小衬底的粗糙度，从而减少了凹陷。牺牲材料之上设置的光刻胶例如可以通过光刻方式进行结构化，从而由光刻胶形成掩模。

根据各个实施例，结构化的保护层可以利用或不利用保护层的光刻胶结构化来形成。保护层可以根据预定图案(示意性地，掩蔽图案)来印刷。保护层可被配置为保护下面的结构(例如，多孔结构)在进一步的处理(例如，蚀刻)中不被处理。示意性地，保护层可用作掩模。

根据各个实施例，可以设置保护层，其不会较深地渗入到下面的结构(例如，多孔结构)中。这会利于在进一步的处理之后去除保护层。例如，可以通过以下至少一种去除保护层：溶剂(例如加热溶剂)、碱性流体、有机流体或水基流体。

根据各个实施例，相对于传统的光刻胶，可以提供保护层来利于以下至少一个优点：减少渗入结构中；较高外形特征(例如，较高粗糙度、阶梯、具有低层厚度不均匀性的衬底)的覆盖；降低成本(由于廉价材料的使用以及减少的材料消耗)；减少处理工作量(不需要光刻步骤)；增加了结构精度(例如，增加了结构化衬底的边缘陡峭度)。

任选地，粘性材料(例如，包括热熔材料或由热熔材料形成)可以包括化学不饱和材料(例如，化学不饱和热熔材料)。化学不饱和材料(也称为光敏材料)可以提供为例如通过暴露给紫外光形成聚合物链(例如，蜡链)的交联。这可以利于增加机械稳定性(示意性地，机械稳健性)。任选地，又例如如果保护层根据预定图案(例如通过印刷)形成，则这可以允许通过光刻来结构化保护层。示意性地，通过光刻的任选结构化会增加保护层的结构精度。

根据各个实施例，保护层可形成在接触垫(例如，多孔接触垫)之上。

图4A、图4B和图4C分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

该方法可以包括：在400a中，在衬底102之上设置104d粘性材料104(换言之，由粘性状态104形成的基础材料)。粘性材料104可以表示基础材料的粘性(例如，低粘性或高粘性)状态(也称为可流动状态)。粘性材料104可以包括以下至少一个或由以下至少一个形成：溶液(例如，溶解的基础材料)、玻璃转化状态或模具(熔化的基础材料)。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如溶液，可以包括以下至少一个或由以下至少一个形成(换言之，由选自以下材料的组中的至少一种材料形成)：聚合物(例如，环氧树脂(例如SU-8)、溶剂(例如，或者光敏组分)。

例如，聚合物可以包括以下至少一个或由以下至少一个形成：聚(甲基丙烯酸甲酯)(PMMA)、酚醛树脂、聚(甲基戊二酰亚胺)(PMGI)。例如，溶剂可以包括以下至少一个或由以下至少一个形成：环戊酮或γ-丁内酯(GBL)。

备选地或附加地，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如，熔化的基础材料，可以包括以下至少一个或由以下至少一个形成：热固物质(也称为热固性聚合物)、热塑物质(也称为热塑性材料或热软化塑料)或弹性体(例如，也称为热塑性弹性体，也称为热塑性橡胶)、热熔材料。例如，基础材料(例如，包括粘性状态104并由粘性状态104形成)，例如，熔化的基础材料，可以包括以下至少一个或由以下至少一个形成：聚酰亚胺(PA)、聚乙烯(PE)、聚氨酯、乙烯-丙烯酸共聚物、聚烯烃(例如，非晶态聚α烯烃(APAO))、乙烯-醋酸乙烯酯(EVA)共聚物、苯乙烯嵌段共聚物(styrene block copolymer)、聚已酸内酯、聚碳酸酯、含氟聚合物、硅橡胶、聚砒硌弹性体、聚酯弹性体、聚氨酯弹性体、氨弹性体、聚乙烯吡咯烷酮弹性体。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度(例如，在接触衬底102之前)可以小于约1000帕斯卡秒(Pa·s)，例如在约10^-4Pa·s至约1000Pa·s的范围内，例如小于约100Pa·s，例如在约10^-4Pa·s至约100Pa·s的范围内，例如小于约10Pa·s，在约10^-4Pa·s至约10Pa·s的范围内，例如小于约1Pa·s，例如在约10^-4至约1Pa·s的范围内，例如小于约10^-1Pa·s，例如小于约10^-2Pa·s，例如小于约10^-3Pa·s。

基础材料(例如，热熔材料)可以包括粘度转化温度(例如，大气压力下)，例如至少为以下之一：熔化温度、固化温度或玻璃转化温度(还称为玻璃液体转化温度)，其在约30C至约200C的范围内，例如在约30C至约150C的范围内，例如在约30C至约100C的范围内，例如在约30C至约90C的范围内，例如在约30C至约80C的范围内，例如在约30C至约70C的范围内，例如在约50C至约70C的范围内。备选地，粘度转化温度可以小于约50℃，例如小于约30C，使得基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以在冷却环境中被处理。备选地或附加地，粘度转化温度可以大于约200℃，使得基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以在加热环境中被处理。

粘度转化温度(例如，在大气压力下)可以被理解为基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)从粘性(也称为流动)状态变为非粘性(也称为非流动)状态的温度。在粘性状态104中，可以通过重力或表面张力中的至少一个来引起基础材料的变形。在非粘性状态106中，基础材料可以抵抗由重力或表面张力中的至少一个所引起的变形。

例如，非粘性状态106包括处于固态的热熔材料或者由处于固态的热熔材料形成，而粘性状态104包括处于液体状态的热熔材料或者由处于液体状态的热熔材料形成。

玻璃转化温度可以理解为非晶材料(或者半晶材料内的非晶区域)从非柔软(示意性地，硬且相对脆)状态到柔软状态(例如，熔化状态或玻璃转化状态)的可逆转化(例如，在大气压力下)。在非柔软状态下，基础材料可以包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成。在柔软状态下，基础材料可以包括粘性状态104或由粘性状态104形成。示意性地，玻璃转化可以在其熔化之前降低材料的粘度。在其玻璃转化温度之上且在其熔化温度(也称为熔点)之下，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以变化而不发生相关联的相变。例如，在热塑性的情况下，可以通过加热降低粘度。

熔化温度可以理解为基础材料从固态(包括非粘性状态)变为液态(例如，在大气压力下)(也称为相变)的温度。当考虑从液态到固态的相反变化的温度时，粘度转化温度可以称为固化温度(也称为凝固点或结晶点)。对于一些材料来说，例如对于多于一种化学物质的混合物来说熔化温度和固化温度可以稍稍不同，。温度范围可以在固化温度和熔化温度之间。在这种情况下，粘度转化温度可以任选地表示固化温度。

热塑物质(也称为热软化塑料)可以被理解为例如塑料(例如，聚合物)的材料，其在粘度转化温度之上变得柔软或可模制并且在冷却时固化，例如熔化和固化是可逆的。热塑物质可以包括通过分子间力相关联的聚合物链或者由通过分子间力相关联的聚合物链形成，这随着温度的增加而快速弱化，产生粘性材料104(也称为液体材料)。热塑物质可以通过加热转换为柔软状态。

基础材料(例如，热塑物质)的脆性可以通过添加增塑剂而降低，这增加了非晶链段到较低玻璃转化温度的移动性。在聚合之前通过共聚作用或者通过向单体添加非反应侧链修改聚合物也可以降低玻璃转化温度。

热固物质(也称为热固聚合物或塑料)可以包括预聚物材料或者由预聚物材料形成，其通过化学反应不可逆地固化，换言之，通过其化学结构的改变。固化可以通过热量引起(例如，高于200℃)，或者热固物质的辐射(例如，通过光或电子)引起。换言之，通过至少加热或辐射热固物质，可以增加其粘性。在这种情况下，粘度转化温度也可以表示开始(启动)化学反应的温度(初始温度)。例如，衬底可以具有大于初始温度的温度，其中在设置之前，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以具有小于初始温度的温度。例如，弹性体可以是热固性的。

热塑性弹性体(TPE)(也称为热塑料橡胶)可以包括共聚物或聚合物的物理混合物，或者由共聚物或聚合物的物理混合物形成，该聚合物包括热塑性和弹性两种特性。例如，热固性弹性体可以包括交联键结构(与热塑性弹性体相比)，其能够实现热固性特性。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以包括从以下添加物中选择的至少一种添加物：蜡、粘性树脂、增塑剂、抗氧化剂、稳定剂、UV稳定剂保护。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以包括光敏材料或者由光敏材料组成。光敏材料可以被配置为在辐射的情况下改变其化学结构，例如通过具有显影剂波长的光进行辐射。换句话说，光敏材料可以限定光敏材料的化学结构敏感的波长(也称为显影剂波长)。换句话说，显影剂波长可以表示开始改变基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度的波长。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)(例如，包括光敏材料)的粘度可以通过将基础材料暴露给具有光敏材料的显影剂波长的光来进行调整。根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)(例如，光敏材料)的粘度可以通过辐射(例如，暴露给光)来增加。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成，例如基础材料的至少一部分104p)可以设置104d在衬底102的接触区域314之上。接触区域314可以是衬底102被指定为由基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)覆盖的区域。接触区域314可以是衬底102被指定为在至少一个以下处理中不被处理(被掩蔽)的区域。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以在接触区域314中(在基础区域314的至少一部分中)接触衬底102，该接触区域限定基础材料相对于衬底102的位置。

根据预定的空间分布(例如，空间材料分布或空间覆盖分布中的至少一个)，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以在衬底102的接触区域314之上进行分布，例如，限定以下至少之一：在衬底102的每个区域中设置104d的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的量、衬底102被指定为被基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)覆盖的至少一个区域(一个或多个区域)、衬底102的可以不覆盖衬底102的至少一个区域。例如，预定的空间分布可以包括预定图案(其限定衬底102可以不被覆盖的至少一个区域以及衬底102可以被覆盖的至少一个区域)。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以使用设置设备(例如，印刷机)来设置104d，该设置设备可以被配置为根据预定的空间分布来分配基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以顺次设置104d，例如，通过设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的多个部分104p，这些部分通过以下至少之一来分离：空间距离(换言之，通过相互之间的空间距离分离)或者时间距离(换言之，通过时间周期分离)，例如通过在衬底102上滴定或喷射基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)中的至少一种。备选地或附加地，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以连续地设置104d，例如是到衬底102上的基础材料的连续的流。备选地或附加地，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如基础材料的多个部分，可以被共同地设置104d(例如，在短于接触时段的时段内)。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以在衬底102之上设置104d基础材料之前(例如在接触衬底102之前)被加热。在衬底之上设置104d基础材料之前加热基础材料可以被配置为使得接触衬底之前的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的温度大于粘度转化温度，例如，大于基础材料的熔化温度或小于基础材料的初始温度。

