技术总结
本发明公开了一种绿光发光二极管的外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。所述外延片包括蓝宝石衬底、以及依次层叠在所述蓝宝石衬底上的缓冲层、未掺杂GaN层、N型层、多量子阱层、P型电子阻挡层、P型层和P型接触层，所述P型电子阻挡层包括若干依次层叠的子层，所述子层包括InxAl1‑xN层和层叠在所述InxAl1‑xN层上的InyAlzGa1‑y‑zN层，0＜x＜1，0＜y＜1，0＜z＜1。本发明通过P型电子阻挡层中In组分可以改善P型电子阻挡层与InGaN量子阱层之间的晶格失配，有利于电子溢流，增加空穴的注入效率，提高绿光发光二极管的发光效率。
技术研发人员：杨兰;万林;胡加辉
受保护的技术使用者：华灿光电（浙江）有限公司
文档号码：201611074323
技术研发日：2016.11.29
技术公布日：2017.05.24