1.一种方法，包括：
在衬底之上设置粘性材料，所述衬底包括延伸到所述衬底中的至少一个外形特征，以在所述衬底之上形成保护层；
在所述粘性材料与所述衬底的接触时段期间调整所述粘性材料的粘度，以稳定所设置的所述粘性材料的空间分布；
使用所述保护层作为掩模来处理所述衬底；以及
在处理所述衬底之后去除所述保护层。
2.根据权利要求1所述的方法，
其中调整所述粘性材料的粘度包括：在所述粘性材料偏离所述粘性材料接触所述衬底的位置之前，将所述粘性材料转化为非粘性状态。
3.根据权利要求1所述的方法，
其中通过顺序沉积工艺在所述衬底之上设置所述粘性材料。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：
将至少一个半导体电路元件形成为位于所述衬底中或位于所述衬底之上的至少一种情况，其中所述至少一个半导体电路电连接至所述至少一个外形特征。
5.根据权利要求1所述的方法，
其中调整所述粘性材料的粘度被配置为：在所述保护层与所述衬底之间形成至少一个中空结构。
6.根据权利要求1所述的方法，
其中通过改变以下条件中的至少一个来调整所述粘性材料的粘度：所述粘性材料的温度；所述粘性材料的化学结构。
7.根据权利要求1所述的方法，
其中所述粘性材料在接触所述衬底之前的温度大于所述粘性材料的凝固温度。
8.根据权利要求1所述的方法，
其中所述衬底所包含的温度小于所述粘性材料的凝固温度，所述凝固温度用于冷却所述粘性材料。
9.根据权利要求1所述的方法，
其中所述粘性材料包括热塑性材料。
10.根据权利要求1所述的方法，
其中所述粘性材料包括热熔材料。
11.根据权利要求1所述的方法，
其中所述粘性材料不具有挥发性溶剂。
12.根据权利要求1所述的方法，
其中使用按需滴定工艺来设置所述粘性材料。
13.根据权利要求1所述的方法，
其中调整所述粘性材料的粘度，使得如果所述至少一个外形特征包括微观开口，则所述粘性材料基本不流入到所述外形特征中。
14.根据权利要求1所述的方法，
其中调整所述粘性材料的粘度，使得如果所述至少一个外形特征包括宏观开口，则所述粘性材料基本内衬所述外形特征。
15.根据权利要求1所述的方法，
其中所述至少一个外形特征包括以下外形特征中的至少一种：孔隙、开口、阶梯、凹部、沟槽、与平坦平面的宏观偏差。
16.根据权利要求1所述的方法，还包括：
在处理所述衬底之前，使用光刻方式来结构化所述保护层。
17.一种方法，包括：
用牺牲材料至少部分地填充延伸到所述衬底中的至少一个外形特征；
在所述牺牲材料之上设置粘性材料，以在所述至少一个外形特征之上形成保护层；
使用所述保护层作为掩模来处理所述衬底；以及
在处理所述衬底之后，去除所述保护层和所述牺牲材料。
18.根据权利要求17所述的方法，
其中所述牺牲材料在溶剂中的溶解性大于所述粘性材料在所述溶剂中的溶解性。
19.根据权利要求17所述的方法，
其中所述溶剂可包括非有机材料。
20.根据权利要求17所述的方法，
其中使用所述溶剂来去除所述牺牲材料，以及使用不同于所述溶剂的另一溶剂来去除所述保护层。
21.根据权利要求17所述的方法，
其中所述至少一个外形特征包括以下外形特征中的至少一种：孔隙、开口、阶梯、凹部、沟槽、与平坦平面的宏观偏差。
22.根据权利要求17所述的方法，还包括：
在处理所述衬底之前，使用光刻方式来结构化所述保护层。