根据各个实施例，例如，如果基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)包括熔化基础材料或者由熔化基础材料形成，则基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以不具有挥发性溶剂。在溶液的形式下，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以包括至少一种挥发性溶剂。

根据各个实施例，衬底102可以包括表面102s，该表面与基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)接触。例如，表面102s可以是衬底102的半导体区域或衬底102的金属区域的表面。

任选地，至少一层(例如，包括接触垫或由接触垫形成)可以至少形成在衬底102的半导体区域中或之上。在这种情况下，至少一层(也称为至少一个表面层)可以包括表面102s。

表面102s可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：半导体或金属。例如，至少一个表面层可以包括至少一个金属层或由至少一个金属层形成，例如多孔金属层。备选地或附加地，至少一个表面层可以包括至少一个半导体层或由至少一个半导体层形成。根据各个实施例，至少一个衬底或至少一个表面层也可以包括其他材料或由其他材料形成，例如其他多孔材料。

任选地，表面102s可以关于万有引力的方向倾斜。

根据各个实施例，表面102s的粗糙度(例如，均方根粗糙度)可以在大约0.1μm至大约10μm的范围内，例如在大约1μm至大约10μm的范围内，例如在大约1μm至大约5μm的范围内。

根据各个实施例，至少一层可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：阻挡层、金属化层、再分布层、钝化层。

根据各个实施例，衬底102(例如，衬底的表面102s)，例如至少一个表面层(例如，至少一个表面层的表面102)可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：金属、半导体(也称为半导体材料)、例如氧化物(包括金属或半导体中的至少一种(分别为半导体氧化物或金属氧化物)，例如氧化硅)、氮化物(包括金属或半导体中的至少一种(分别为半导体氮化物或金属氮化物)，例如氮化硅)或介电材料(包括金属或半导体中的至少一种(例如，分别为半导体电介质或金属电介质))。

根据各个实施例，金属可以包括以下元素组中的至少一个元素或者可以由以下元素组中的至少一个元素形成(换言之，金属可以包括以下至少一种或由以下至少一种形成)：铝、铜、镍、镁、铬、铁、锌、锡、金、银、铱、铂或钛。备选地或附加地，金属可以包括金属合金或者可由金属合金形成，其中金属合金包括多于元素组的一种元素或多于一种元素。例如，金属合金可以包括金属互化物，例如金和铝的金属互化物、铜和铝的金属互化物、铜和锌的金属互化物(例如，“黄铜”)或者铜和锡的金属互化物(例如，“青铜”)。根据各个实施例，金属可以是导电的，例如具有大于约10⁴S/m的导电率，例如大于约10⁶S/m。

根据各个实施例，表面102s，例如衬底102，例如至少一个表面层可以包括铜或由铜形成。

该方法可以包括：在400b中，在基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)与衬底102的接触时段期间，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度。接触时段可以理解为在基础材料(例如，粘性状态104，例如粘性状态104的至少一部分)与衬底102之间的第一接触开始的时段。接触时段可以持续到基础材料(例如，粘性状态104，例如粘性状态104的至少一部分)和衬底102之间的界面面积改变，例如通过基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的变形而增加。换言之，该方法可以包括：在400b中，在基础材料接触衬底102之后，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度。例如，该方法可以包括：在400b中，在基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的变形(例如，接触引发变形)期间，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度。

任选地，如果达到均衡状态(例如，基础材料的移动停滞)，则接触时段可以结束。

任选地，该方法可以包括：在400b中，在基础材料与衬底102接触之前，例如在基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)从设置设备(例如，印刷机)释放(例如，从设置设备的喷嘴)之后，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度。换句话说，该方法可以包括：在400b中，在基础材料位于衬底102与设置设备之间期间(例如，远离衬底102或设置设备中的至少一个)，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)粘度。

根据各个实施例，该方法可以包括：在400b中，在衬底102上变形基础材料期间，例如通过接触引发变形，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的变形可以通过重力、质量惯性或表面张力中的至少一种来引发。调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以为基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的变形的减速或停止中的至少一个。

在接触时段期间，例如在基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的变形期间，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以至少完全接触衬底102的接触区域314或者与衬底102的接触区域314重叠。

调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以包括至少改变(例如，增加或降低)基础材料的温度或者辐射基础材料(例如，通过光或电子)。

通过降低基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的温度，换言之，通过冷却基础材料，基础材料可以硬化，例如固化或进入玻璃转化。通过增加基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的温度(换言之，通过加热)，基础材料可以改变其化学结构，例如通过化学反应。通过辐射基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，基础材料可以至少改变其化学结构(例如，通过化学反应)或者被加热。

例如，可以通过加热402基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)来改变温度，例如如果基础材料包括热固物质或热固性弹性体中的至少一种或者由热固物质或热固性弹性体中的至少一种形成的话。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以通过将热能传送给基础材料来加热，例如通过以下至少一种：热辐射402、热传导406到衬底102或者热传导402到加热介质(例如，气体)。备选地，可以通过冷却402基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)来改变温度，例如如果基础材料包括热塑物质或热塑弹性体中的至少一种或者由热塑物质或热塑弹性体中的至少一种形成的话。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以通过将能量传送远离基础材料来冷却，例如通过以下至少一种：热辐射404、热传导408到衬底102或者热传导404到加热介质(例如，气体)。为了冷却基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，接触温度(例如，通过衬底102的温度(衬底温度)来限定)可小于基础材料的温度(例如，在接触衬底102之前)，例如小于基础材料的固化温度。

备选地或附加地，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以通过辐射402(例如，光、电子、质子等)来照射，辐射402被配置为引发基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)中的化学反应(分别发生化学变化)。化学反应(分别发生化学变化)可理解为将一个集合的化学物质转换为另一集合的化学物质，例如通过以下至少一种：改变电子的位置、形成化学键或者破坏化学键。

由于化学反应，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以至少部分地固化。固化可以表示通过聚合物链的交联坚韧化或硬化基础材料，这由电子束、热量或化学添加物来引发。当基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如光敏材料(例如，添加剂)通过辐射激发时，处理可以表示辐射固化，例如用于紫外线(UV)辐射的情况的UV固化。

根据各个实施例，调整粘度可以包括：形成基础材料的第一区域104a和粘性材料104的第二区域104b，其中基础材料的第一区域104a与基础材料的第二区域104的不同之处在于以下至少之一：粘度、温度、化学结构。例如，基础材料的第一区域104a的粘度可以大于基础材料的第二区域104b的粘度。例如，第一区域104a可以包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成，其中第二区域104b可以包括粘性状态104或由粘性状态104形成。

调整粘度可以包括：形成基础材料的至少一个区域104a、104b，其中基础材料维持以下至少之一：重力或表面张力。示意性地，基础材料由于重力或表面张力中的至少一种引发的变形可以通过调整粘度而至少减速或停止，例如在基础材料的第一区域104a和基础材料的第二区域104b中的至少一个中增加粘度，例如通过改变基础材料的第一区域104a或基础材料的第二区域104b中的至少一个中的温度或化学结构中的至少一种。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)通过衬底102来冷却。在这种情况下，基础材料的第一区域104a可以设置在基础材料104的第二区域104b与衬底102之间(例如，基础材料的第一区域104a可以与衬底102接触)，其中基础材料的第一区域104a的粘度可以大于基础材料的第二区域104b的粘度。

调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以被配置为：稳定基础材料的布置，其中该布置包括以下至少之一：基础材料的位置(例如，基础材料的每个部分的位置)或者基础材料例如设置104d为例如与衬底102接触的空间分布。基础材料的位置或者基础材料的空间分布中的至少一个可以通过基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)与衬底102接触的区域来限定。换句话说，可以保持基础材料相对于衬底102(例如，相对于接触区域314)的位置或空间分布中的至少一个。

根据各个实施例，在基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的第二部分104p可以设置在衬底102之上或者基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的第一部分之上中的至少一种之前，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的第一部分104p可以转换为非粘性状态，例如固化或凝固中的至少一种。例如，第二部分104p在设置之后与第一部分104p相邻。

例如在接触衬底102之后包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成的基础材料的粘度可以大于例如在接触衬底102之前包括粘性状态104或由粘性状态104形成的基础材料的粘度，例如大于约100％，例如大于约500％，例如大于约1000％。例如，包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成的基础材料的粘度(例如在接触衬底102之后)可以大于约1000Pa·s，例如大于约10⁴Pa·s，例如大于约10⁵Pa·s，例如大于约10⁶Pa·s，例如大于约10⁷Pa·s，例如大于约10⁸Pa·s，例如大于约10⁹Pa·s。

例如通过固化基础材料或者凝固基础材料中的至少一种方式调整粘度可以将基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)转换为非粘性状态106(也称为非粘性材料106)，例如固体状态或固化状态中的至少一种。在调整粘度之后，基础材料可以包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成(以形成保护层)。例如，非粘性材料106包括固态的热熔材料或者由固态的热熔材料形成，并且粘性材料104包括液态或玻璃转化状态中的至少一种的热熔材料或者由液态或玻璃转化状态中的至少一种的热熔材料形成。

调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以被配置为：调整基础材料的厚度104t(例如，其间形成保护层)。基础材料的厚度104t可以取决于基础材料与衬底的第一接触(当变形开始时)与基础材料的稳定之间的时段，换言之，基础材料可变形的时段(也称为接触时段)，例如通过以下至少之一而变形：重力或表面张力。示意性地，基础材料的厚度104t可以随着接触时段的增加而降低。换言之，基础材料的粘度增加越快，基础材料在所有方向上流动的时间越少。备选地或附加地，可以调整设置104d在衬底102之上的基础材料的量。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的厚度104t可以包括调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)与基础材料接触衬底(例如，衬底102的表面102s)之前的接触温度(例如，衬底温度)之间的温度差，或者由该温度差形成。温度差越大，接触时段会越长。根据各个实施例，接触温度(例如，衬底102的温度)或者基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的温度中的至少一个可以例如同时或相互独立地进行调整。接触温度越大，接触时段会越长。备选地或附加地，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的温度越高，接触时段会越长。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的厚度104t可以包括调整例如顺次地调整设置104d在衬底102之上(例如，在接触区域314之上)的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的量，或者由调整该量形成。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)在衬底102(例如，接触区域314)之上设置104d得越多，基础材料(或者分别为保护层108)的厚度104t会越大。例如，附加的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以形成在已经稳定的基础材料(例如，包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成)(例如，已经为固体的基础材料)之上，以增加基础材料的厚度。备选地或附加地，可以增加基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的一部分的体积，以增加粘性材料104的厚度，例如滴定体积。

根据各个实施例，调整基础材料(或者分别为保护层108)的厚度104t可以包括调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)所暴露的具有显影剂波长的光的强度，或者由调整该强度形成。光的强度越小，接触时段可越长。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的厚度104t可以包括调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)所暴露的辐射(例如，光)的波长(也称为曝光波长)，或者由调整该波长形成。曝光波长和显影剂波长之间的差越大，接触时段就会越长。

根据各个实施例，该方法可以包括：在400b中，形成保护层108。保护层108可以包括基础材料(非粘性材料106)的非粘性状态106，或者由基础材料(非粘性材料106)的非粘性状态106形成。非粘性材料106还可以包括非晶材料或由非晶材料形成。

保护层108可至少覆盖衬底102的接触区域314。此外，至少一个其他区域316(至少一个处理区域316)可暴露于保护层108(不被覆盖)。

该方法可以包括：在400c中，将保护层108用作掩模来处理衬底102。处理衬底102可以包括以下至少之一或由以下之一形成：蚀刻衬底102(例如，使用气态蚀刻剂、液体蚀刻剂、等离子体蚀刻剂或离子蚀刻剂中的至少一种)；掺杂衬底102(例如，使用气态掺杂源、使用液体掺杂源或使用离子掺杂源(也称为离子注入)中的至少一种)；在衬底102之上沉积材料(例如，使用气态沉积源、液体沉积源或等离子体沉积源中的至少一种)；或者反应衬底102(例如，使用气态反应剂、液体反应剂、离子反应剂中的至少一种)。

通过处理衬底102，可以处理至少一个(未覆盖)区域316(处理区域316)，例如可以形成衬底102的处理区域316。示意性地，至少一个处理区域316可以表示衬底102的至少一个区域，其中衬底102被指定为被处理。至少一个接触区域314可以不被处理。

该方法可以包括：在400c中，在处理衬底102之后，去除保护层108。通过去除保护层108，可以暴露至少接触区域314。

图5A和图5B分别以示意性的立体图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。该方法可以包括：在500a和500b中，在衬底102之上设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。衬底102(例如，表面102s)可以包括延伸到衬底102中的至少一个外形特征102t(换言之，一个或多个外形特性102t，例如多个外延特征102t)或者可由该外形特征102t形成。至少一个外形特征102t可以包括位于表面102s中的开口102o或者由位于表面102s中的开口102o形成。至少一个外形特征102t可以包括凹面102c。

根据各个实施例，至少一个外形特征102t的大小(例如，空间平均大小)可以在约0.1μm至约10μm的范围内，例如在约0.5μm至约10μm的范围内，例如在约1μm至约5μm的范围内。该大小可以限定与表面102s平行的至少一个外形特征102t的延伸(例如，开口102o的横向延伸)；或者至少一个外形特征102t到衬底中的延伸(例如，垂直于表面102s)中的至少一个。

至少一个外形特征102t可以在500a中包括至少一个孔隙或由至少一个孔隙形成(也称为多孔结构)。换句话说，至少一个孔隙可以穿过表面102s打开。任选地，至少一个孔隙中的至少两个孔隙可以相互互连，例如通过相互邻接和/或通过其他孔隙。至少一个孔隙中的孔隙之间的距离可以小于以下至少之一：它们垂直于表面102s的延伸或者它们平行于表面102s的延伸。

至少一个外形特征102t可以在500b中包括至少一个孔或者由至少一个孔形成(也称为孔结构)。至少一个孔中的孔可以相互分离。至少一个孔中的孔到衬底102中的延伸可以大于以下至少之一：它们垂直于表面102的延伸或者它们相互之间的距离。

图6A、图6B和图6C分别以示意性的立体图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。该方法可以包括：在600a、600b和600c中，在衬底102之上设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。衬底102(例如，表面102s)可以包括延伸到衬底102中的至少一个外延特征102t或者由延伸到衬底102中的至少一个外延特征102t形成。至少一个外形特征102t可以包括凹面102c。

至少一个外形特征102t可以在600a中包括至少一个阶梯或者由至少一个阶梯形成(也称为阶梯结构)。

至少一个外形特征102t可以在600b中包括至少一个凹部或由至少一个凹部形成(也称为凹部结构)。

至少一个外形特征102t可以在600c中包括至少一个沟槽或由至少一个沟槽形成(也称为沟槽结构)。至少一个沟槽中的每个沟槽都可以在垂直于表面102s的方向上延伸。至少一个沟槽中的沟槽在平行于表面102s的方向上的延伸可以大于它们之间的距离或者它们垂直于表面102s的延伸中的至少一个。换句话说，至少一个沟槽可以是细长的。

根据各个实施例。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以设置为使得基础材料(或者分别为保护层108)覆盖至少一个外形特征102t。

图7以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

根据各个实施例，该方法可以包括：在700a中形成多孔结构702，该多孔结构至少在衬底102之上或衬底102中，例如在衬底102的半导体区域704之上。例如，多孔结构702可以包括至少形成在衬底102的之上或衬底102中的层(例如，多孔接触垫)，或者由该层形成。

根据各个实施例，多孔结构702可以包括多孔金属层或由多孔金属层形成。备选地或附加地，多孔结构702可以包括多孔半导体层或由多孔半导体层形成。

根据各个实施例，多孔结构702可以通过印刷工艺来形成，例如膏印刷工艺(例如，丝网印刷工艺和/或丝印工艺)，例如金属膏印刷(例如，使用含有金属的膏)。备选地或附加地，多孔结构702可以通过等离子体尘埃沉积(例如，使用尘埃等离子体)来形成。

根据各个实施例，多孔结构702的孔隙率可以在约20％至约80％的范围内，例如在约20％至大约70％的范围内，例如在约20％至约50％的范围内，例如在约20％至约30％的范围内，或者在约30％至约40％的范围内。

根据各个实施例，多孔结构702的孔隙大小(例如，空间平均孔隙大小)可以在约0.1μm至约10μm的范围内，例如在约0.5μm至约10μm的范围内，例如在约1μm至约5μm的范围内。孔隙大小可以限定为多孔结构702中的孔隙平行于表面102s的延伸；或者多孔结构702中的孔隙到衬底中(例如，垂直于表面102s)的延伸中的至少一个。

根据各个实施例，多孔结构702的粗糙度(例如，平方根粗糙度)可以在约0.1μm至约10μm的范围内，例如在约1μm至约10μm的范围内，例如在约1μm至约5μm的范围内。

根据各个实施例，多孔结构702可以包括多个孔隙或者由多个孔隙形成。根据各个实施例，多孔结构702中的至少一个孔隙(例如，多个孔隙)可以在表面102s处打开。

图8A至图8C分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

根据各个实施例，该方法可以包括：在800a中，提供包括多孔结构702或由多孔结构702形成的衬底102。任选地，多孔结构702可以形成在半导体区域之上。

根据各个实施例，衬底102(例如，表面102s)，例如多孔结构702可以包括限定该表面的最大高度变化702h的至少一个凸起702p。最大高度变化702h可以限定衬底102(例如，表面102s)的粗糙度，例如多孔盖结构702的粗糙度。

根据各个实施例，衬底102(例如，表面102s)，例如多孔结构702可以包括表面部分702t，其具有关于引力方向(例如，方向105)倾斜的表面法线102n。例如，表面部分702t可以包括接触区域316或由接触区域316形成。

根据各个实施例，该方法可以包括：在800b中形成保护层108(来自基础材料)。保护层108可以例如通过以下处理形成在衬底102(例如，表面102s)，例如多孔结构702之上：在衬底102之上设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，以及调整基础材料的粘度以稳定所设置的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的空间分布。可以调整基础材料的粘度，使得基础材料基本不流动(例如，渗入)到外形特征中，例如进入多孔结构702的孔隙。

保护层的厚度108d可以大于最大高度变化702h，例如在最大高度变化702h的区域中。备选地或附加地，保护层108的厚度108d可以大于约2μm，例如大于约4μm，例如大于约6μm，例如大于约8μm，例如大于约10μm。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度被配置为：在衬底102中(例如，在分别被基础材料或保护层108覆盖的外形特征102t中)形成至少一个中空结构120h。

该方法可以包括：在800b中，将基础材料至少部分地转化为非粘性状态106，例如在结构化802保护层108之前。

至少一个外形特征102t(例如，保护层108下方的孔隙)可以包括小于基础材料(或者其间形成的保护层108)的体积。换言之，保护层108可以覆盖至少一个外形特征102t而不填充至少一个外形特征102t。

任选地，该方法可以包括：在800c中，使用光刻结构化802保护层108，例如在处理表面102s之前。保护层108可以根据预定图案(例如，掩模图案)来结构化。

图9A、图9B和图9C分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

在800c中结构化802保护层108之后，可以暴露(换言之，不覆盖)衬底102(例如，表面102s)的至少一个处理区域316。

对于800c备选地或附加地，该方法可以包括：在900a中，根据预定图案(例如，掩模图案)设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。预定图案可以被配置为留下衬底102(例如，表面102s)的至少一个区域316不被覆盖。在这种情况下，该方法可以任选地包括：在900a中，例如在处理表面之前，使用光刻结构化802保护层108。这可以增加保护层108的结构精度。

该方法可以包括：在900b中处理衬底102，例如表面102s。通过保护层108暴露的至少一个处理区域316(暴露区域)可以例如通过湿蚀刻(例如，使用液体蚀刻剂)或干蚀刻(例如，使用气体蚀刻剂、等离子体蚀刻剂或离子蚀刻剂中的至少一种)来进行处理。例如，至少一个沟槽902或凹部902可以形成在衬底102中，例如形成在多孔结构702中。

该方法可以包括：在900c中去除保护层108，例如使用溶剂(例如，碱性流体、有机幼体或水基流体)，例如加热溶剂。加热溶剂包括的温度可以大于保护层108的温度，例如大于保护层108(分别为基础材料)的粘度转化温度。备选地或附加地，保护层108可以被加热来用于去除保护层108，例如如果保护层108包括热熔材料(例如，热塑物质)或由热熔材料形成的话。

该方法可以包括：在900c中暴露接触区域314。

图10以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法。长度尺寸1002可以在约0.1mm至约10mm的范围内，例如在约0.2mm至约5mm的范围内，例如在约0.5mm至约2mm的范围内，例如约1mm。

根据各个实施例，该方法可以包括：在1000中，根据预定图案形成保护层108。换句话说，该方法可以在1000中包括以下至少之一：根据预定图案结构化保护层108(例如，使用光刻)，以暴露表面102s的至少一个处理区域316，根据预定图案在表面102s上设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)以使表面102s的至少一个处理区域316不被覆盖；在根据预定图案在表面102s上设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)之后，结构化保护层108(例如，使用光刻)。

根据各个实施例，保护层108可以包括设置为相互远离的多个部分108s(示意性地，垫区域)或者由设置为相互远离的多个部分108s(示意性地，垫区域)形成。例如，以下至少一个的延伸可以在长度尺寸1002的一半的范围内：多个部分106p中的每个部分(平行于表面102s)或者接触区域314。

在多个部分108s中的部分之间，表面102s可以包括至少一个(暴露)处理区域316。至少一个处理区域316可以环绕多个部分108s中的每个部分。

保护层108的两个部分106p之间的距离1004可以在约5μm至约500μm的范围内，例如在约10μm至约250μm的范围内，例如在约25至约100μm的范围内，例如约50μm。

根据各个实施例，表面102s(例如多孔结构702)可以通过至少一个表面层来设置，该至少一个表面层包括导电材料(也称为至少一个导电层)或由导电材料形成，例如具有大于约10⁴S/m的导电率，例如大于约10⁶S/m。例如，至少一个表面层可以包括金属或由金属形成。在这种情况下，多个部分108s的每个部分均可以限定由至少一个表面层形成的一个接触垫。

备选地或附加地，表面102s可以通过至少一个表面层设置，该至少一个表面层包括半导体材料或者由半导体材料形成。

根据各个实施例，保护层108可以提供用于处理衬底102的掩模，例如包括热熔材料或由热熔材料形成，例如使用喷射印刷来形成。

图11以示意性顶视图示出了根据各个实施例的方法。

该方法可以包括：在1100中，处理衬底102，例如多孔结构702。被处理的至少一个处理区域316(处理区域316)可以包括环绕至少一个非处理区域314的沟槽或由环绕至少一个非处理区域314的沟槽形成。在至少一个非处理区域314(非处理区域314)中，衬底102可包括以下至少之一：多孔结构702或导电层。

根据各个实施例，例如如果表面102s通过导电层来设置，则多个部分108s中的每个部分都限定由导电层形成的一个接触垫102p。

例如，至少一个导电层可以包括金属或由金属形成，例如包括铜或由铜形成。例如，至少一个导电层可以由铜膏形成，例如在气态甲酸中固化例如至少3小时并且温度在约100℃至约600℃的范围内，例如约400℃。

根据各个实施例，至少一个表面层(至少一个导电层)的厚度可以在约5μm至约100μm的范围内，例如在约10μm至约50μm的范围内，例如在约20μm至约30μm的范围内，例如约25μm。

根据各个实施例，至少一个表面层的孔隙率可以在约20％至约70％的范围内，例如在约30％至约40％的范围内，例如约35％。

根据各个实施例，至少一个表面层的粗糙度(例如，均方根)可以在约1μm至约5μm的范围内，例如约3μm。

处理衬底102(例如，至少一个表面层)可以包括蚀刻衬底102，例如使用蚀刻剂(可包括硝酸、氢氟酸或酸性酸中的至少一种或由硝酸、氢氟酸或酸性酸中的至少一种形成)，例如在约10分钟至约60分钟的范围内(例如，约25分钟)，例如在约20℃至大约100℃的范围内(例如，约40℃)的衬底温度下。

图12A和图12B分别以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法。

该方法可以包括：在1200a中，根据预定图案设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。例如，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以使用印刷来设置。长度尺寸1202可以在约100μm至约500μm的范围内，例如约300μm。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如基础材料的多个部分104p可以顺次地以滴定顺序设置，例如使用按需滴定(DOD)工艺。设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以包括：在衬底102的每个区域中(部分密度)设置预定量的部分104p(例如，滴定)。部分密度(例如，液滴密度)可以表示每个长度尺寸或具有长度尺寸的侧面长度的每个正方形区域的部分104p的量。

根据各个实施例，部分密度可以在每厘米约100个部分104p(对应于每英寸250个部分)至每厘米约500个部分(对应于每英寸1300个部分)的范围内，例如在每厘米约150个部分(对应于每英寸约380个部分)至每厘米约400个部分(对应于每英寸约1000个部分)的范围内，例如在每厘米约200个部分(对应于每英寸500个部分)至每厘米约300个部分(对应于每英寸760个部分)的范围内，例如在每厘米约220个部分至每厘米约250个部分的范围内，例如每厘米约240个部分(对应于每英寸约600个部分)。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如多个部分104p的每个部分可以在设置期间以及在接触衬底102(例如，表面102s)之前具有高于粘度转化温度的温度，例如在约50℃至约200℃的范围内，例如约90℃。

根据各个实施例，多个部分104p中的每个部分(例如，液滴)的体积可以在约10pL至约50pL的范围内，例如约30pL。

根据各个实施例，接触温度(例如，在接触粘性材料104之前，衬底102(例如表面102s)的温度)可以低于粘度转化温度，例如在约25至约100℃的范围内，例如约50℃。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)(例如，多个部分104p的每个部分)在接触衬底102(例如，表面102s)之前的温度与接触温度之间的温度差可以在约10℃至约100℃的范围内，例如约40℃。

根据各个实施例，可以控制例如由衬底102(例如，表面102s)提供的接触温度，例如基本恒定。因此，衬底102可以在设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)期间被冷却。备选地或附加地，衬底102可以在设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)期间被加热。

该方法可以包括：在1200a中设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，使得至少一个处理区域316不具有基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，如化学分析1200b所示意性示出的(例如，通过能量分散X射线光谱分析)，其示出了表示化学元素的量的强度参数1205，该强度参数依赖于表示化学元素的分类的识别参数1201(例如，由化学元素吸收的能量)。化学分析1200可以表示处理衬底102之前的处理区域316的区域。

表面102s的材料(例如，包括铜或由铜形成)可以通过强初级峰值1204a和次级峰值1204b来表示，而不存在表示保护层108(例如，基础材料(例如，分别为粘性材料104或非粘性材料106))的材料的峰值1304。这表示不会污染处理区域316。

图13A和图13B以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法。

化学分析1300b(例如，通过能量分散X射线光谱分析)表示在处理衬底102之前的非处理区域314的区域。

保护层108的例如基础材料的材料(例如，分别为粘性材料104和非粘性材料106)可以通过强峰值1304来表示。强峰值1304可以表示保护层108中的氧或碳中的至少一种。

图14A和图14B分别以示意性的顶视图示出了根据各个实施例的方法。

该方法可以包括：在1400a中，将保护层108用作掩模来处理衬底102，例如表面102s。例如，衬底102(例如，表面102s)可以使用蚀刻来处理。长度尺寸1202可以在约100μm至约500μm的范围内，例如约300μm。

化学分析1400b(例如，通过能量分散X射线光谱分析)可以类似于化学分析1300a，其表示处理衬底102之后的处理区域316的区域。表面102s的材料(例如，包括铜或由铜形成)可以通过强初级峰值1204a和次级峰值1204b表示，而不存在表示保护层108的材料(例如，基础材料(分别为粘性材料104或非粘性材料106))的峰值1304。这表示不污染处理区域316。

在处理衬底102(例如，多孔结构702)之后，根据各个实施例，波纹状边缘108e(或波纹边108e)可以仍然使用粘性材料104，例如热熔材料，以形成掩膜。波纹状边缘或波纹边可以由印刷工艺得到，例如由液滴的形状得到。通过减小液滴尺寸(例如，它们的体积)，可以减小波纹状边缘108e或波纹变108e的幅度。通过分析快速处理的衬底102的形状(例如，快速处理的多孔结构702)，可以显示根据各个实施例的方法的使用。

图15A和图15B分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出根据各个实施例的方法。

该方法可以包括：在1500a中，在包括外形特征102t(例如，凹陷的外形特征102t(换句话说，从表面102s延伸到衬底102中))的衬底102上印刷基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。换言之，保护层108可以使用印刷处理来形成，例如喷墨印刷工艺，例如按需滴定(DOD)工艺，例如热DOD或压电DOD中的至少一种。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的多个部分104p可以顺次设置。例如，基础材料可以滴定设置，例如可以顺次地设置多个液滴104p。备选地或附加地，基础材料可以逐线设置，例如可以顺次地设置多条线104p(截面图所示)。例如，每条线都可以包括以下至少之一：包括基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)或由该基础材料形成的多于一个的液滴104p或者包括基础材料或由基础材料形成的线(例如，细长的线)。

印刷设备可以包括喷嘴1502，喷嘴包括至少一个致动器(例如，压电致动器)，其例如以多个微滴104p(多个液滴)的形式形成基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的部分104p，例如它们可以与衬底102(例如，表面102s)顺次接触，例如它们通过时间或距离中的至少一个分离。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：光可固化材料(例如，UV可固化材料)或者热熔材料。使用印刷工艺(例如，喷墨印刷工艺)、基础材料(例如，粘性材料104，例如光可固化材料和/或热熔材料)可以设置在衬底102(例如，多孔结构702)之上。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以根据预定的空间分布设置在衬底102之上。空间分布可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：多个部分104p中的每个部分(例如，至少一个液体或线)的位置(例如，多个部分104p中的每个部分与衬底102接触)、每个表面102s的面积的材料量、部分密度、每个衬底102的面积的线的量(线密度)、多个部分104p的每个部分(例如，至少一个液滴或线)的材料的量。

根据各个实施例，多个部分104p(例如，液滴)中的每个部分的体积(部分体积)可以在大约10皮升(pL)至大约100pL的范围内，例如在约10pL至约80pL的范围内，例如在约20pL至约50pL的范围内，例如在约20pL至约40pL的范围内，例如约30pL。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)(例如，多个部分104p的每个部分)可以在接触衬底102(例如，表面102s)之后直接转化为非粘性状态106(例如，凝固或固化)。将基础材料转化为非粘性状态106可以包括调整基础材料的粘度。基础材料(例如，多个部分104p中的每个部分)可以转化为非粘性状态106越快，基础材料就可以越少地渗入到至少一个外形特征102t(例如，进入多孔结构702)中。这可以稳定基础材料的空间分布，例如多个部分104p中每个部分的位置。根据各个实施例，表面102可以通过由基础材料(例如，包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成)的保护层108密封。

根据各个实施例，例如如果基础材料包括热熔材料或由热熔材料形成，则印刷设备可以包括容器，在该容器中，基础材料可以被加热到高于其粘度转化温度的温度，例如大于其熔化温度，从而将基础材料转化为粘性状态104。例如由表面102s、衬底102或多孔结构702中的至少一个的温度所限定的接触温度可以小于基础材料的粘度转化温度。通过调整接触温度，可以调整以下至少之一：结构精度、保护层108的纹理(例如，印刷图像)、保护层108的表面外形。

根据各个实施例，该方法可以在1500a中包括调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度，例如通过固化或凝固中的至少一种，使得基础材料基本不流动到至少一个外形特征102t中。例如，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以通过在基础材料接触衬底102之后调整基础材料的粘度来转化为非粘性状态106。备选地或附加地，在基础材料从基础材料(例如，多个部分104p中的每个部分)接触衬底102的位置偏移之前，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以通过调整基础材料的粘度来转化为非粘性状态106。

根据各个实施例，在流动到至少一个外形特征102t中之前，基础材料(例如，多个部分104p中的每个部分)可以转化为非粘性状态106(例如，通过固化或凝固中的至少一种)，例如固体状态或固化状态中的至少一个。备选地或附加地，在基础材料从基础材料(例如，每个液滴104p或每个线104p)接触衬底102之前，基础材料可以转化为非粘性状态106。

因此，通过调整接触材料的粘度来保持基础材料(例如，多个部分104p中的每个部分)与表面102s接触的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的位置。

至少一个外形特征102t可以包括微开口或由微开口形成，例如至少一个外形特征102t(例如，其开口102o)，其可以具有小于约1mm的延伸，例如小于约0.1mm，例如小于约10μm，例如小于约1μm，例如小于约0.1μm。

根据各个实施例，至少一个外形特征102t可以包括延伸102d(与表面102s平行)，其小于基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的每个部分104p的延伸(与其平行)，例如平行于表面102s(基础材料的部分104p的横向延伸104l)和/或垂直于表面102s(基础材料的部分104p的厚度104h)。备选地或附加地，至少一个外形特征102t(例如，其开口102o)可以包括延伸102d，其小于到衬底102中的至少一个外形特征102t的延伸102r(至少一个外形特征102t的深度102r)。

备选地或附加地，至少一个外形特征102t包括的体积可以小于基础材料(例如，液滴或线)的每个部分104p的体积。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的部分104p的横向延伸104l可以对应于接触区域314的横向延伸(基础材料接触衬底102的部分104p)。基础材料的部分104p的厚度104h可以等于或小于保护层108的厚度。

根据各个实施例，该方法可以包括：在1500b中，用基础材料覆盖至少一个外形特征102t。由于基础材料(例如，包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成)基本可以不流动到至少一个外形特征102t中，所以可以在以下至少一个位置中形成中空结构102h：衬底102中、衬底102与基础材料(例如，包括非粘性状态106或由非粘性状态106形成)之间、衬底102和保护层108之间。

图16A和图16B分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

根据各个实施例，该方法可以包括：在1600a中，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，使得保护层108覆盖至少一个外形特征102t。

根据各个实施例，该方法可以包括：在1600b中，调整1602基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，使得基础材料形成闭合的保护层108。例如，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的部分104p可以在接触时段期间变形，例如示意性地分流(diffluence)。可以配置接触时段，使得基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的相邻部分104p可以相互接触。这会导致增加量的基础材料流入到至少一个外形特征102t中。调整1602可以被配置为使得基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)进入到至少一个外形特征102t的延伸104r小于以下至少之一：基础材料(例如，液滴或线)的每个部分104p的延伸(与其平行)，例如平行于表面102s(横向延伸104)和/或垂直于表面102s(厚度104h)；至少一个外形特征102t进入衬底102的延伸102r(深度102r)。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的部分104p的横向延伸104l可以对应于接触区域314(基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)与衬底102接触的部分104p)的横向延伸。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的部分104p的高度104h可以等于或小于保护层108的厚度。

图17A、图17B和他17C分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

该方法可以包括：在1700a中，用牺牲材料1702部分地填充延伸到衬底102中的至少一个外形特征。

根据各个实施例，至少一个外形特征102t(例如，多孔结构702的体积)可以填充多于约50％，例如多于约60％，例如多于约70％，例如多于约80％，例如多于约90％，例如多于约99％。

根据各个实施例，至少一个外形特征102t(例如，其开口102o)可以包括延伸102d(平行于表面102s)，其小于至少一个外形特征102t到衬底102中的延伸102r(至少一个外形特征102t的深度102r)。

该方法可以包括：在1700b中，在牺牲材料1702之上设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，以在至少一个外形特征102t之上形成保护层。牺牲材料1702可以设置在衬底102中。

根据各个实施例，以下至少之一可以小于垂直于表面102s的保护层108的延伸(保护层108的厚度108d)：至少一个外形特征102t的开口的延伸102d或者至少一个外形特征102t的深度102r。

该方法可以包括：在1700c中，在牺牲材料1702之上设置包括基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)或由基础材料形成的多个部分104p，从而在至少一个外形特征102t之上形成保护层。备选地或附加地，保护层108可以包括其他适当材料或由其他适当材料形成(如果使用牺牲材料1702的话)。

图18A至图18D分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

根据各个实施例，该方法可以包括：类似于800a中的方法，在1800a中，提供包括多孔结构702或由多孔结构702形成的衬底102。

该方法可以包括：在1800b中，用牺牲材料1702部分地填充多孔结构702，例如至少一个外形特征102t。牺牲材料1702可以至少延伸到多孔结构702中或者延伸穿过多孔结构702。

根据各个实施例，该方法可以包括：在1800c中，在牺牲材料1702或多孔结构702中的至少一个之上形成保护层108。可以用牺牲材料1702填充至少一个中空结构102。

例如通过在衬底102之上设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，保护层108可形成在衬底102(例如，表面102s)之上，例如多孔结构702之上。

该方法可以任选地包括：在800b中，将基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)转化为非粘性材料106，例如在结构化802保护层108之前。在形成保护层108之后，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以转化为非粘性状态(例如，通过固化或凝固中的至少一种)，例如固态或固化状态中的至少一种。

保护层的厚度108d可以大于最大高度变化702h，例如在最大高度变化702h的区域中。备选地或附加地，保护层108的厚度108d可以大于约2μm，例如大于约4μm，例如大于约6μm，例如大于约8μm，例如大于约10μm。

至少一个外形特征102t，例如保护层108下方的孔隙可以包括小于保护层108的体积的体积。换言之，保护层108可以覆盖至少一个外形特征102t而不填充至少一个外形特征102t。

任选地，该方法可以包括：在1800d中，例如在处理表面之前，使用光刻结构化802保护层108。保护层108可以根据预定图案(例如，掩模图案)来结构化。

图19A至图19D分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

在1800d中结构化802保护层108之后，可以暴露(换言之，不覆盖)衬底102(例如，表面102s)的至少一个处理区域316。备选地或附加地，可以在衬底102的至少一个处理区316之上暴露牺牲材料1702。

备选地或附加地，到1800d，该方法可以包括：在1900a中，根据预定图案(例如，掩模图案)设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。预定图案可以被配置为使得衬底102(例如，表面102s)的至少一个区域316和/或至少一个区域316之上的牺牲材料1702不被覆盖。在这种情况下，该方法可以任选地包括：在1900a中，例如在处理表面102s之前，使用光刻来结构化802保护层108。这可以增加保护层108的结构精度。备选地或附加地，该方法可以任选地包括：在1900a中，在处理表面102s之前结构化802牺牲材料1702，以完全暴露至少一个处理区域316。

该方法可以包括：在1900b中，处理衬底102，例如表面102s。至少一个处理区域316可以被处理，例如通过湿蚀刻(例如，使用液体蚀刻剂)或干蚀刻(例如，使用气体蚀刻剂、等离子体蚀刻剂或离子蚀刻剂中的至少一种)。例如，至少一个沟槽902或凹部902可以形成在衬底102中，例如多孔结构702中。处理衬底102可以被配置为去除至少位于处理区域316中或之上的牺牲材料1702。

该方法可以包括：在1900c中去除保护层108，例如使用第一溶剂(例如，碱性流体、有机流体或水基流体)，例如加热的第一溶剂。加热的第一溶剂包括的温度可以高于保护层108的温度，例如大于保护层108(例如，基础材料)的粘度转化温度。备选地或附加地，例如如果保护层108包括热熔材料(例如，热塑物质)或由热熔材料形成，则保护层108可以在去除保护层108期间被加热。

该方法可以包括：在1900d中，例如使用第二溶剂(例如，非有机溶剂)(例如，质子溶剂，例如水)去除牺牲材料1702。第二溶剂中的牺牲材料1702的溶解度可以大于基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)在第二溶剂中的溶解度。

根据各个实施例，第一溶剂不同于第二溶剂。在这种情况下，保护层108和牺牲材料1702可以在两步骤处理中被去除，包括使用第一溶剂去除保护层108的第一步骤以及使用第二溶剂去除牺牲材料1702的第二步骤。可以至少使用具有大于保护层108的温度的第一溶剂或者加热保护层108来去除保护层108。第二溶剂在以下至少之一方面不同于第一溶剂：温度、化学组分。

可选地，第一溶剂和第二溶剂可以混合到一起形成溶剂混合物，其可以例如在单个步骤中一起去除牺牲材料1702和保护层108。

可选地，第一溶剂和第二溶剂可以相等(例如，水)。然后，例如通过加热溶剂，可以一起去除牺牲材料1702和保护层108。例如，第二溶剂和第一溶剂可以在其温度和化学组成方面相等。

该方法可以包括：在1900d中，暴露至少一个接触区域314。

图20A至图20D分别以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法。

根据各个实施例，该方法可以包括：在2000a中，提供包括至少一个宏观外形特征102t的衬底102。换言之，衬底102(例如其表面102s)可以包括与平坦平面具有偏差的宏观特征。例如，表面102可以包括凹陷形状。

根据各个实施例，至少一个宏观外形特征102t到衬底102中的第一延伸102r(至少一个外形特征102t的深度102r)可以大于至少一个宏观外形特征102t(例如其开口)的第二延伸102d(垂直于第一延伸102r)。根据各个实施例，至少一个宏观外形特征102t的第二延伸102d可以大于以下至少之一：至少一个表面层的厚度或者衬底(例如，晶片)的厚度、保护层108的厚度。备选地或附加地，至少一个宏观外形特征102t的第二延伸102d可以大于约1mm，例如大于约5mm，例如大于约1cm，例如大于约10cm，例如大于约1m。

根据各个实施例，至少一个宏观外形特征102t的第一延伸102t可以小于以下至少之一：至少一个表面层的厚度或者衬底(例如，晶片)的厚度、保护层108的厚度。备选地或附加地，至少一个外形特征102t的第一延伸102t可以小于约1mm，例如小于约0.1mm，例如小于约10μm，例如小于约1μm，例如小于约0.1μm。

根据各个实施例，宏观外形特征102t的纵横比(第二延伸102d与第一延伸102t的比率)可大于约1，例如大于约10，例如大于约10²，例如大于约10³，例如大于约10⁴，例如大于约10⁵。

根据各个实施例，衬底102(例如，表面102s)，例如至少一个宏观外形特征102t可以包括表面部分702t，其具有关于重力方向(例如，方向105)倾斜的表面法线102n，如细节图2002所示。

任选地，衬底可以包括多孔结构702或由多孔结构702形成，其提供如细节图2004所示的表面102s，例如类似于图8A。

根据各个实施例，该方法可以包括：在2400b中，在衬底102之上设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。粘性材料104可以类似于之前所述进行配置，例如类似于400a至400d。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以根据预定空间分布(空间材料分布或空间覆盖分布中的至少一个)至少在至少一个宏观外形特征102t之上或中进行分布，该预定空间分布例如限定以下至少之一：设置104d在衬底102的区域中的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的量；或者衬底102被指定由基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)覆盖的一个或多个区域。

基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以使用设置设备(例如，印刷机)来进行设置104d，该设置设备被配置为根据预定的空间分布来分配基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。可以顺次地设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如通过设置104d由以下至少之一分离的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的多个部分：空间距离或时间距离(换言之，通过时段分离)，例如通过将基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)滴定或喷射在衬底102上中的至少一种方式。备选地或附加地，可以连续地设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，例如在衬底102上连续流动基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。

根据各个实施例，在衬底102之上设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)之前，例如在接触衬底102之前，可以加热基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)。在衬底102之上设置104d基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)之前加热基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可以被配置为，使得基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)在接触120之前的温度大于粘度转化温度，例如大于基础材料的熔化温度。

根据各个实施例，衬底102可以包括表面102s，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)接触该表面。例如，表面102s可以是衬底102的半导体区域或衬底102的金属区域的表面。任选地，至少一个层(例如，包括接触垫或由接触垫形成)可以至少形成在衬底102的半导体区域中或之上。在这种情况下，至少一个层(还称为至少一个表面层)可以包括表面102s。例如，至少一个表面层可以包括至少一个金属层或由至少一个金属层形成，例如多孔金属层。备选地，衬底或至少一个表面层可以包括其他材料或由其他材料形成，例如多孔的其他材料。

根据各个实施例，衬底102(例如，衬底的表面102s)，例如至少一个表面层(例如，至少一个表面层的表面102)可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：金属、半导体(也称为半导体材料)、例如氧化物(包括金属或半导体中的至少一种(分别为半导体氧化物或金属氧化物)，例如氧化硅)、氮化物(包括金属或半导体中的至少一种(分别为半导体氮化物或金属氮化物)，例如氮化硅)或者包括金属或半导体中的至少一种的介电材料(分别为半导体电介质或金属电介质)。

根据各个实施例，表面102s，例如衬底102，例如至少一个表面层可以包括铜或由铜形成。

如前所述，该方法可以在2400中包括调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度。

根据各个实施例，该方法可以包括：在400b中，在基础材料在衬底102上变形期间，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的变形可以通过重力或表面张力中的至少一种来引发。调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以进行减速或停止基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的变形的至少一种。

调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以被配置为稳定基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的布置，该布置包括以下至少之一：基础材料的位置(例如，作为粘性材料104，例如基础材料的每个部分104p的位置)或者如104d所设置的基础材料的空间分布。基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的位置或基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的空间分布中的至少一个可以通过基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)接触衬底102的区域来限定。换言之，可以保持基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)相对于衬底102(例如相对于接触区域314)的位置或空间分布中的至少一个。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以被配置为：基本按照基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)来排列至少一个宏观外形特征102t。

调整粘度可以将基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)转化为非粘性状态106(例如，包括固态或固化状态中的至少一种或者由固态或固化状态中的至少一种形成)，例如通过固化基础材料或者凝固基础材料中的至少一种。在调整之后，基础材料可以处于非粘性状态106(以形成保护层)。例如，非粘性状态106包括固态的热熔材料或者由固态的热熔材料形成，并且基础材料包括液态的热熔材料或由液态的热熔材料形成。

调整粘度可以被配置为调整基础材料(例如，从其形成的保护层)的厚度104t。基础材料的厚度104t可以取决于基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)与衬底的第一接触(当开始变形时)与稳定基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)之间的时段，换言之，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)可变形的时段(还称为接触时段)，例如通过重力或表面张力中的至少一种。示意性地，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的厚度104t可以随着接触时段的增加而减小。换言之，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度增加越快，基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)在所有方向上流动的时间越少。备选地或附加地，可以调整设置104d在衬底102之上的基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的量。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的厚度104t可进一步如上所述进行配置。

根据各个实施例，该方法可以包括：在2400b中，形成保护层108。保护层108可以包括非粘性材料106或由非粘性材料106形成。非粘性材料106还可以包括非晶材料或由非晶材料形成。

该方法可以包括：在2400b中，将保护层108用作掩模来处理衬底102。处理衬底102可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：蚀刻衬底(例如，使用气态蚀刻剂、液态蚀刻剂、等离子体蚀刻剂或离子蚀刻剂中的至少一种)；掺杂衬底102(例如，使用气态掺杂源、使用液态掺杂源或使用离子掺杂源(也称为离子注入)的至少一种)；在衬底102之上沉积材料(例如，使用气态沉积源、使用液态沉积源或使用等离子体沉积源中的至少一种)；或者反应衬底102(例如，使用气态反应剂、使用液态反应剂或使用离子反应剂)。

该方法可以包括：在2400b中，在处理衬底102之后去除保护层108。

根据各个实施例，保护层108的厚度108d可以小于至少一个宏观外形特征102t到衬底102中的延伸102r。

根据各个实施例，衬底102，例如多孔结构702可以包括具有表面法线的表面部分，该法线关于重力方向倾斜，其中基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的其与表面部分接触的位置通过调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度来保持。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)的粘度可以被配置为，使得在基础材料(例如，基础材料的部分104p)接触衬底102之后，基础材料(例如，基础材料的部分104p)基本不流到外形特征中。

根据各个实施例，该方法可以包括：在2000c中，例如类似于1700a，用牺牲材料1702至少部分地填充延伸到衬底中的至少一个宏观外形特征102t。

根据各个实施例，至少一个宏观外形特征102t(例如，多孔结构702的体积)可以被填充为多于约50％，例如多于约60％，例如多于约70％，例如多于约80％，例如多于约90％，例如多于约99％。

根据各个实施例，该方法可以包括：在2000d中，在牺牲材料1702之上形成保护层108。任选地，该方法可以包括：在2000d中，在牺牲材料1702之上设置基础材料(例如，包括粘性状态104或由粘性状态104形成)，以在至少一个宏观外形特征102t之上形成保护层108。备选地或附加地，保护层108可以包括其他适当材料或者由其他适当材料形成(如果使用牺牲材料1702的话)。

此外，该方法可以包括：在2000d，如前所述，将保护层108用作掩模来处理衬底，并且在处理表面之后去除保护层108和牺牲材料1702。

图21以示意性的流程图示出了根据各个实施例的方法2100。

该方法可以包括：在2102中，在包括延伸到衬底中的至少一个外形特征的衬底之上设置粘性材料，以在衬底之上形成保护层；在2104中，在粘性材料与衬底的接触时段期间调整粘性材料的粘度，以稳定所设置的粘性材料的空间分布；在2106中，将保护层用作掩模来处理衬底；以及在2108中，在处理衬底之后去除保护层。

图22以示意性的侧视图或示意性的截面图示出了根据各个实施例的方法2000。

该方法可以包括：在2202中，用牺牲材料至少部分地填充延伸到衬底中的至少一个外形特征；在2204中，在牺牲材料之上设置粘性材料，以在至少一个外形特征之上形成保护层；在2206中，将保护层用作掩模来处理衬底；以及在2208中，在处理衬底之后去除保护层和牺牲材料。

图23A以示意性的截面图或侧视图示出了根据各个实施例的方法中的根据各个实施例的半导体器件2300a。

根据各个实施例，半导体器件2300a可以包括多个半导体电路元件1702a、2702b、1702c，它们相互平行地电连接1904并且与衬底102电接触。

半导体器件1900a可以包括位于半导体区域182的第一侧102t上的第一金属化层1902。多个半导体电路元件1702a、1702b、1702c中的每个半导体电路元件都可以电连接1904至第一金属化层1922。至少一个第二接触垫1708可以由第一金属化层1922形成。

根据各个实施例，多个半导体电路元件1702a、1702b、1702c中的每个半导体电路元件都可以包括二极管结构或晶体管结构(也称为晶体管单元)，或者由二极管结构或晶体管结构(也称为晶体管单元)形成。

根据各个实施例，多个半导体电路元件1702a、1702b、1702c可以是功率半导体电路元件的一部分或者形成功率半导体电路元件。

备选地或附加地，半导体器件1900a可以包括位于半导体区域182的第二侧102b上的第二金属化层1822。多个半导体电路元件1702a、1702b、1702c中的每个半导体电路元件都可以电连接1904至第二金属化层1822。至少一个第一接触垫1706可以由第二金属化层1822形成。

第一金属化层1922可以包括如上所述处理的表面102s。备选地或附加地，第二金属化层1822可以包括如上所述处理的表面102s。

根据各个实施例，多个半导体电路元件1702a、1702b、1702c中的每个半导体电路元件(例如，功率半导体电路元件)可以包括垂直结构或由垂直结构形成。垂直结构可以理解为提供从半导体区域182的第一侧到半导体区域182的第二侧102b的电流流动，反之亦然。

根据各个实施例，多个半导体电路元件1702a、1702b、1702c中的每个半导体电路元件(例如，功率半导体电路元件)可以包括至少一个栅极接触垫。至少一个栅极接触垫可以通过至少一个(如果存在的话)第一金属化层1922来提供(例如，由其形成)。

根据各个实施例，多个半导体电路元件1702a、1702b、1702c中的每个半导体电路元件(例如，功率半导体电路元件)可以包括晶体管(例如，功率晶体管)或由晶体管形成。

任选地，第一金属化层1922或第二金属化层1822中的至少一个可以包括至少一个外形特征102t。备选地或附加地，第一金属化层1922或第二金属化层1822中的至少一个可以包括多孔结构702或由多孔结构702形成。

图23B以示意性的截面图或侧视图示出了根据各个实施例的方法中的根据各个实施例的半导体器件2300b。

半导体器件2300b可以包括至少一个半导体电路元件1702a、1702b、1702c(例如，功率半导体电路元件1702)，它们至少形成在半导体区域之上或半导体区域中。例如，至少一个半导体电路元件1702a、1702b、1702c可以包括至少一个晶体管(换言之，一个或多个晶体管)或由至少一个晶体管形成，其与衬底102电接触1704。

根据各个实施例，半导体器件1700a可以包括至少一个第一接触垫1706(例如，至少一个集电极接触垫1706)。至少一个第一接触垫1706可以电连接至至少一个半导体电路元件1702a、1702b、1702c。至少一个第一接触垫1706可以通过如上所述处理衬底102来形成。

备选地或附加地，半导体器件1700a可以包括至少一个第二接触垫1708(例如，源极/漏极接触垫1706)，其形成为与至少一个半导体电路元件1702a、1702b、1702c电接触1710。至少一个第二接触垫1708可以任选地包括栅极接触垫，例如其可以形成为与半导体区域182电绝缘。

根据各个实施例，半导体电路元件1702可以包括绝缘栅型双极晶体管或由绝缘栅型双极晶体形成。

任选地，至少一个第一接触垫1706或至少一个第二接触垫1708中的至少一个可以包括至少一个外形特征102t。备选地或附加地，至少一个第一接触垫1706或至少一个第二接触垫1708中的至少一个可以包括多孔结构702或由多孔结构702形成。

图24A以示意性的截面图或侧视图示出了根据各个实施例的方法中的根据各个实施例的半导体器件2400a，例如半导体电路元件1702a、1702b、1702c，例如功率半导体电路元件1702。

半导体器件2400a可以包括形成在衬底的第二侧102b上的掺杂层108l。掺杂层108l(换言之，激活掺杂物)可以包括第一掺杂类型或由第一掺杂类型形成。掺杂层108l可以包括集电极区域(集电极区域形式的掺杂区域)或由集电极区域形成。

半导体器件2400a可以进一步包括集电极接触垫1706(例如，漏极接触垫)形式的第一接触垫1706。第一接触垫1706可以电接触掺杂层108l。第一接触垫1706可以包括金属化层或由金属化层形成。第一接触垫1706可以覆盖多于一半的掺杂层108l，如基本上覆盖掺杂层108l(例如，多于掺杂层108l的80％)。第一接触垫1706可以包括不透明层或由不透明层形成。

此外，半导体器件2400a可以包括第一掺杂区域2006。第一掺杂区域2006可以包括基极区域或由基极区域形成。第一掺杂区域2006所包括的掺杂类型(例如，掺杂物)可以与掺杂层108l的掺杂类型(换句话说，掺杂层108l的掺杂物)相同，例如第一掺杂类型。半导体器件2400a可以进一步包括与第一掺杂区域2006电接触的第二接触垫1708。第二接触垫1708可以包括集电极接触垫1708a(例如，源极接触垫1708a)或者由集电极接触垫1708a形成。第二接触垫1708a可以包括金属化层或由金属化层形成。

此外，半导体器件2400a可以包括第二掺杂区域2004，该区域形成在第一掺杂区域2006与掺杂层108l之间。第二掺杂区域2004可以包括漂移区域或者由漂移区域形成。第二掺杂区域2004可以包括不同于掺杂层108l的掺杂类型(第二掺杂类型)，例如具有第二掺杂类型的掺杂物。第二掺杂区域2004可以包括外延形成层。

半导体器件2400a可以进一步包括又一第二接触垫1708b。又一第二接触垫1708b可以包括栅极接触垫1708b或由栅极接触垫1708b形成。又一第二接触垫1708b可以形成为与第二掺杂区域2004电绝缘，例如通过形成在又一第二接触垫1708b与第二掺杂区域2004之间的电绝缘层。又一第二接触垫1708b可以包括金属化层或由金属化层形成。

此外，半导体器件2400a可以包括第三掺杂区域2008。第三掺杂区域2008可以包括发射极区域或由发射极区域形成。第三掺杂区域2008可以包括不同于掺杂层108l的掺杂类型(例如，掺杂物)，例如第二掺杂类型。第三掺杂区域2008的掺杂浓度可以大于第二掺杂区域2004。

任选地，半导体器件2400a可以包括位于第二掺杂区域2004与掺杂层108l之间的第四掺杂区域2002。第四掺杂区域2002可以包括场停止区域或由场停止区域形成。第四掺杂区域2002可以包括掺杂类型不同于掺杂层108l的掺杂物。第四掺杂区域2002可以包括高于第二掺杂区域2004的掺杂浓度。

根据各个实施例，第一掺杂类型可以是n掺杂类型，以及第二掺杂类型可以是p掺杂类型。备选地，第一掺杂类型可以是p掺杂类型，以及第二掺杂类型可以是n掺杂类型。

半导体器件2400a，例如半导体电路元件1702可以包括晶体管结构(例如，平面晶体管结构(提供垂直电流流动))或由晶体管结构形成。晶体管结构可以包括多个pn结或由多个pn结形成。pn结可以通过具有不同掺杂类型的两个掺杂区域之间的界面形成，例如以下至少之一之间的界面：第一掺杂区域2006和第二掺杂区域2004；第一掺杂区域2006和第三掺杂区域2008；第二掺杂区域2004和掺杂层108l；第二掺杂区域2004和第四掺杂区域2002(如果存在的话)。

根据各个实施例，半导体器件2400a，例如半导体电路元件1702可以包括绝缘栅型双极晶体管或由绝缘栅型双极晶体管形成。

图24B以示意性的截面图或侧视图示出了根据各个实施例的方法中的根据各个实施例的半导体器件2400b，例如半导体电路元件1702a、1702b、1702c。

半导体器件2400b可以包括形成在第二侧102b上的掺杂层108l。掺杂层108l(换言之，激活掺杂物)可以包括第一掺杂类型或由第一掺杂类型形成。掺杂层108l可以包括第一结区域或由第一结区域形成。

半导体器件2400b可以进一步包括与掺杂层108l电接触的第一接触垫1706。第一接触垫1706可以包括电极接触垫或由电极接触垫形成。第一接触垫1706可以包括金属化层或由金属化层形成。第一接触垫1706基本可以覆盖掺杂层108l。

此外，半导体器件2400b可以包括第一掺杂区域2006。第一掺杂区域2006可以包括第二结区域或由第二结区域形成。第一掺杂区域2006可以包括掺杂物，其掺杂类型不同于掺杂层108l(换言之，掺杂层108l的掺杂物)，例如第二掺杂类型。半导体器件2000a可以进一步包括与第一掺杂区域2006电接触的第二接触垫1708。第二接触垫1708可以包括电极接触垫或由电极接触垫形成。第二接触垫1708可以包括金属化层或由金属化层形成。

任选地，半导体器件2000a可以包括位于第一掺杂区域2006与掺杂层108l之间的第二掺杂区域2002。第二掺杂区域2002可以包括场停止区域或由场停止区域形成。第二掺杂区域2002可以包括与掺杂层108l相同的掺杂类型(例如，掺杂物)。第二掺杂区域2002的掺杂浓度可以高于第一掺杂区域2006。

半导体器件2400b，例如半导体电路元件1702a、1702b、1702c，例如功率半导体电路元件可以包括二极管结构或由二极管结构形成，例如平面二极管结构(提供垂直的电流流动)。二极管结构可以包括pn结或由pn结形成，例如通过具有不同掺杂类型的两个掺杂区域之间的界面形成，例如第一掺杂区域2006和掺杂层108l之间的界面或者第二掺杂区域2002(如果存在的话)和第一掺杂区域2006之间的界面。

任选地，掺杂层108l可以包括多个第一部分和多个第二部分或由多个第一部分和多个第二部分形成，其中第一部分包括第一掺杂类型，第二部分包括第二掺杂类型。多个第一部分中的部分和多个第二部分中的部分可以交替顺序来设置。在这种情况下，掺杂层108l可以是反向二极管结构的部分。

此外，以下将描述各个实施例。

根据各个实施例，该方法可以包括：在至少一个衬底或表面的至少一个凹陷外形特征之上设置粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)，以在至少一个衬底或表面之上形成保护层；在设置基础材料的过程中调整基础材料的粘度，使得基础材料基本不流动到至少一个凹陷外形特征中；将保护层用作掩模来处理至少一个衬底或表面；以及在处理衬底或表面中的至少一个之后去除保护层。

根据各个实施例，一种方法可以包括：提供至少一个衬底或表面，其包括至少一个(例如，凹陷)外形特征，该外形特征具有至少为1μm(例如，至少2μm，至少5μm，至少10μm)的高度变化(例如，与表面平均平面的偏差)；以及在至少一个凹陷外形特征之上由粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)形成保护层；其中保护层部分地桥接至少一个凹陷外形特征，使得保护层面向至少一个外形特征的一侧的高度变化小于至少一个外形特征的高度变化。

根据各个实施例，一种方法可以包括：在延伸到衬底或表面中的至少一个中的外形特征之上设置粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)，以在衬底或表面中的至少一个之上形成保护层；在基础材料接触至少一个不平坦的表面部分期间调整基础材料的粘度，使得基本保持基础材料相对于至少一个不平坦的表面部分的位置；将保护层用作掩模来处理衬底或表面中的至少一个；以及在处理衬底或表面中的至少一个之后去除保护层。

根据各个实施例，一种方法可以包括：根据预定的空间材料分布在衬底或表面中的至少一个之上设置粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)，以在衬底或表面中的至少一个之上形成保护层；在设置基础材料期间调整基础材料的粘度，使得基本保持基础材料的空间材料分布；将保护层用作掩模来处理衬底或表面中的至少一个；以及在处理衬底或表面中的至少一个之后去除保护层。

根据各个实施例，调整粘度可以被配置为基本保持基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的空间分布，基础材料利用其接触衬底或表面中的至少一个。

根据各个实施例，衬底或表面中的至少一个可以包括具有高度变化(例如，与表面平均平面的偏差)的至少一个凹陷外形特征，该高度变化大于约1μm，例如大于约2μm，例如大于约3μm，例如大于约4μm，例如大于约5μm，例如大于约6μm，例如大于约7μm，例如大于约8μm，例如大于约9μm，例如大于约10μm，例如大于约20μm，例如大于约50μm；和/或小于约500μm，例如小于约200μm，例如小于约100μm，例如小于约50μm，例如小于约20μm。

根据各个实施例，保护层可以非共形地覆盖至少一个外形特征。

根据各个实施例，一种方法可以包括：在衬底或表面中的至少一个之上设置粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)，以在衬底或表面中的至少一个之上形成保护层；在基础材料与衬底或表面中的至少一个的接触时段期间调整基础材料的粘度，以稳定所设置的基础材料的空间分布；将保护层用作掩模来处理衬底或表面中的至少一个；以及在处理衬底或表面中的至少一个之后去除保护层。

根据各个实施例，一种方法可以包括：在衬底或表面中的至少一个之上设置粘性材料，以在衬底或表面中的至少一个之上形成保护层；在粘性材料与衬底或表面中的至少一个的接触时段期间调整粘性材料的粘度，以稳定所设置的粘性材料的空间分布；将保护层用作掩模来处理衬底或表面中的至少一个；以及在处理衬底或表面中的至少一个之后去除保护层。

根据各个实施例，一种方法可以包括：在衬底或表面中的至少一个至少设置粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)，以在衬底或表面中的至少一个之上形成保护层；在基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)和衬底或表面中的至少一个的衬底接触引发变形(与衬底接触)期间调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度，以稳定基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)接触衬底的空间分布；将保护层用作掩模来处理衬底或表面中的至少一个；以及在处理衬底或表面中的至少一个之后去除保护层。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以包括在基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)接触衬底或表面中的至少一个之后将基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)转化为非粘性状态，例如至少部分地在设置所有基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)之前。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)可以通过顺次沉积工艺设置在衬底或表面中的至少一个之上。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以包括或由其形成：在基础材料从基础材料接触衬底或表面中的至少一个的位置偏移之前，将基础材料转化为非粘性状态。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以包括或由其形成：在基础材料从基础材料接触衬底或表面中的至少一个的位置偏移之前，至少固化或凝固基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以被配置为：在保护层与衬底或表面中的至少一个之间形成至少一个中空结构。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以被配置为：如果至少一个外形特征包括宏观外形特征或由宏观外形特征形成，则在保护层与衬底或表面中的至少一个之间形成至少一个中空结构。

根据各个实施例，可以通过改变以下至少之一来调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度：基础材料的温度、基础材料的化学结构。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)可以包括光敏材料或由光敏材料形成；其中通过将基础材料暴露给具有光敏材料的显影剂波长的光来调整基础材料的粘度。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)在接触衬底或表面中的至少一个之前的温度大于基础材料的凝固温度。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度通过冷却基础材料来调整。

根据各个实施例，衬底或表面中的至少一个可以包括小于基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的凝固温度的用于冷却基础材料的温度。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)可以包括热塑性材料或由热塑性材料形成。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)可以包括热熔材料或由热熔材料形成。

根据各个实施例，该方法可以进一步包括：通过以下至少之一来调整保护层的厚度：在基础材料接触衬底或表面中的至少一个之前，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)与衬底或表面中的至少一个之间的温度差；调整衬底或表面中的至少一个的温度；调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的温度；调整顺次设置的基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的量；调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)所暴露的具有显影剂波长的光的强度；调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)所暴露的光的波长；或者在空间分布稳定的基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)之上设置附加的粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)可以不具有挥发性溶剂。

根据各个实施例，衬底或表面中的至少一个可以包括表面部分或由表面部分形成，该表面部分具有关于重力方向倾斜的表面法线，其中，通过调整基础材料的粘度来保持基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)接触表面部分的位置。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)可以使用(例如，热)按需滴定工艺来设置。

根据各个实施例，基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)可以使用印刷工艺来设置。

根据各个实施例，衬底或表面中的至少一个可以包括延伸到衬底或表面中的至少一个中的至少一个外形特征，其中保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个覆盖至少一个外形特征。

根据各个实施例，保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个的厚度可以小于至少一个外形特征到衬底或表面中的至少一个中的延伸。

根据各个实施例，保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个的体积可以小于至少一个外形特征的体积。

根据各个实施例，至少一个外形特征可以包括凹表面或由凹表面形成。

根据各个实施例，可以调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度，使得保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个基本不流动到外形特征中，如果至少一个外形特征包括微型开口或由微型开口形成的话。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度，使得保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个基本不流动到外形特征中，如果至少一个外形特征的横向延伸小于保护层的厚度的话。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度，使得保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个基本内衬外形特征，如果至少一个外形特征包括宏观开口或由宏观开口形成的话。

根据各个实施例，可以调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度，使得保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个基本内衬外形特征，如果至少一个外形特征的横向延伸大于保护层的厚度的话。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以包括或由其形成：在基础材料接触衬底或表面中的至少一个之后以及在保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个流入到至少一个凹陷外形特征中之前，将基础材料转化为非粘性状态。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以包括或由其形成：在基础材料接触衬底或表面中的至少一个之后以及在保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个流入到至少一个凹陷外形特征中之前，至少固化或凝固基础材料。

根据各个实施例，调整基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)的粘度可以被配置为：在被保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个覆盖的至少一个凹陷外形特征中形成中空结构。

根据各个实施例，一种方法可以包括：用牺牲材料至少部分地填充延伸到衬底或表面中的至少一个中的至少一个外形特征；在牺牲材料之上设置粘性材料(换言之，由粘性状态形成的基础材料)，以在至少一个外形特征之上形成保护层；将保护层用作掩模来处理衬底或表面中的至少一个；以及在处理衬底或表面中的至少一个之后去除保护层和牺牲材料。

根据各个实施例，牺牲材料在溶剂中的溶解性可以大于保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个在溶剂中的溶解性。

根据各个实施例，溶剂可以是非有机的。

根据各个实施例，可以使用溶剂来去除牺牲材料，以及可以使用不同于该溶剂的溶剂来去除保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个。

根据各个实施例，溶剂可以包括质子材料或由质子材料形成，例如质子液体。

根据各个实施例，溶剂可以是质子的。

根据各个实施例，溶剂可以包括非有机材料或由非有机材料形成。

根据各个实施例，溶剂可以是非有机的。

根据各个实施例，溶剂可以包括水基流体或由水基流体形成。

根据各个实施例，溶剂可以包括水或由水形成。

根据各个实施例，至少一个(例如，凹陷)外形特征可以包括至少一个以下外形特征或由至少一个以下外形特征形成：孔隙、开口、阶梯、凹部、沟槽、与平坦平面的宏观偏差。

根据各个实施例，保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个可以根据预定图案设置在衬底或表面中的至少一个上。

根据各个实施例，该方法可以进一步包括：在处理衬底或表面中的至少一个之前，使用光刻来结构化保护层。

根据各个实施例，衬底或表面中的至少一个可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：金属、半导体。

根据各个实施例，与保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个接触的衬底或(例如，衬底的)表面中的至少一个可以包括以下至少之一或由以下至少之一形成：金属、半导体。

根据各个实施例，衬底或表面中的至少一个可以包括铜或由铜形成。

根据各个实施例，与保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个接触的衬底或表面中的至少一个可以包括铜或由铜形成。

根据各个实施例，处理可以包括以下处理或由其形成：在与保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个所暴露的区域中，湿蚀刻或干蚀刻衬底或表面中的至少一个。

根据各个实施例，衬底或表面中的至少一个可以包括多个孔隙或由多个孔隙形成，多个孔隙在与基础材料(例如，包括粘性状态或由粘性状态形成)接触的表面处打开。

根据各个实施例，可以使用温度高于保护层的溶剂来去除保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个。

根据各个实施例，去除保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个可以包括以下处理或由其形成：加热保护层或基础材料(例如，包括以下至少之一或由以下至少之一形成：粘性状态或非粘性状态)中的至少一个。

根据各个实施例，调整粘性材料的粘度可以包括以下处理或由其形成：在粘性材料接触衬底的接触时段期间或之后的至少一个时间段，将粘性材料转化为非粘性状态。

根据各个实施例，调整粘性材料的粘度可以包括以下处理或由其形成：在粘性材料从粘性材料接触衬底的位置偏移之前，将粘性材料转化为非粘性状态。

根据各个实施例，可以通过结构化衬底或表面中的至少一个来形成接触垫。

根据各个实施例，接触垫可以包括厚功率金属化层或由厚功率金属化层形成。

根据各个实施例，该方法可进一步包括形成多孔铜层以提供表面。

根据各个实施例，多孔铜层可以通过使用以下至少一种工艺印刷铜膏来形成：丝网印刷、丝印、铜微粒的等离子体增强沉积(也称为等离子体-灰尘)或铜与特殊电解液添加剂的电化学沉积。

根据各个实施例，在等离子体-灰尘的情况下，结构化可以包括使用化学湿蚀刻工艺。

根据各个实施例，该方法可进一步包括在表面下方形成阻挡层。

虽然参照具体实施例示出和描述了本发明，但本领域技术人员应该理解，在不背离由所附权利要求限定的发明精神和范围的情况下可以进行形式和细节的各种变化。因此，通过所附权利要求限定本发明的范围，并且所有变化均包括在权利要求所包括的含义和范围内。